“卡斯滕·施密特”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]承载基板和用于制造承载基板的方法-CN202180031583.2在审
发明人：蒂洛·韦尔克;卡斯滕·施密特;斯特凡·布里廷 -专利权人：罗杰斯德国有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：一种承载基板(1)，尤其金属陶瓷基板，作为用于电器件的承载件，包括：‑至少一个金属层(10)，和‑绝缘元件(30)，尤其是陶瓷元件、玻璃元件、玻璃陶瓷元件和/或耐高温的塑料元件，其中至少一个金属层(10)和绝缘元件(30)沿着主延伸平面(HSE)延伸并且沿着垂直于主延伸平面(HSE)伸展的堆叠方向(S)上下相叠地设置，其中在制成的承载基板(1)中，在至少一个金属层(10)和绝缘元件(30)之间构成有连结层(12)，并且其中连结层(12)的增附层(13)具有表面电阻，其大于5Ohm/sq，优选大于10Ohm/sq，并且特别优选大于20Ohm/sq。
承载用于制造方法

[发明专利]制造金属陶瓷基板的方法和用该方法制造的金属陶瓷基板-CN202180032878.1在审
发明人：法比安·韦格尔;蒂洛·韦尔克;安德烈亚斯·迈尔;卡斯滕·施密特 -专利权人：罗杰斯德国有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C04B35/645 文献下载
摘要：一种用于制造金属陶瓷基板(1)的方法，包括：‑提供陶瓷元件(10)和金属子层，‑提供气密的容器(25)，所述容器环绕陶瓷元件(10)，其中容器(25)优选由金属子层形成或包括金属子层，‑通过借助于热等静压将金属子层连结到陶瓷元件(10)上构成金属陶瓷基板(1)，其中为了构成金属陶瓷基板(1)，在金属子层和陶瓷元件(10)之间至少部段地设置活性金属层(15)或包括活性金属的接触层，以辅助金属子层连结到陶瓷元件(10)上。
制造金属陶瓷方法

[发明专利]电子模块和用于制造电子模块的方法-CN202180020693.9在审
发明人：安德烈亚斯·迈尔;卡斯滕·施密特;蒂洛·韦尔克 -专利权人：罗杰斯德国有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种电子模块(100)，尤其功率电子模块，包括：‑用作为承载件的金属陶瓷衬底(1)，其具有陶瓷元件(10)和初级器件金属化部(21)和优选具有冷却件金属化部(20)；‑绝缘层(40)，其直接或间接连结于初级器件金属化部(21)，和‑次级器件金属化部(22)，其连结在绝缘层(40)的背离金属陶瓷衬底(1)的侧上，其中陶瓷元件(10)具有第一尺寸(L1、D1)并且绝缘层(40)具有第二尺寸(L2、D2)，并且其中为了在初级器件金属化部(21)上构成岛状的绝缘层(40)，第二尺寸(L2、D2)与第一尺寸(L1、D1)的比例具有小于0.8，优选小于0.6和特别优选小于0.4的值。
电子模块用于制造方法

[发明专利]焊料材料、制造这种焊料材料的方法以及将这种焊料材料用于使金属层结合到陶瓷层上的应用-CN202080088658.6在审
发明人：斯特凡·布里廷;蒂洛·韦尔克;卡斯滕·施密特 -专利权人：罗杰斯德国有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B23K35/00 文献下载
摘要：一种用于将金属层(20)结合到陶瓷层(10)上的焊料材料(30)，尤其用于构成作为电的元器件的载体的金属‑陶瓷基底，所述焊料材料包括：‑基础材料，和‑活性金属，其中所述焊料材料(30)是膜，所述膜在第一层(31)中具有基础材料并且在第二层(32)中具有活性金属，和其中所述膜的总厚度(GD)小于50μm，优选小于25μm，并且特别优选小于15μm。
焊料材料制造这种方法以及用于金属结合陶瓷应用

