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- [发明专利]芯片键合装置及键合方法-CN202310561804.8在审
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王中琪;叶国梁;宋胜金
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2023-05-16
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2023-08-01
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H01L21/683
- 本发明涉及一种芯片键合装置及键合方法。所述芯片键合装置中，键合头的下表面采用柔性材料形成，并且在键合头内设置有用于控制所述柔性材料变形的驱动结构，利用所述驱动结构，键合头的下表面在平面状态下与芯片键合，并在与芯片键合之后键合头的下表面转变为弧面，在使芯片与键合对象表面键合时，芯片在下表面为弧面状态下与键合对象表面接触，便于使得芯片的下表面与键合对象通过点接触和键合波扩散的方式完成键合，可降低键合面形成封闭气泡以及错位的风险，提高键合质量。所述驱动结构可根据芯片的具体厚度使键合头形成相应的变形量，所述芯片键合装置对要键合的芯片的厚度要求较低，可用于键合不同厚度的芯片。
- 芯片装置方法
- [发明专利]键合装置及键合方法-CN202210459985.9在审
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郭万里;周云鹏
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2022-04-24
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2022-08-12
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H01L21/60
- 本发明涉及一种键合装置及键合方法。所述键合装置包括具有空腔的键合头，所述空腔由键合头的底壁和侧壁围成，所述键合头的底壁用于吸附待键合的芯片，并将该芯片的下表面与一键合对象的上表面贴合，在进行贴合前，对所述空腔施加压力使所述键合头底壁变形，所述芯片的下表面的中间区朝向键合对象拱起，在进行贴合时，所述芯片的下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。所述键合方法在将芯片和键合对象贴合时，使所述芯片下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。相对于芯片下表面整体与键合对象直接接触，可以避免形成封闭气泡，降低键合面处出现空洞缺陷的概率，提升键合质量。
- 装置方法
- [发明专利]芯片晶圆键合结构及键合方法-CN202310579092.2在审
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蓝天;丁潇
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芯盟科技有限公司
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2023-05-19
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2023-08-22
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H01L23/485
- 本发明提供一种芯片晶圆键合结构及键合方法。所述芯片晶圆键合结构包括：基底晶圆，具有第一表面，在所述第一表面设置有第一键合柱；键合层，位于所述基底晶圆的第一表面，所述键合层包括至少一键合槽，所述第一键合柱位于所述键合槽底部；至少一芯片，位于所述键合槽内，所述芯片朝向所述基底晶圆的表面具有第二键合柱，所述第一键合柱与所述第二键合柱键合连接。上述技术方案通过设置所述键合层及键合槽，在晶圆键合时无需对准晶圆标记，仅需将所述芯片放置于所述键合槽中，并在所述基底晶圆及所述芯片的表面设置所述第一键合柱及所述第二键合柱，通过所述第一键合柱及所述第二键合柱完成所述基底晶圆及所述芯片的键合，提高键合效率。
- 芯片晶圆键合结构方法
- [发明专利]一种晶圆键合方法及系统-CN202211547314.4在审
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宋胜金;叶国梁;胡胜
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2022-12-02
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2023-03-14
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H01L21/67
- 本申请公开了一种晶圆键合方法及系统，该晶圆键合方法包括：将第一键合基体设置于第一承载件上，将第二键合基体设置于第二承载件上，第一键合基体有第一键合表面，第二键合基体有第二键合表面，第一键合表面和第二键合表面相对设置；将第一键合基体与第二键合基体在第一方向上对位后，获得第一键合基体和/或第二键合基体在与第一方向垂直的第二方向上的第一位置信息；基于第一位置信息调整第一键合基体和/或第二键合基体在第二方向上的位置，使得第一键合基体与第二键合基体在第二方向上的距离为预设值；使第一键合基体与第二键合基体键合。通过上述方式，可以利用现有的数据获取组件，稳定键合前两个键合表面之间的距离，提高键合质量。
- 一种晶圆键合方法系统
- [发明专利]键合技术的键合能测试方法-CN202111314371.3在审
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余汇宇;刘武
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长江存储科技有限责任公司
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2021-11-08
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2022-03-29
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G01N3/08
