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[发明专利]晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及薄型晶片的制造方法-CN201580014475.9有效
发明人：菅生道博;安田浩之;田上昭平;田边正人 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明是一种晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支撑体上，所述晶片加工用暂时粘着材料的特征在于，具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：第一暂时粘着层，其能够可剥离地粘着于所述晶片的表面上，由非硅酮热塑性树脂层(A)构成；第二暂时粘着层，其积层于该第一暂时粘着层上，由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成；以及，第三暂时粘着层，其积层于该第二暂时粘着层上，由此，提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及使用它们的薄型晶片的制造方法，所述晶片加工体，暂时粘着和剥离较为容易，CVD耐受性优异，能够提高薄型晶片的生产率。
晶片加工工用暂时粘着材料以及制造方法

[发明专利]薄晶片运送的包装组件及其使用方法-CN201480052563.3有效
发明人： D.L.科尔宾;C.F.穆桑特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：公开了一种使用晶片容器运送薄晶片的包装组件及其使用方法。该包装组件包括运送容器和晶片容器，该晶片容器具有底表面和附接在底表面的多个带子，该晶片容器放置在运送容器内。
晶片运送包装组件及其使用方法

[发明专利]使半导体晶片变薄的方法-CN200910151326.3有效
发明人： M·J·瑟登;F·J·卡尔尼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种用于制造薄的半导体晶片的方法。将半导体晶片从其后侧削薄，然后在半导体晶片后侧的中心区形成腔。形成腔时在半导体晶片外围区也形成环形支撑结构。至少在腔内形成导电层。将半导体晶片的环形支撑结构变薄以形成变薄的半导体晶片。将后侧带连接到半导体晶片和膜层框架上并且除去连接到半导体晶片前侧的带。将变薄的半导体晶片进行分割。
半导体晶片变薄方法

[发明专利]控制半导体晶圆片表面形貌的方法和半导体晶片-CN201910257002.1有效
发明人：曾文昌;刘林艳;高海棠;杨凯 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了控制半导体晶圆片表面形貌的方法和半导体晶片，其中，控制半导体晶圆片表面形貌的方法包括：对半导体晶圆片的正面进行单面减薄处理，以便使得所述表面形成中心高边缘低的凸面；对经过所述单面减薄处理的半导体晶圆片两个表面依次进行粗抛处理、中抛处理和精抛处理，以便得到半导体晶片。采用该方法可以有效提高半导体晶片表面平整度，减小厚度偏差，提高多片式单面抛光工艺加工水平，处理后的半导体晶片能够满足集成电路线宽的要求。
控制半导体晶圆片表面形貌方法晶片

[发明专利]半导体晶片的加工方法-CN200410083173.0无效
发明人：梶山启一 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种用于半导体晶片的加工方法，在研磨半导体晶片背面减薄形成以后，没有给半导体晶片造成损伤，并给背面上粘贴粘接薄膜。对倒角后的外周侧部15进行切削等形成大致垂直面之后，研磨背面制成规定厚度，然后通过给背面粘贴并加热粘接薄膜，使半导体晶片1和粘接薄膜成为一体。采用把外周侧部15制成大致垂直面的办法，借助于研磨变得更薄了以后，外周既没有成为锐角形状也没有产生缺口，所以即使随后加热也没有生长裂缝。
半导体晶片加工方法

[发明专利]晶片加工体、晶片加工用暂时粘合材料、及薄型晶片的制造方法-CN201580006451.9有效
发明人：田上昭平;菅生道博 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种晶片加工体，其是在支撑体上形成有暂时粘合材料层，且在暂时粘合材料层上积层有晶片而成，所述晶片在表面具有电路面且应加工背面，所述晶片加工体的特征在于，所述暂时粘合材料层具备复合暂时粘合材料层，所述复合暂时粘合材料层具有以下三层结构：第一暂时粘合层，可剥离地粘合于所述晶片的表面，由热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成；第二暂时粘合层，可剥离地积层于该第一暂时粘合层，由热固化性硅氧烷改性聚合物层由此，提供一种晶片加工用暂时粘合材料、及能够提高薄型晶片的生产率的晶片加工体，所述晶片加工用暂时粘合材料暂时粘合和剥离较容易，且即便在剥离前的薄型晶片被切断的状态下，仍然可以容易地剥离。
晶片加工工用暂时粘合材料制造方法