[发明专利]制造金属-陶瓷衬底的方法，焊接体系和利用该方法制造的金属-陶瓷衬底-CN202080070667.2在审
发明人： 卡斯滕·施密特;安德烈亚斯·迈尔;斯特凡·布里廷 -专利权人：罗杰斯德国有限公司
申请日： 2020-10-02 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：一种用于制造金属‑陶瓷衬底(1)的方法，所述方法包括：‑提供至少一个陶瓷层(10)、至少一个金属层(20)和至少一个焊接层(30)，所述焊接层尤其呈至少一个焊接箔的形式，‑利用至少一个活性金属层(40)对至少一个陶瓷层(10)和/或至少一个金属层(20)和/或至少一个焊接层(30)进行覆层，‑将至少一个焊接层(30)沿着堆叠方向(S)设置在至少一个陶瓷层(10)与至少一个金属层(20)之间以构成焊接体系(35)，所述焊接体系包括至少一个焊接层和至少一个活性金属层(40)，其中至少一个焊接层(30)的焊接材料没有降低熔点的材料，并且‑经由焊接体系(35)借助于活性焊料法将至少一个金属层(20)键合到至少一个陶瓷层(10)上。
制造金属陶瓷衬底方法焊接体系利用

[发明专利]霍尔集成式传感器和对应的制造工艺-CN202080049844.9在审
发明人： 卡斯滕·施密特;格哈德·施皮茨尔施佩格;丹尼尔·霍恩洛泽 -专利权人：拉芳德利责任有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：提供一种集成式霍尔传感器，该集成式霍尔传感器具有：半导体材料的主晶圆(10)，该主晶圆具有衬底(101)，该衬底具有第一表面(101a)和第二表面(101b)，该第二表面(101b)沿竖向轴线(y)与第一表面(101a)相反；霍尔传感器端子(1、2、3、4；1'、2'、3'、4')，该霍尔传感器端子被布置在衬底(101)的第一表面(101a)和第二表面(101b)中的至少一个处；在衬底(101)中的隔离结构(109)，该隔离结构限定集成式霍尔传感器的霍尔传感器板(103)，霍尔传感器端子被布置在隔离结构(109)中。此外，集成式霍尔传感器具有被集成在晶圆(10)中的测试或校准线圈，该测试或校准线圈具有至少部分地由被布置在衬底(101)的第一表面(101a)和第二表面(101b)上方的金属部分(130b、170b；130a、170a)形成的多个绕组并且限定完全包围霍尔传感器板(103)的内体积(1001)。
霍尔集成传感器对应制造工艺

[发明专利]测量值处理系统和测量值处理方法-CN202110869920.7在审
发明人：斯特凡·罗布尔;布·奥特斯藤;卡斯滕·施密特 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F16/16 文献下载
摘要：本发明涉及测量值处理系统和测量值处理方法。一种电子单元(110)，该电子单元具有传感器连接部(111)、第一数据存储器(112)、第一通信模块(113)、第一显示单元(114)以及第一输入单元(115)，该传感器连接部用于从传感器(120)接收至少一个测量值(M)，其中，该第一数据存储器(112)具有文件并且允许存储该测量值(M)，该文件具有至少一个测量值名称，其中，该第一显示单元(114)允许显示该文件和测量值(M)的测量值名称，其中，该第一输入单元(115)允许将测量值名称分配到测量值(M)。
测量处理系统方法

