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[发明专利]半导体工艺设备及其处理方法-CN202210444781.8在审
发明人：汤中海;张建坤;赵尊华;胡海洋;桑强强;蔡亲华 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：该半导体工艺设备的处理方法，用于在对晶圆执行工艺之前对工艺腔室内进行处理，包括：对工艺腔室内的残留物进行清理；在清理后的工艺腔室内壁上沉积第一致密氧化物层；对第一致密氧化物层进行致密化处理，以在第一致密氧化物层表面上形成第二致密氧化物层，其中，第二致密氧化物层的含氧量大于第一致密氧化物层的含氧量。本申请实施例通过在工艺腔室内壁上形成第一致密氧化物层及第二致密氧化物层，并且第二致密氧化物层的致密性较佳，使其在刻蚀工艺过程中不会因为疏松而剥落为颗粒，避免其对晶圆造成污染，从而大幅提高刻蚀工艺良率。
半导体工艺设备及其处理方法

[发明专利]一种低温固体氧化物燃料电池及其制备方法-CN201710232995.8有效
发明人：侯杰;苗利娜;曹菊芳;蔺杰;刘卫 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01M8/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温固体氧化物燃料电池，包括阳极支撑体；设置在所述阳极支撑体上的致密电解质层；设置在所述致密电解质层上的氧化铋基致密电解质层；所述致密电解质层为铈基电解质层或锆基电解质层；设置在所述氧化铋基致密电解质层上的阴极活性层与现有技术相比，本发明在氧化铋基致密电解质层与阳极支撑体之间设置致密电解质层，该致密电解质层可有效保护氧化铋基电解质层，有效隔绝氧化铋基致密电解质层与还原气体的直接接触，使其不发生分解，保证氧化铋的正常工作，实现不同电解质的优化高效使用，有效降低电池内阻，提高电池在低温段的性能，从而使固体氧化物燃料电池在低温工作条件下也能高效传导氧离子、高效工作。
一种低温固体氧化物燃料电池及其制备方法

[发明专利]一种半导体电容器-CN201310557141.9有效
发明人：张翠 -专利权人：溧阳市江大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体电容器，其包括衬底，衬底上依次具有第一金属电极层、第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层、第二金属电极层；第一引出电极，其穿透第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层和第二金属电极层并穿入第一金属电极层的一部分形成；第一引出电极隔离，其穿透第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层和第二金属电极层形成，从而实现对第一引出电极的电隔离；第二引出电极，其穿入第二金属电极层的一部分形成。
一种半导体电容器

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法-CN201510907954.5有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成凹槽；形成填充满凹槽下部分的第一氧化物层；在所述第一氧化物层以及未被填充的凹槽侧壁表面形成致密氧化层；在所述致密氧化层表面形成填充满所述凹槽的第二氧化物层，所述致密氧化层的致密度大于第一氧化物层和第二氧化物层的致密度。
沟槽隔离结构及其形成方法

[实用新型]一种致密层均匀的平面结构钙钛矿太阳能电池-CN201520800298.4有效
发明人：王镜喆;何早阳;张继远;吴聪萍;邹志刚 -专利权人：南京大学昆山创新研究院;昆山桑莱特新能源科技有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种致密层均匀的平面结构钙钛矿太阳能电池，包括：导电基体，生长在导电基体上的二氧化钛致密层，涂于二氧化钛致密层上的钙钛矿层，制于钙钛矿层上的空穴导电层，制于空穴导电层上的金属电极层。本实用新型提供一种致密层均匀的平面结构钙钛矿太阳能电池及其制备方法，本实用新型通过调节阳极氧化镀在导电基体上的纯钛的电压与阳极氧化时间，从而调节致密层厚度与致密度，减少旋涂带来的致密层不均现象，制备的致密层排列有序
一种致密均匀平面结构钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种致密煤岩储层氧化溶蚀增渗潜力评价方法-CN202110820066.5在审
发明人：康毅力;胡玥;游利军;李相臣;陆钰;孙琳娜;刘江;关嘉琪 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明涉及石油与天然气行业致密煤岩储层增产改造领域，提供了一种致密煤岩储层氧化溶蚀增渗潜力评价方法。氧化溶蚀增渗潜力是预测氧化改造提高致密煤岩气藏产能效果的重要依据，因此，需评价致密煤岩储层氧化溶蚀增渗潜力。通过测定粉状煤样氧化前后的质量损失，以及柱状岩心应力条件下氧化液注入前后的渗透率变化，制定以溶蚀率ML及增渗倍数IOT为指标的评价方法，划分了氧化溶蚀增渗潜力等级，建立了应力条件下致密煤岩的氧化溶蚀效果增渗潜力评价方法。本发明弥补了当前致密煤岩储层氧化溶蚀增渗潜力评价方法存在的不足，对预测致密煤岩气藏氧化溶蚀增渗效果、评价储层增产作业、预防储层损害等具有重要意义。
一种致密煤岩储层氧化溶蚀潜力评价方法