[发明专利]功率半导体器件和用于生产这种器件的无荫罩的方法-CN201980076321.0有效
发明人： C·帕帕多普洛斯;B·K·波克斯汀;M·安德娜;C·科瓦斯塞;G·昆克尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种功率半导体器件包括：具有有源区(AR)和横向围绕有源区的终端区(TR)的晶片(2)；终端区中的浮置场环；包括减少载流子寿命的缺陷的寿命控制区；和晶片上的保护层(6)。保护层覆盖终端区，并包括薄部分(61)和横向围绕薄部分的厚部分(62)。厚部分覆盖浮置场环。寿命控制区(5)在横向方向上延伸穿过有源区，并且在终端区中延伸穿过被薄部分覆盖的部分，并且不在被厚部分覆盖的部分中。根据制造方法，使用保护层(6)作为照射掩模，通过利用离子照射晶片(2)来形成寿命控制区。
功率半导体器件用于生产这种器件无荫罩方法

[发明专利]一种智慧社区相关的LED晶片衬底减薄贴片处理装置-CN202110645924.7在审
发明人：范冬利 -专利权人：范冬利
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子技术领域，尤其涉及一种智慧社区相关的LED晶片衬底减薄贴片处理装置。本发明的技术问题是：提供一种智慧社区相关的LED晶片衬底减薄贴片处理装置。一种智慧社区相关的LED晶片衬底减薄贴片处理装置，包括有贴片组件、垫片放置组件、涂胶组件、支撑台、控制器、承重台、第一支撑架和第二支撑架；承重台与涂胶组件相连接。本发明使用时实现了同时对四个LED晶片进行贴附，大大提高了贴片效率，然后在放置滤纸前，在两组粘胶片上刷上胶液，再自动将单片滤纸固定粘附在两组粘胶片上，进而避免滤纸放置后发生偏移掉落的情况，避免对产品质量造成不良影响的效果
一种智慧社区相关 led 晶片衬底减薄贴片处理装置

[发明专利]晶片吸附方法、晶片吸附台、晶片吸附系统-CN201210434807.7有效
发明人：秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够以低成本在不使晶片变形的情况下以充分的吸附压力将晶片吸附于台的晶片吸附方法、晶片吸附台、以及晶片吸附系统。本申请发明的晶片吸附台是在内部具有空间的晶片吸附台，具备：装载面，装载晶片；多孔质部，以表面露出于该装载面、背面与该空间相接的方式形成在该晶片吸附台内；以及连结部，与该空间连接并且延伸至该晶片吸附台外部而且，该多孔质部的特征在于越是远离该连结部的部分形成得越薄。
晶片吸附方法系统

[发明专利]一种IGBT的制造方法-CN201310389640.1在审
发明人：黄璇;王万礼;王根毅 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体晶片，在所述半导体晶片的第一表面上进行杂质注入以形成导电层；在所述导电层的表面形成间隔的凹槽；在所述凹槽内填充第二导电类型或第一导电类型的半导体材料以形成通道；在所述导电层和通道上形成氧化层；在所述氧化层上键合衬底半导体晶片;减薄所述半导体晶片，并将减薄后的半导体晶片作为漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；去除所述衬底半导体晶片；去除所述氧化层
一种 igbt 制造方法

[发明专利]热处理方法及热处理装置-CN202010013959.4在审
发明人：上田晃頌;布施和彦 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成较薄且特性良好的氧化膜的热处理方法及热处理装置。将硅半导体晶片W搬入到腔室6内，在氮气体氛围中，通过来自卤素灯HL的光照射开始半导体晶片W的预加热。当在预加热的中途半导体晶片W的温度达到特定的切换温度时，对腔室6内供给氧气而将腔室6内从氮气体氛围切换为氧气体氛围。然后，通过闪光照射将半导体晶片W的表面进行极短时间的加热。在半导体晶片W的温度为小于切换温度的相对低温时，氧化受到抑制，在其温度成为高温后进行氧化。其结果，能够在半导体晶片W的表面形成致密且与硅基层的界面的缺陷较少的特性良好的较薄氧化膜。
热处理方法装置

