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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅单晶基板的制造方法及硅单晶基板-CN202180051548.7在审
发明人： 曲伟峰;井川静男;砂川健 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶基板的制造方法，其为在表面具有碳扩散层的硅单晶基板的制造方法，其包含：通过在含碳气体气氛中对硅单晶基板进行RTA处理，使碳附着于所述硅单晶基板的表面的工序；使所述碳与所述硅单晶基板反应，从而在所述硅单晶基板的表面形成3C‑SiC单晶膜的工序；通过在氧化性气氛中对形成有所述3C‑SiC单晶膜的硅单晶基板进行RTA处理，将所述3C‑SiC单晶膜氧化而制成氧化膜并同时使碳在所述硅单晶基板中向内扩散的工序；及去除所述氧化膜的工序。由此，提供具有近邻吸杂能力且表面附近的强度高、不易发生位错或位错不易扩展的硅单晶基板及其制造方法。
硅单晶基板制造方法

[发明专利]气相生长用的单晶硅基板、气相生长基板以及这些基板的制造方法-CN202180028335.2在审
发明人：土屋庆太郎;筱宫胜;曲伟峰 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是气相生长用的单晶硅基板，所述单晶硅基板由电阻率为1000Ωcm以上的FZ结晶构成，所述单晶硅基板的表面具备厚度为10～100μm的高氮浓度层，所述高氮浓度层的氮浓度比其他区域高，且氮浓度为5×1015atoms/cm3以上。由此，提供用于抑制翘曲异常及接合不良的发生的、不易塑性变形的气相生长用的单晶硅基板。
相生单晶硅长基板以及这些制造方法

[发明专利]碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法-CN202080046408.6在审
发明人： 曲伟峰;井川静男;砂川健 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B31/06 文献下载
摘要：本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序；在进行所述第二RTA处理后，冷却所述单晶硅晶圆的工序；及在进行所述冷却后，进行第三RTA处理的工序，通过这些工序，将所述单晶硅晶圆改质成从表面侧起依次具有3C‑SiC单晶层、碳析出层、间隙碳与硅的扩散层、及空位与碳的扩散层。由此，提供可通过将单晶硅晶圆的表层的碳浓度设定为高浓度、并使表面的碳浓度分布均匀而提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
掺杂单晶硅及其制造方法

[发明专利]单晶硅晶圆的制造方法及单晶硅晶圆-CN202080028464.7在审
发明人： 曲伟峰;井川静男 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明为单晶硅晶圆的制造方法，其为适合于多层结构器件的单晶硅晶圆的制造方法，其中，通过使用氧浓度为12ppma(JEITA)以上的NV区域的单晶硅晶圆，并进行含氮氛围下且温度为1225℃以上的RTA处理、镜面抛光加工处理及BMD形成热处理，从而制造自单晶硅晶圆的表面起至少依次具有厚度为5～12.5μm的DZ层、及位于该DZ层正下方且BMD密度为1×1011/cm3以上的BMD层的单晶硅晶圆。由此，提供一种适合于多层结构器件的单晶硅晶圆的制造方法，该单晶硅晶圆能够在形成器件时在表层部正下方吸收硅晶圆表面受到的应力，用BMD层吸收应变引起的缺陷，可提升器件形成区域的强度并抑制表层中的位错的产生、伸长。
单晶硅制造方法

[发明专利]半导体基板的制造方法、SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆-CN202110442064.7在审
发明人： 曲伟峰;井川静男;砂川健 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可在单晶硅基板上形成低缺陷、高结晶性、厚膜的SiC单晶膜的半导体基板的制造方法。所述半导体基板的制造方法为表面具有SiC单晶膜的半导体基板的制造方法，其包括：使碳附着于单晶硅基板的表面的工序；使附着了所述碳的所述单晶硅基板的表面碳化而形成SiC单晶底层膜的工序；在所述SiC单晶底层膜上形成非晶硅膜的工序；以所述SiC单晶底层膜为晶种，通过固相生长将所述非晶硅膜制成SiC单晶膜的工序。
半导体制造方法 soi 晶圆

[实用新型]一种计算机USB接口防脱落装置-CN202120085963.1有效
发明人： 曲伟峰 -专利权人：辽宁轻工职业学院
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01R13/639 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种计算机USB接口防脱落装置，包括机箱，所述机箱侧壁靠近顶部位置均匀设置有若干端口且若干端口均配套设置有套筒。本实用新型中，通过设置矩形通槽、滑条、滑槽、连接杆、半圆环和内螺纹孔，当设备与端口连接时，通过抽动滑条实现滑条在矩形通槽内滑动，当第一转轴经过开口脱离滑槽时，便于人员通过第二转轴与滑块的转动连接实现滑条的角度调节，进而便于人员通过现有的塑料螺栓与内螺纹孔螺纹连接实现两个半圆环连接，进而实现设备连接线的夹紧固定，防止人员在拔插端口连接线时，带动其他端口的连接线晃动。
一种计算机 usb 接口脱落装置

[外观设计]药理学教学模型-CN202030604742.1有效
发明人：赵韡;赵璐;陈萌;蔚晓晖;全碧波;曲伟峰 -专利权人：南阳医学高等专科学校
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： 19-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：药理学教学模型。2.本外观设计产品的用途：用于药理学教学时使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
药理学教学模型

[发明专利]碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法-CN202010617597.X在审
发明人： 曲伟峰;井川静男;砂川健 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atoms/cm3以上。由此，提供一种通过使单晶硅晶圆的表层的碳浓度为高浓度，且使表面的碳浓度分布均匀，从而能够提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
掺杂单晶硅及其制造方法