[实用新型]一种高致密氧化锆陶瓷背板结构-CN202021982647.6有效
发明人：刘环裕;王珂玮;陈曦;郑东海 -专利权人：东莞理工学院;广东天机工业智能系统有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高致密氧化锆陶瓷背板结构，包括氧化锆本体层，氧化锆本体层为若干层的层叠结构，相邻的氧化锆本体层之间设置有氧化铝相变层，氧化锆本体层与氧化铝相变层之间设置有硅酸铝镁连接层。本实用新型的高致密氧化锆陶瓷背板结构具有致密性高、可加工性强和综合性能优异的特点。
一种致密氧化锆陶瓷背板结构

[发明专利]一种含致密氧化硅层的隔热垫-CN201811384445.9在审
发明人：刘鹭 -专利权人：吴江市格瑞福金属制品有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： A47G23/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种含致密氧化硅层的隔热垫，包括隔热垫本体、支脚、设置在隔热垫本体内部的散热孔和散热通道以及设置在隔热垫本体上表面的致密氧化硅层；散热孔一端与隔热垫本体上表面相连通，另一端与散热通道相连通；散热通道和隔热垫本体侧面贯通；致密氧化硅层与隔热垫本体上表面之间还设置荧光层。本隔热垫在与发热物接触的上表面设置具有防水、防腐蚀、耐磨等特性的致密氧化硅层，有利于提高隔热垫的耐腐蚀性，提高其使用寿命。同时在隔热垫上表面和致密氧化硅层之间设置荧光层，当致密氧化硅层被磨损后荧光层暴露出来，采用荧光笔等常规的设备就可发现破损处（发出荧光处），简单直观。
致密氧化硅层隔热垫本体上表面隔热垫散热通道荧光层散热孔隔热耐腐蚀性使用寿命常规的发热物防腐蚀破损处体内部荧光笔耐磨荧光支脚连通磨损防水贯通直观侧面暴露发现

[发明专利]染料敏化太阳电池氧化铜纳米棒阵列对电极及其制备方法-CN201710717541.X有效
发明人：吴璠;陈伟敏;唐志鲜;蒋岚;康鑫 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明的对电极是在片状导电基底的一面制备一层氧化铜致密籽晶层薄膜，然后再在氧化铜致密籽晶层薄膜上制备氧化铜纳米棒阵列。其制备方法为：（1）氧化铜致密籽晶层的前驱液制备；（2）在导电基底上制备一层氧化铜致密籽晶层薄膜；（3）通过水热法在涂有氧化铜致密籽晶层薄膜的导电基底上生长一层氧化铜纳米棒阵列。
染料太阳电池氧化铜纳米阵列电极及其制备方法

[发明专利]复合氧离子传送膜-CN200780031388.X有效
发明人： N·纳加巴沙纳;J·A·莱恩;G·M·克里斯蒂;B·A·范哈泽尔 -专利权人：普莱克斯技术有限公司
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种复合氧离子传送膜(1)，其具有致密层(10)、多孔载体层(12)、位于多孔载体层(12)和致密层(10)之间的任选的中间多孔层(14)以及覆盖在致密层(10)上的任选的表面交换层(16)。致密层(10)具有电子相和离子相。该离子相包括氧化钪掺杂的、钇或者铈稳定的氧化锆。该电子相包括含有镧、锶、铬、锰和钒以及任选的铈的金属氧化物。多孔载体层(12)包括用钇、钪、铝或者铈或者其混合物部分稳定的氧化锆。如果使用，中间多孔层(14)包含与致密层相同的离子相和电子相。表面交换层(16)由电子相和离子相形成，该电子相是镧和锶以及还包含锰或者铁的金属氧化物，该离子相是氧化钪掺杂的、钇或者铈稳定的氧化锆。
复合离子传送