- 本申请实施例公开了键合技术的键合能测试方法，包括如下步骤：提供键合样品，键合样品包括互相键合的第一键合部以及第二键合部，第一键合部包括相背的第一表面和第二表面，第二键合部位于第二表面的中部；对键合样品施加压力：在第一表面向第一键合部施加第一压力；同时，在第二表面或者在第一键合部的周侧面向第一键合部施加多个第二压力；记录第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时，对应的第一压力与第二压力；根据裂纹的长度、第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时对应的第一压力以及第二压力，计算键合能；通过控制第一压力与第二压力的大小可以降低键合样品破碎的风险，进而为晶圆的质量提供可靠保障。
- 技术键合能测试方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911122031.3有效
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刘琦;邹文
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2019-11-15
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2021-08-20
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H01L21/18
- 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：对用于键合的晶圆上的表面氧化层进行平坦化，并在所述表面氧化层的表面上形成键合界面层；湿法清洗所述键合界面层的表面；检测所述键合界面层的表面上的缺陷是否在规格以内，若所述键合界面层的表面上的缺陷未在规格以内，则去除所述键合界面层或者去除所述键合界面层和部分厚度的所述表面氧化层；循环执行上述步骤，直至形成的新的键合界面层的表面上的缺陷在规格以内；将至少两片所述晶圆进行键合，以形成晶圆键合结构。本发明的技术方案使得至少两片晶圆键合形成的晶圆键合结构的键合界面上的缺陷得到改善，进而使得产品良率得到提高。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]一种键合设备及键合方法-CN202210228293.3有效
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郑丽和;赵建斌;杨洁
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云南大学
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2022-03-10
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2023-03-24
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B32B37/00
- 本发明提供一种键合设备和键合方法，涉及键合设备技术领域，键合设备包括：供给片传输系统、键合片传输系统、键合系统和表面活化系统；供给片传输系统用于向键合系统内传输供给片，键合片传输系统用于向键合系统内传输键合片；表面活化系统通过高能光源对供给片和键合片的待键合面进行表面活化处理；键合系统用于将经过活化的键合片键合于经过活化的供给片上并形成半成品片或成品片；表面活化系统还能够通过高能光源对半成品片的待键合面进行活化，键合系统还用于将经过活化的键合片键合于经过活化的半成品片上。本发明提供的方案适用于需多层键合完成的复合材料，制备周期短、效率高且便于对热膨胀系数差异较大的材料进行键合。
- 一种设备方法
- [发明专利]一种键合结构及键合方法-CN202111570265.1在审
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王友良;杨清华
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苏州汉天下电子有限公司
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2021-12-21
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2022-03-25
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H01L23/488
- 本公开内容公开了一种键合结构，包括第一键合层和第二键合层，其中，所述第一键合层包括第一键合表面；所述第一键合表面包括具有突起结构的第一锁定结构；所述第二键合层包括第二键合表面；所述第二键合表面包括具有空腔结构的第二锁定结构，所述空腔结构与所述突起结构对应，并且用于容纳所述突起结构；以及所述第一锁定结构和所述第二锁定结构在键合时形成互锁结构。本公开内容的键合结构能够承受较大键合压力，在降低键合压力敏感度的同时，能有效提高键合质量和牢固程度，在半导体领域具有广阔的应用前景。
- 一种结构方法
- [发明专利]键合头、键合装置和键合方法-CN202211506940.9在审
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龙俊舟;陶超;王力
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2022-11-28
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2023-05-05
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H01L21/603
- 本申请提供一种键合头、键合装置键合方法。键合头包括键合块，键合块的底面包括第一区域和第二区域，第一区域包括键合块的底面的中心区域，第二区域环绕第一区域，第一区域中设置有第一压力施加装置的至少部分，第二区域中设置有吸附第一键合对象的第二压力施加装置的至少部分在进行贴合时，吸附在键合块的底面上的第一键合对象下表面的拱起的中间区域先于第一键合对象下表面的边缘区域贴合第二键合对象的上表面，且第一压力施加装置从第一工作状态切换至第二工作状态，以使第一键合对象下表面的拱起的中间区域逐渐恢复形变，第一键合对象的下表面和第二键合对象的上表面依次贴合，从而将第一键合对象和所述第二键合对象键合在一起。
- 键合头装置方法
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