[发明专利]一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法有效
| 申请号： | 201911044426.6 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111230598B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李春忠;吴皓;朱莉 | 申请（专利权）人： | 德清晶辉光电科技股份有限公司;杭州雨晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B41/06;B28D5/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 313299 浙江省湖州市德*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电子材料技术领域，公开了一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，包括如下步骤：（1）切割及一次腐蚀：将8英寸铌酸锂晶体切割成晶片后放入腐蚀液中进行一次腐蚀；（2）还原黑化；（3）减薄及二次腐蚀：将还原黑化后的晶片双面减薄，清洗干净后再放入腐蚀液中进行二次腐蚀；（4）抛光；（5）三次腐蚀：将抛光后的晶片放入腐蚀液中进行三次腐蚀，清洗后得所述8英寸铌酸锂晶片。本发明采用三次腐蚀法解决了铌酸锂晶片内部应力变形严重及因此产生的晶片生产过程中容易碎裂的问题；抛光过程中采用多孔陶瓷盘吸附，解决了传统的贴蜡工艺引起的TTV不易控制的问题；加工过程中不用粘合剂，不接触有机物，晶片比较容易清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 英寸 铌酸锂 晶片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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