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[发明专利]用于在储存体装置的编程之前进行擦除检测的系统和方法-CN201780005181.9有效
发明人： N.N.杨;C.伊普;G.沙阿 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：公开了用于检测编程干扰和用于基于检测到的编程干扰进行编程/读取的系统和方法。编程干扰包括在存储器的选定区段的编程操作期间无意地编程存储器的未选定区段。为了降低编程干扰的影响，在预定状态(诸如擦除状态)下对编程干扰分析存储器的区段。响应于识别到编程干扰的迹象，可以调整用于编程存储器的区段的电压(诸如用于将数据编程到存储器的区段的单元中的编程验证电平)。同样地，当从存储器的区段读取数据时，可以基于经调整的用于编程的电压来调整读取电压。以这种方式，使用经调整的编程和读取电压，可以降低编程干扰的影响。
用于储存装置编程之前进行擦除检测系统方法

[发明专利]一种NANDFLASH编程的防干扰方法-CN201510523078.6有效
发明人：潘荣华;贺元魁 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种NANDFLASH编程的防干扰方法。该方法包括：对选中字线施加编程电压，未选中字线施加导通电压；对所述选中字线进行读操作，确定所述字线是否被编程成功；若所述读操作状态为编程失败，以设定步进值抬升当前编程电压值和导通电压值，返回执行所述读操作，直到所述读操作状态为编程成功为止。本发明实施例提供的一种NANDFLASH编程的防干扰方法，保证编程电压和导通电压之间合适的电压窗口，有效降低编程干扰和导通电压干扰。
一种 nandflash 编程干扰方法

[发明专利]非易失性记忆体的编程方法及装置-CN200510071981.X有效
发明人：廖意瑛;叶致锴;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-05-25 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：编程非易失性储存单元将受到编程干扰作用影响，其可引发非易失性记忆体的数据精确性问题。本发明乃是把电压施加于相邻非易失性储存单元，以利用了编程干扰作用的快速编程多个储存单元的优点，而并不是仅仅掩盖会引起编程干扰作用的电压条件。
非易失性记忆体编程方法装置

[发明专利]非易失性存储器中的编程抑制方案的选择性应用-CN200680016299.3有效
发明人：万钧;杰弗里·卢策;东谷正昭;格里特·简·赫民克;大和田健;陈健;杰弗里·S·冈韦尔 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-05-11 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：对非易失性存储器系统进行编程以便降低或避免编程干扰。根据一个实施例，针对单个非易失性存储器系统采用多种编程抑制方案。基于正被编程的字线来选择编程抑制方案。已经发现某些编程抑制方案能较好地最小化或消除选择字线处的编程干扰。在一个实施例中，选择编程抑制方案包括选择编程电压脉冲斜坡率。已经发现不同的斜坡率能在应用于选择字线时较好地最小化编程干扰。在另一实施例中，在编程操作之前或期间检测存储器系统的温度。可基于所述系统的温度来选择编程抑制方案。
非易失性存储器中的编程抑制方案选择性应用

[发明专利]通过检测自然阈值电压分布预告存储器中的编程干扰-CN201080028244.0有效
发明人：董颖达;辛西亚·许 -专利权人：桑迪士克技术有限公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：通过确定存储元件集合对编程干扰的敏感性(1404)和采取相应预防措施(1406，1408，1410，1412)在编程操作期间在非易失性存储系统中减小编程干扰，以在需要的情况下，减小编程干扰出现的可能性。在数据下部页的编程期间，通过跟踪编程为特定状态的存储元件、以及确定数量N1和数量N2＞N1的存储元件达到特定状态需要多少编程脉冲来确定存储元件集合的自然阈值电压分布。也可以使用温度和字线位置确定对编程干扰的敏感性。预防措施(1415)可以涉及使用较高通过电压(1416)、或者放弃数据上部页(1418)或整体块(1420)的编程。在一些情形中，编程在没有预防措施的情况下继续(1414)。
通过检测自然阈值电压分布预告存储器中的编程干扰

[发明专利]编程非易失性存储器的方法及装置-CN200710001470.X有效
发明人：施义德;许哲豪;王懿缔;李学仪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-01-08 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开解决编程干扰效应的各实施例，在受到编程干扰效应的存储单元中，在金属位线上施加强度介于编程电压及接地间的中等电压。
编程非易失性存储器方法装置

[发明专利]一种汽车总线网络管理自动化测试系统及方法-CN201910958278.2在审
发明人：黄树程;文姮婧;覃朗 -专利权人：广州汽车集团股份有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种汽车总线网络管理自动化测试系统及方法，所述系统包括可编程电源、可编程开关、待测件、总线干扰仪、示波器、CAN总线接口卡以及测试主机，其中测试主机包括电源控制模块、编程开关控制模块和总线干扰仪控制模块；可编程电源和可编程开关分别在电源控制模块和编程开关控制模块控制下，用于实现待测件进入休眠或者被唤醒；总线干扰仪直接与待测件连接，用于在总线干扰仪控制模块控制下，用于实现数据链路层测试；所述示波器与所述总线干扰仪连接
一种汽车总线网络管理自动化测试系统方法

[发明专利]在存储器设备中的编程恢复期间抑制编程干扰-CN201980079750.3在审
发明人：卢庆煌;张正义 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：在存储器设备中的编程操作的编程恢复阶段期间抑制编程干扰。当编程干扰的风险由于诸如温度、选定字线的位置、编程‑擦除循环的数量和编程脉冲量值的因素而更大时，可增大恢复阶段的持续时间。，通过相对于源极侧字线的电压的斜降提供漏极侧字线的电压的早期斜降、相对于选择栅极电压的斜降提供被抑制NAND串的位线电压的早期斜降、或者相对于漏极侧字线的恢复电压为源极侧字线设置较低的恢复电压，来降低编程干扰的风险
存储器设备中的编程恢复期间抑制干扰