[发明专利]霍尔集成电路以及使用晶片堆叠制造霍尔集成电路的对应方法-CN201980076570.X在审
发明人： 卡斯滕·施密特;马里奥·布拉西尼;格哈德·施皮茨尔施佩格;亚历山德罗·蒙塔尼亚 -专利权人：拉芳德利责任有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：一种包括竖直霍尔元件(100)的霍尔集成电路，具有在竖直方向上堆叠的第一晶片(10)和第二晶片(20)，该第二晶片包括CMOS基板(201)和布置在CMOS基板(201)上的介电层堆叠(204)，该CMOS基板(201)集成有与竖直霍尔元件(100)耦合的CMOS处理电路，并且该第一晶片(10)包括霍尔传感器层(102)，该霍尔传感器层具有沿竖直方向相对并在垂直于竖直方向的水平面中延伸的第一表面(10b)和第二表面(10d)，第一晶片和第二晶片(10，20)通过插入有布置在霍尔传感器层(102)的第一表面(10b)上方的介电层(105)进行接合。竖直霍尔元件(100)具有：至少一第一霍尔端子(1)，是布置在霍尔传感器层(102)的第一表面(10b)上的第一掺杂区域；至少一第二霍尔端子(4)，是布置在霍尔传感器层(102)的第二表面(10d)上的第二掺杂区域，该第二掺杂区域沿竖直方向(z)与第一掺杂区域对齐，并与第一掺杂区域分隔开霍尔传感器层(102)的厚度；深沟槽隔离环(107)，其从第一表面(10b)延伸穿过霍尔传感器层(102)延伸到第二表面(10d)，并且包围并隔离霍尔传感器层(102)的霍尔传感器区域，其中布置有第一霍尔端子和第二霍尔端子(1，4)；以及第一导电结构和第二导电结构(111，114)，其分别耦合到第一霍尔端子、第二霍尔端子(1，4)并电连接到嵌入在第二晶片(20)堆叠(204)中的相应接触焊盘(221，224)。
霍尔集成电路以及使用晶片堆叠制造对应方法

[发明专利]具有低衬底损耗的集成螺旋电感器的制造方法-CN201980072141.5在审
发明人： 卡斯滕·施密特;格哈德·施皮茨尔施佩格 -专利权人：拉芳德利责任有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：在完成正面CMOS制造工艺之后，将硅晶片以正面永久地接合到载体晶片上。载体晶片是高电阻率的硅晶片，或电介质晶片，或陶瓷材料的晶片。从背面减薄器件晶片的硅衬底，使得剩余的硅的厚度仅为几微米。在专用于螺旋电感器的区域中，通过掩模蚀刻工艺将衬底材料完全去除，并且用介电材料填充所得的间隙。在介电材料之上的晶片背面上形成螺旋电感器线圈。电感器线圈通过硅通孔而连接到正面的CMOS电路。
具有衬底损耗集成螺旋电感器制造方法

[发明专利]垂直半导体肖特基二极管及其制造方法-CN201980061716.3在审
发明人： 卡斯滕·施密特;格哈德·施皮茨尔施佩格 -专利权人：拉芳德利责任有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种垂直半导体肖特基二极管器件(300；400；500；600；700)，具有：半导体材料的衬底(101)，该衬底具有前表面(101a)和背表面(101b’)；轻掺杂区域(102)，该轻掺杂区域形成在衬底(101)的面向前表面(101a)的表面部分中，该轻掺杂区域具有第一导电类型；第一电极(111)，该第一电极形成在衬底(101)的前表面(101a)上的轻掺杂区域(102)上，以建立肖特基接触；在衬底(101)的背表面(101b’)处的高掺杂区域(140)，该高掺杂区域与轻掺杂区域(102)接触并且具有第一导电类型；以及第二电极(160a)，该第二电极在衬底(101)的背表面(101b’)上与高掺杂区域(140)电接触，以建立欧姆接触。
垂直半导体肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]具有较小偏移的垂直霍尔元件及其制造方法-CN201980038380.9在审
发明人： 卡斯滕·施密特;格哈德·施皮茨尔施佩格 -专利权人：拉芳德利责任有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：公开了垂直霍尔元件，包括：第一导电类型的衬底(101)，具有第一表面(101a)和第二表面(101b)；第二导电类型的阱(102)，设置在衬底的两个表面中并在这两个表面上暴露；以及至少四个端子，优选地包括与阱接触的第二导电类型的高掺杂区。至少两个端子(1，2)布置在第一表面上，并且至少两个端子(3，4)布置在第二表面上，使得第一表面上的一个端子(1)和第二表面上的一个端子(4)在正交于衬底表面的横截面中具有相同但相对的位置。备选地，一个元件包括中央的一对相对的表面端子，而另两个端子包括连接到第一表面的横向掩埋的掺杂区(151a，151c)。
具有较小偏移垂直霍尔元件及其制造方法