[发明专利]单晶硅晶圆的热处理方法-CN201880089052.7在审
发明人： 曲伟峰;砂川健;中杉直 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明为一种单晶硅晶圆的热处理方法，其为在氮化性气氛下对Nv区域的单晶硅晶圆进行RTA热处理后，进行第二热处理而将BMD密度控制至规定的BMD密度的热处理方法，所述单晶硅晶圆的热处理方法中，预先求出BMD密度与RTA温度的关系的关系式，根据所述关系式，确定用于得到所述规定的BMD密度的RTA温度。由此，提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其用于制造表面无缺陷且在块体部分具有规定的BMD密度的退火晶圆及外延晶圆。
单晶硅热处理方法

[实用新型]一种用于台式电脑的理线装置-CN201922145743.9有效
发明人： 曲伟峰 -专利权人：辽宁轻工职业学院
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B65H75/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于台式电脑的理线装置，包括理线筒，所述理线筒的内部设有活塞，所述活塞的底端中间部位固定连接有细绳，所述活塞的上端固定连接有圆桶，所述圆桶的外侧壁依次固定连接有圆形隔板，所述每相邻的两个圆形隔板之间设有理线层，所述理线筒的外侧壁两侧分别设有置线槽，所述理线筒的外侧壁上端一侧固定连接有固定块，所述固定块的中间部位设有圆柱形滑槽，所述固定块的上方设有L形挡块，所述理线筒的外侧壁底端一侧固定连接有固定板，所述固定板的中间部位设有圆孔，所述圆孔内贯穿有螺钉，所述圆桶的上端中间部位固定连接有铁环。本实用新型结构简单操作方便，值得推广使用。
一种用于台式电脑线装

[发明专利]单晶硅晶圆的热处理法-CN201580056672.7有效
发明人： 曲伟峰;田原史夫;樱田昌弘;高桥修治 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。
单晶硅热处理

[发明专利]一种平煤装置-CN202010324138.2在审
发明人：肖雪;梁建文;郭世江;纪永涛;张友;牛永剑;党超;曲伟峰 -专利权人：中车太原机车车辆有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B65G69/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种平煤装置，包括主立柱、副立柱、辅助立柱和横梁；主立柱和辅助立柱均位于轨道的一侧且沿平行于轨道方向依次设置，副立柱设于轨道的另一侧且与主立柱相对设置；主立柱的顶端设有旋转驱动机构，横梁的一端与旋转驱动机构连接，旋转驱动机构驱动横梁绕主立柱在水平面旋转；辅助立柱的顶端设有第一匚形卡槽，副立柱的顶端设有第二匚形卡槽，第一匚形卡槽和第二匚形卡槽均用于锁定横梁的自由端；横梁的底部设有大翻板和小翻板，小翻板设于大翻板的正下方，大翻板的一端和小翻板的一端均与横梁的底部铰接，横梁上设有用于驱动大翻板上下翻转的第一驱动机构，大翻板的上表面设有用于驱动小翻板上下翻转的第二驱动机构。
一种装置

[实用新型]一种铁路车辆全开式顶盖缓冲锁紧装置及铁路车辆-CN201921743751.7有效
发明人：米文娟;张小明;牟文博;席艳丽;曲伟峰;赵祖兴;刘文胜;谢剑锋 -专利权人：中车太原机车车辆有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B61D39/00 文献下载
摘要：一种铁路车辆全开式顶盖缓冲锁紧装置及铁路车辆，其中，顶盖的一端转动连接于车体上，该缓冲锁紧装置包括：顶杆，顶杆的一端转动连接于顶盖内侧；伸缩杆，伸缩杆的一端转动连接于顶盖内侧，伸缩杆的另一端转动连接于顶杆的另一端；弹簧，弹簧套设于伸缩杆上；在顶盖关闭过程中，顶杆能够被弹簧压紧于车体。本实用新型涉及的铁路车辆全开式顶盖缓冲锁紧装置，弹簧受压能够在顶盖在关闭的时候起到缓冲作用，并在顶盖完全关闭对顶盖形成锁紧，防止意外开启和铁路车辆运行过程中的震动导致的顶盖晃动。
一种铁路车辆全开顶盖缓冲装置

[实用新型]一种鼠用灌胃器-CN201920179836.0有效
发明人：张珊;张婷;曲伟峰;陈萌;王中晓;华春秀;薛娣 -专利权人：南阳医学高等专科学校
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： A61D7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种鼠用灌胃器，包括注射器和气针，所述气针的输入端与注射器的输出端相连，所述气针的输出端为弧形。本实用新型的一个技术效果在于，本实用新型在使用时能够减少不规范操作进入气管造成小白鼠的死亡，并减低使用成本。
一种鼠用灌胃器

[实用新型]一种用于笔记本外壳的冷却装置-CN201922145785.2有效
发明人： 曲伟峰 -专利权人：辽宁轻工职业学院
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于笔记本外壳的冷却装置，包括水箱，所述水箱内盛放有冷却水，所述水箱的底壁一侧放置有水泵，所述水箱的上方设有冷却架，所述冷却架的底端与水箱的上端固定连接，每层的顶端与下端分别放置有S形冷却管，所述冷却架的一侧设有回水管，所述S形冷却管之间设有冷却室，所述水箱的一侧设有固定底座，所述固定底座的上端中间部位固定连接有支柱，所述支柱的上端设有保护罩，所述保护罩的一端固定连接有梯形罩，所述保护罩的内部设有负压泵，所述梯形罩的内部设有喷嘴。本实用新型可以同时快速地冷却多个笔记本外壳，操作简单且工作效率高，值得推广使用。
一种用于笔记本外壳冷却装置

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