[发明专利]多位半导体存储器的编程方法-CN201210082716.1在审
发明人：刘明;姜丹丹;霍宗亮;张满红;刘璟;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种多位半导体存储器的编程方法，应用于半导体存储器技术领域，本发明提供的编程方法通过优化对多位存储器编程的操作步骤，减小了存储器内部的存储单元，在编程操作时由于字线电压或位线电压导致的轻微编程的干扰，以及相邻存储单元电容耦合带来的编程干扰，提高了编程操作的精确度，同时由于有效减少了编程操作步骤，从而达到了提高编程操作速度的目的。
半导体存储器编程方法

[发明专利]编程电压调整方法-CN201410098305.0有效
发明人：钱亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明揭示了一种编程电压调整方法，包括设置一写入干扰电压值Vrtst，所述写入干扰电压值大于已定编程电压；检测所述写入干扰电压值是否适应于晶圆上的各个晶粒，并据此分别设置编程电压范围；将晶圆上的各个晶粒的编程电压分别对应调整到所述编程电压范围中这形成了一种动态的适应模式，从而在工艺上提高了编程电压的范围，并且，这对于某些具有较大工艺波动的产品而言，更具有适应性，能够使得检测良率提高，以提升产品的质量。
编程电压调整方法

[发明专利]测量NAND闪存器件中的通道升压电压的方法-CN200710090410.X无效
发明人：沈根守 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：在测量通道升压电压的方法中，在具有一定电平的传递电压被提供给擦除单元中的未选择单元的条件下，根据向选择单元施加的传递电压的变化来测量传递干扰的阈值电压。随后，在具有一定电平的编程电压被提供给擦除单元中的选择单元的条件下，根据向未选择单元施加的传递电压的变化来测量编程干扰的阈值电压。然后，通过使用当传递干扰的阈值电压与编程干扰的阈值电压相同时施加的传递偏压，来测量通道升压电压。结果，当执行编程操作时，通道升压电压被准确监视。因此，可以容易地检测编程干扰特性，并且同样可以容易地分析良率和故障。
测量 nand 闪存器件中的通道升压电压方法

[发明专利]检测编程操作对临近存储单元干扰的方法-CN201110391567.2有效
发明人：龙爽;陈岚;陈巍巍;杨诗洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明提供一种检测编程操作对临近存储单元干扰的方法，在对存储阵列的单元进行编程操作的同时，同时选通多根连续位线，测量与被编程存储单元的位线相邻的连续两根位线的电压，计算流过所述两根连续位线连接的存储单元的泄露电流，通过判断所述泄露电流是否大于预设电流值，可以检测与被编程存储单元临近的存储单元中原有的信息是否受到泄露电流的干扰。另外，如果测量与被编程存储单元的施加低电压的位线相邻的连续两根位线的电压，还可以检测被编程存储单元的编程速度是否受到泄露电流的干扰。
检测编程作对临近存储单元干扰方法

[发明专利]NAND闪存装置的编程方法-CN200980157733.3有效
发明人：三井田高;白田理一郎;荒川秀贵;杨青松;林宗霖 -专利权人：力晶股份有限公司;力晶科技股份有限公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种NAND闪存装置的编程方法，利用自升压方案来减少在禁止编程存储单元串的沟道中的过量的电子，这些电子会引起编程干扰。在对沟道升压之前，可以施加负电压到连接禁止编程存储单元串的字线，来启动上述的减少步骤，并且可以产生高的编程抗干扰性。另外，列译码器可以实现编程操作，并且文件系统以上述的编程方案为基础而实现增进文件管理的效能。
nand 闪存装置编程方法

[发明专利]一种考虑编程干扰的flash型FPGA布线方法-CN202210758633.3在审
发明人：曹正州;单悦尔;张艳飞;徐玉婷 -专利权人：无锡中微亿芯有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F30/347 文献下载
摘要：本申请公开了一种考虑编程干扰的flash型FPGA布线方法，涉及可编程逻辑器件技术领域，该方法在利用预设布线算法对用户输入网表中每个待布线网实施布线的过程中搜寻任意目的点时，从待布线网的源点开始，依据节点基于预设布线算法计算得到的布线代价分量以及节点对应的flash开关的编程代价选取扇出节点并依次展开搜寻，直到搜寻到目的点，每个flash开关的编程代价表征该flash开关在FPGA编程烧写过程中受到的编程干扰。该方法在常规的布线方法的基础上进行优化，在布线时即考虑了编程烧写过程带来的编程干扰，使得在按照设计结果制作flash型FPGA时仍然能满足时序要求，保证了整体电路性能。
一种考虑编程干扰 flash fpga 布线方法

[发明专利]减少读取期间的编程干扰的影响-CN200780009527.9有效
发明人：格里特·简·赫民克 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：未选定(或禁止的)非易失性存储元件在旨在编程另一非易失性存储元件的编程操作期间的非有意编程被称作“编程干扰”。提出一种用于编程及/或读取非易失性存储装置的系统，所述系统减少编程干扰的影响。在一个实施例中，在编程过程期间针对特定字线(或存储元件的其它分组)使用不同验证电平。在另一实施例中，在读取过程期间针对特定字(或存储元件的其它分组)使用不同比较电平。
减少读取期间编程干扰影响

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