[发明专利]电子模块及其制造方法-CN201980033465.8在审
发明人： 卡斯滕·施密特;安德烈亚斯·迈尔;埃卡特·赫内;克里斯托弗·马克佐克;蒂娜·托马斯;鲁本·卡勒 -专利权人：罗杰斯德国有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L25/10 文献下载
摘要：一种电子模块(1)，所述电子模块包括：‑封装部(20)，和‑载体基板(10)，所述载体基板至少部分地嵌入到所述封装部(20)中，所述载体基板具有部件侧(25)，所述部件侧具有第一金属化层(15)，并且在所述部件侧上设置有至少一个第一电子部件(30)，其中在所述封装部(20)的外侧(A)上设有用于至少一个第二电子部件(31)的至少一个第二金属化层(35)，尤其用于控制所述第一电子部件(30)，其中所述封装部(20)具有至少一个过孔(5)，用于所述第一电子部件(30)和所述第二电子部件(31)的电连接，尤其是直接的电连接。
电子模块及其制造方法

[发明专利]用于电路板的复合陶瓷和用于其制造的方法-CN201980010287.7在审
发明人：安德烈亚斯·迈尔;斯特凡·布里廷;卡斯滕·施密特 -专利权人：罗杰斯德国有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：一种用于电路板的复合陶瓷(10)，其包括‑由第一陶瓷材料构成的芯层(1)和‑由第二陶瓷材料构成的覆盖层(2)，用于覆盖芯层(1)，其中覆盖层(2)直接材料配合地连结于芯层(1)并且覆盖层厚度(DD1)与芯层厚度(DP)的比值具有小于1，优选小于0.5并且特别优选小于0.2的值。
用于电路板复合陶瓷制造方法

[发明专利]在陶瓷制成的载体层中制造过孔的方法和含过孔的载体层-CN201880044855.0在审
发明人： 卡斯滕·施密特;斯特凡·布里廷;安德烈亚斯·迈尔;雷纳·赫尔曼;马丁·雷格 -专利权人：罗杰斯德国有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本发明提出一种用于在由陶瓷制成的载体层(1)中制造过孔(3)的方法，所述方法包括：‑提供载体层(1)；‑在载体层中实现穿通留空部(2)；‑用膏至少部分地填充穿通留空部；以及‑执行接合法，用于将金属化部接合到载体层上，尤其活性焊接法或DCB法，其中在执行接合法时由穿通留空部中的膏来实现过孔。
陶瓷制成载体制造方法

[发明专利]用于纺织机的微波谐振器-CN201380071239.1有效
发明人：托拜厄斯·赫尔曼;托马斯·艾伯特;穆罕默德·乌斯曼·法斯;卡斯滕·施密特;M·于丁 -专利权人：立达英格尔施塔特有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于测量装置的微波谐振器，其测量在纺织机上，特别是梳理机、并条机或梳棉机上的束状纤维材料(FM)的厚度和/或含水量，所述纤维材料被连续输送通过布置在微波谐振器(1、1’、1”、1”’)的谐振腔(5、5’)的测量空间(6、6’)。根据本发明提出，在谐振腔(5、5’)中沿着测量空间(6、6’)设置至少一个不导电的材料单元(10、10’、10”、10”’、10””、10””’)，材料单元具有：输入端部分(11、11’、11”、11”’、11””、11””’)，其截面积在预设的纤维材料(FM)的运转方向(LR)上是可变化的；和/或，输出端部分(12、12’、12”、12”’、12””、12””’)，其截面积在预设的纤维材料(FM)的运转方向(LR)上是可变化的，其中材料单元(10、10’、10”、10”’、10””、10””’)的输入端部分(11、11’、11”、11”’、11””、11””’)的截面积在纤维材料(FM)的运转方向(LR)上看是增大的和/或材料单元(10、10’、10”、10”’、10””、10””’)的输出端部分(12、12’、12”、12”’、12””、12””’)的截面积在纤维材料(FM)的运转方向(LR)上看是减小的。
用于纺织机微波谐振器

1
2
下一页»
尾页
共 21 条