“三井田高”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]NAND闪存装置的编程方法-CN200980157733.3有效
发明人： 三井田高;白田理一郎;荒川秀贵;杨青松;林宗霖 -专利权人：力晶股份有限公司;力晶科技股份有限公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种NAND闪存装置的编程方法，利用自升压方案来减少在禁止编程存储单元串的沟道中的过量的电子，这些电子会引起编程干扰。在对沟道升压之前，可以施加负电压到连接禁止编程存储单元串的字线，来启动上述的减少步骤，并且可以产生高的编程抗干扰性。另外，列译码器可以实现编程操作，并且文件系统以上述的编程方案为基础而实现增进文件管理的效能。
nand 闪存装置编程方法

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN200610171714.4有效
发明人： 三井田高 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种图像传感器，其包含衬底、包含多个像素的像素矩阵定义于该衬底上、光导层以及遮蔽电极依序设于各像素的像素电极、以及遮蔽电极位于任二相邻像素的像素电极之间，且遮蔽电极系列成网状物而设于个像素电极外围。
图像传感器及其制作方法

[发明专利]半导体存储器及其制造方法和驱动方法-CN01137865.4无效
发明人： 三井田高 -专利权人：伊诺太科株式会社
申请日： 2001-11-09 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种双位非易失可编程读/写存储器，包括半导体存储元件，该元件包括一导电类型半导体衬底21，其上形成有侧表面相对的凸状部分24a、在凸部两侧的衬底表面上形成的一对相反导电类型源/漏区23a、23b、覆盖凸部上表面的第一绝缘膜22a、覆盖凸部侧表面和源/漏区23a、23b的第二绝缘膜22、在凸部侧表面上分别设置的经由第二绝缘膜与侧表面和源/漏区相对的一对浮置栅27a、27b、在浮置栅上形成的第三绝缘膜29以及分别经由第一绝缘膜与凸部上表面相对和经由第三绝缘膜与浮置栅相对的控制栅30a。
半导体存储器及其制造方法驱动

[发明专利]把光学信号光学产生的电荷存储在固态成象装置中的方法-CN01102891.2无效
发明人： 三井田高 -专利权人：伊诺太科株式会社
申请日： 2001-02-22 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：把由光学信号光学产生的电荷存储在固态成象装置中的方法，包括：制备带有一个单元象素的固态成象装置，该单元象素包括光电二极管111和MOSFET 112，MOSFET 112带有用来存储在光电二极管111中光学产生电荷的载流子袋25，载流子袋25提供在源极区域16附近的沟道区域15c下；把光学产生电荷转移到载流子袋25及然后存储在其中，并把沟道区域15c保持在一种累积状态，从而光学产生电荷不受沟道区域15c中界面层的影响。
光学信号产生电荷存储固态成象装置中的方法

[发明专利]存储多位的晶体管以及制造包括它的半导体存储器的方法-CN200410001391.5无效
发明人： 三井田高;市之濑秀夫 -专利权人：伊诺太科株式会社
申请日： 2004-01-07 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：快速存储器，它包括形成于凸台(13a)的相对侧壁(13b)上且各通过隧道绝缘层(15a)面对一侧壁(13b)和源/漏区(BL1，BL2)之一的一对浮动栅(FG1，FG2)。此浮动栅(FG1，FG2)在垂直列向的方向上各具有基本呈方形的横剖面。此方形横剖面在两相连侧之一通过隧道绝缘层(15a)面对凸台(13a)的侧壁(13b)之一而在此两相邻侧之另一通过隧道绝缘层(15a)面对该源/漏区(BL1，BL2)，同时在又一侧则通过中间多晶绝缘层(15b)面对控制栅(CG)。
存储晶体管以及制造包括半导体存储器方法

[发明专利]固态成像器件及其制造方法和固态成像系统-CN00134461.7无效
发明人： 三井田高 -专利权人：伊诺太科株式会社
申请日： 2000-12-01 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种采用MOS图像传感器的固态成像器件，包括形成于一种导电类型的第一半导体层(12和32)中的相反导电类型的第二半导体层(15a)中的光电二极管，及形成于一种导电类型的第三半导体层(12)中相反导电类型的第四半导体层(15b)中、与光电二极管相邻的光信号检测绝缘栅场效应晶体管，其中在第四半导体层(15b)中提供载流子包(25)，第二半导体层(15a)下第一半导体层(12、32)的部分在深度方向比第四半导体层(15b)下的第三半导体层(12)的部分厚。
固态成像器件及其制造方法系统

[发明专利]检测光信号的方法-CN03142737.5无效
发明人： 三井田高 -专利权人：伊诺太科株式会社
申请日： 1998-12-18 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明是使用成象器件检测光信号的方法，该方法包括以下步骤：通过信号光在光电二极管的阱区(15)中产生光生空穴，通过大部分阱区(15)把光生空穴转移到形成在源区(16)附近的阱区(15)中的重掺杂掩埋层(25)中，重掺杂掩埋层(25)用比绝缘栅FET的阱区(15)重的杂质掺杂，在重掺杂掩埋层(25)中储存光生空穴，由此与光生电荷的量相对应改变FET的阈值电压，读取阈值电压的变化，作为被光传感器接收的信号光的量。
检测信号方法

[发明专利]固态成象器件和使用该器件检测光信号的方法-CN98125340.7无效
发明人： 三井田高 -专利权人：伊诺太科株式会社
申请日： 1998-12-18 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明是使用成象器件检测光信号的方法，该方法包括以下步骤：通过信号光在光电二极管的阱区(15)中产生光生空穴，通过大部分阱区(15)把光生空穴转移到形成在源区(16)附近的阱区(15)中的重掺杂掩埋层(25)中，重掺杂掩埋层(25)用比绝缘栅FET的阱区(15)重的杂质掺杂，在重掺杂掩埋层(25)中储存光生空穴，由此与光生电荷的量相对应改变FET的阈值电压，读取阈值电压的变化，作为被光传感器接收的信号光的量。
固态成象器件使用检测信号方法

[发明专利]半导体器件和采用该半导体器件的半导体存储器-CN03128647.X无效
发明人： 三井田高 -专利权人：伊诺太科株式会社
申请日： 2003-03-27 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一单元晶体管(TC)包括被形成在一个比它的沟道区低的层次上的源/漏区(BL)。一选择晶体管(STE)具有被形成在与该单元晶体管(TC)的源/漏区(BL)基本相同的层次上的沟道区和源/漏区。单元晶体管(TC)的源/漏区(BL)其中之一与选择晶体管(STE)的源/漏区其中之一被在基本上相同的平面上彼此电气互连。
半导体器件采用半导体存储器

[发明专利]固态成像设备及其激励方法-CN01101278.1无效
发明人： 三井田高 -专利权人：伊诺太科株式会社
申请日： 2001-01-05 - 公布日： 2001-07-18 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态成像设备,包括一个单位像素,该单位像素包括一个光电二极管和一个用于光信号检测的MOS晶体管,MOS晶体管设有高密度埋层,用于存储在光电二极管中由光辐照生成的光照生成电荷,纵向扫描信号驱动扫描电路用于输出一个扫描信号到栅极,以及升压扫描电路用于输出一个高于电源电压的升压到源区。升压从该升压扫描电路被施加到源区,存储在高密度埋层中的光照生成电荷通过由该升压增高的源电压和栅压被从高密度埋层中清除。
固态成像设备及其激励方法

1
共 10 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top