[发明专利]一种双层无机绝缘包覆软磁粉末及其制备方法-CN201910416361.7有效
发明人：雷超;王健;刘辛 -专利权人：广东省材料与加工研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01F1/33 文献下载
摘要：该双层无机绝缘包覆软磁粉末包括磁粉以及从内至外依次包覆于磁粉外表面的过渡氧化物层和致密氧化物层，过渡氧化物层是通过在磁粉的表面进行原位氧化后形成，使得过渡氧化物层不仅磁粉与过渡氧化物层的结合强度高，同时过渡氧化物层与致密氧化物层之间的界面具有良好的化学润湿性、结合强度高，通过化学气相沉积在过渡氧化物层的表面形成致密氧化物层，其包覆致密性佳，电阻率高，高电压下绝缘性能佳。
一种双层无机绝缘包覆软磁粉末及其制备方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽型器件的工艺方法-CN202011056835.0有效
发明人：李秀然;刘宇;薛华瑞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型器件的工艺方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一沟槽；在第一沟槽内依次形成第一氧化层和第二氧化层，并得到第二沟槽，其中：第一氧化层的致密度大于第二氧化层的致密度；在第二沟槽内形成屏蔽栅；在屏蔽栅上形成第三氧化层，其中：第三氧化层的致密度大于第二氧化层的致密度；部分刻蚀第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层使得所述第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层的厚度均降低，剩余的第二氧化层和第三氧化层的表面形貌与屏蔽栅的表面形貌相同，以使得剩余的第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层形成的组合的厚度较为均匀，进而改善控制栅和屏蔽栅之间的漏电性能。
屏蔽沟槽器件工艺方法

[发明专利]一种优化NAND flash双重曝光关键尺寸的方法-CN201910643540.4有效
发明人：何理;巨晓华;黄冠群 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种优化NAND flash双重曝光关键尺寸的方法，提供具有非晶硅层的衬底；在衬底上的非晶硅层上形成Core氧化层；对Core氧化层进行致密化处理；对Core氧化层进行刻蚀形成Core图形；量测Core图形底部和顶部的CD数值；提供同一刻蚀条件下无致密化处理的Core氧化层和致密化处理后的Core氧化层的刻蚀速率；根据Core图形底部、顶部的CD数值以及刻蚀速率计算需要致密化处理的Core氧化层的厚度，以此确定对Core氧化层进行致密化处理的时间。
一种优化 nand flash 双重曝光关键尺寸方法

[发明专利]平面陶瓷片组件及其制备方法、载体层组件及其制备方法、烃氧化方法和陶瓷膜叠层-CN200910142692.2有效
发明人： M·F·卡罗兰;P·N·德耶;M·A·威尔逊;T·R·奥赫恩;K·E·克奈德;D·彼得森;C·M·陈;K·G·拉克斯 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： B01J35/10 文献下载
摘要：本发明涉及平面陶瓷片组件及其制备方法、载体层组件及其制备方法、烃氧化方法和陶瓷膜叠层。所述陶瓷片组件中使用了一种平面陶瓷膜组件，其包含混合-传导多组分金属氧化物材料致密层其中，致密层具有第一面和第二面，与致密层的第一面接触的混合-传导多组分金属氧化物材料多孔层，与致密层的第二面接触的陶瓷通道载体层
平面陶瓷组件及其制备方法载体氧化陶瓷膜

[发明专利]一种多孔性次毫米层与高致密性复合微米层连接的多层结构复合块材的制备方法-CN202011333712.7有效
发明人：温良成;曹更玉 -专利权人：广东石油化工学院
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01M8/1226 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔性次毫米层与高致密性复合微米层连接的多层结构复合块材的制备方法，包括制备次毫米厚度的陶瓷生胚，烧结成多孔状次毫米厚度的陶瓷基板；在多孔状次毫米厚度的陶瓷基板上形成致密化金属氧化物薄层；然后在形成下层易还原成金属态的致密化金属氧化物薄层完全包覆次毫米多孔层；再制备微米级高度致密化的氧化物/盐类复合层；抛光移除部分易还原成金属态的致密化金属氧化物薄层，形成毫米多孔层/易还原成金属态的致密化金属氧化物薄层/高致密复合体层；最后进行还原处理，将易还原成金属态的致密化金属氧化物薄层变为多孔性结构。
一种多孔毫米致密复合微米连接多层结构制备方法

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