[发明专利]晶片发光结构及其制造方法-CN200810144994.9有效
发明人：陶青山;徐子杰;王振奎 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-08-18 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明披露一晶片发光结构及其制造方法。该晶片发光结构包含一支持基板；一抗形变层，位于该支持基板之上；一粘结层，位于该抗形变层之上；以及一发光叠层，位于该抗形变层之上，其中该粘结层连接该抗形变层与该发光叠层；其中该晶片发光结构经一薄化工艺产生的一形变高度不超过约该晶片发光结构的一厚度的10倍，其中该形变高度为该晶片发光结构的下表面与侧边的一交界处至发光结构的一下表面几何中心点的高度差，该厚度为该晶片发光结构的该下表面几何中心点至发光结构的一上表面几何中心点的高度差。抗形变层可减少或消除支持基板被薄化后所产生的变形，例如翘曲。
晶片发光结构及其制造方法

[发明专利]一种提高减薄后的GaAs基LED晶片衬底与金属粘附性的方法-CN201810833429.7有效
发明人：徐晓强;张兆喜;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高减薄后的GaAs基LED晶片衬底与金属粘附性的方法，包括：(1)GaAs衬底减薄；(2)GaAs衬底表面刮片：将晶片背面朝上放置在平整的台面上，刮除GaAs衬底表面较大的颗粒；(3)GaAs(4)GaAs衬底表面化学腐蚀：将晶片放置在氨水、双氧水的混合溶液中进行加热超声腐蚀，腐蚀完成后依次进行冲水、干燥；(5)N电极制作、管芯切割：在晶片的GaAs衬底表面上制作N电极，并将管芯切割。本发明在不对晶片造成影响的条件下，彻底快速有效的去除了背面残渣碎屑，提高后续N电极制作的粘附性。
一种提高减薄后 gaas led 晶片衬底金属粘附方法

[发明专利]一种形成集成电路芯片的方法-CN99100913.4无效
发明人： G·B·布龙纳;B·埃尔科勒;S·E·舒斯特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1999-01-04 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：形成同一芯片上包括两种不同NFET和/或两种不同PFET的集成电路芯片的方法，两种不同FET例如为厚和薄栅氧化物FET。DRAM阵列可以由厚氧化物FET构成，而逻辑电路可以由同一芯片上的薄氧化物FET构成。首先，在晶片上形成包括第一厚栅SiO2层的栅叠层。选择地去掉部分叠层，再暴露将要形成逻辑电路的晶片。在再暴露的晶片上形成较薄氧化层。接着，在较薄氧化层形成栅，并以该栅形成薄氧化物NFET和PFET。选择地硅化薄氧化物器件区后，由厚氧化物器件区中的叠层腐蚀栅。最后注入和扩散厚栅氧化物器件的源和漏区。
一种形成集成电路芯片方法

[发明专利]具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的薄SGOI晶片的制作方法-CN200480040518.2有效
发明人：陈华杰;斯蒂芬·W.·贝戴尔;德温得拉·K.·萨达纳;丹·M.·莫库塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-01-16 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：硅锗层(104)被淀积(300)在SOI晶片(102，100)上。执行硅锗层和硅层的热混合(302)，以便形成具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的厚SGOI(106)。然后将硅锗层(110)减薄(306)到所希望的最终厚度。锗浓度、弛豫量、以及堆垛层错缺陷密度不被此减薄工艺改变。从而得到具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的薄的SGOI膜。然后，硅层(112)被淀积在此薄的SGOI晶片上。减薄的方法包括低温(550－700℃)HIPOX或蒸汽氧化、外延工作室中的原位氯化氢腐蚀、或CMP。用修整CMP、原位氢烘焙、以及应变硅淀积过程中的硅锗缓冲层、或利用氯化氢、DCS、以及锗烷的气体混合物在氢环境中对晶片进行加热，来整平HIPOX或蒸汽氧化减薄所引起的粗糙硅锗表面。
具有高弛豫堆垛缺陷密度 sgoi 晶片制作方法

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