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[发明专利]传感器晶圆级测试方法-CN202010359938.8在审
发明人：邹桂明;常兵;杭晓宇;齐和峰;邵春健 -专利权人：江苏七维测试技术有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种传感器晶圆级测试方法，涉及半导体测试领域，旨在解决传感器的晶圆测试时容易碎的问题，其技术方案要点是：一种传感器晶圆级测试方法，包括预制：准备一假片，贴在晶圆背面用于增加晶圆厚度；检测；取片：将假片与晶圆剥离。本发明的一种传感器晶圆级测试方法能够降低晶圆在测试过程中破碎的情况发生，节约测试成本，避免经济损失。
传感器晶圆级测试方法

[发明专利]一种高散热性能的晶圆级扇出封装方法及结构-CN202110649671.0在审
发明人：王波;葛迎飞;张荣臻 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种高散热性能的晶圆级扇出封装方法及结构，属于晶圆级封装领域。提供功能芯片，在其背面居中贴装散热片；用封装材料封装所述功能芯片和所述散热片；在所述功能芯片的正面制作金属连接线、介质层；对封装材料进行研磨至露出所述散热片，制作引出管脚，再进行切割得到单颗电路，构成完整的晶圆级封装体本发明的高散热性能的晶圆级扇出封装结构，适用于晶圆级扇出封装，不仅能够保障封装整体的结构强度，也能满足部分芯片背面要接地的需求；有效提高了晶圆级封装中的功能芯片散热性能，有效解决了传统晶圆级封装中芯片散热性能差的问题
一种散热性能晶圆级扇出封装方法结构

[发明专利]一种航天太阳能二极管晶圆片模组多焊点焊接工艺-CN202311085373.9在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：江苏欣恒蕴精密零件有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能二极管晶圆片模组焊接技术领域，具体为一种航天太阳能二极管晶圆片模组多焊点焊接工艺，通过隔离工装同时对多个一级银箔进行放置，同时利用盖板将一级银箔在一级放料槽的内部压住，保证一级银箔在下工装上放置的稳定性，从而提高后续对一级银箔与二极管晶圆片以及二级银箔的焊接精度，利用锡膏对二极管晶圆片与一级银箔之间进行连接后，通过在二极管晶圆片与一级银箔的连接处粘贴一层绝缘胶带，再将产品的二级银箔与二极管晶圆片的上表面进行连接，在对隔离工装内部的产品进行加热处理时，通过压料杆减小产品的形变量，保证产品在焊接加工后的质量，利用隔离工装辅助焊接有效提高航天太阳能二极管晶圆片模组多焊点的焊接效率。
一种航天太阳能二极管晶圆片模组多焊点焊接工艺

[发明专利]用于晶圆级扇出封装的圆片结构及采用该圆片结构的晶圆级扇出封装工艺-CN201811395095.6在审
发明人：王剑峰;明雪飞;吉勇;高娜燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于晶圆级扇出封装的圆片结构及采用该圆片结构的晶圆级扇出封装工艺，属于集成电路封装的技术领域。所述用于晶圆级扇出封装的圆片结构，其特征是：包括金属框架结构、芯片和塑封料，所述金属框架结构和芯片塑封于塑封料中；所述金属框架结构采用封闭的框架结构，金属框架结构包围芯片。采用上述圆片结构的晶圆级扇出封装工艺，包括以下步骤：（1）基板上贴装临时键合膜；（2）在临时键合膜上贴装金属框架结构；（3）贴装芯片；（4）晶圆级注塑重构；（5）去除基板及临时键合膜；（6）晶圆级再布线
晶圆级圆片结构金属框架结构扇出封装工艺临时键合贴装芯片封装塑封料基板集成电路封装注塑可靠性问题金属框架框架结构成品率再布线偏移划片埋置翘曲塑封植球重构去除包围封闭

[发明专利]晶圆级扇出封装的圆片结构及采用该圆片结构的晶圆级扇出封装工艺-CN201811469838.X在审
发明人：王剑峰;明雪飞;吉勇;高娜燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级扇出封装的圆片结构及采用该圆片结构的晶圆级扇出封装工艺，属于晶圆级封装技术领域。所述晶圆级扇出封装的圆片结构，包括金属框架单元、芯片和塑封料，所述金属框架单元包括主框架和连脚，连脚设置于主框架的四周；所述主框架采用封闭的框架结构，主框架包围芯片。所述的晶圆级扇出封装工艺，包括以下步骤：（1）基板上贴装临时键合膜；（2）在临时键合膜上贴装金属框架结构；（3）贴装芯片；（4）将金属框架结构和芯片注塑在一起，得到圆片结构；（5）去除基板及临时键合膜；（6）晶圆级再布线；（7）植球；（8）划片。
圆片结构晶圆级扇出主框架金属框架结构封装工艺临时键合芯片贴装封装注塑金属框架单元塑封料基板晶圆级封装框架结构芯片偏移再布线划片植球种晶去除流淌包围抵抗封闭

[发明专利]一种晶圆级白光LED芯片的切割方法-CN201310749016.8在审
发明人：封波;刘乐功 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级白光LED芯片的切割方法，包括通过衬底转移工艺制备垂直结构的GaNLED晶圆片，激光切割晶圆片正面的切割道，形成凹槽，在晶圆片上涂布一荧光胶层并烘烤固化，对晶圆片背面减薄并蒸镀背金层，刀片背切晶圆片，切割位置与正面的凹槽相对应，沿晶圆片的凹槽进行劈裂，获得单颗白光LED芯片。本发明可以很顺利地实现晶圆级白光LED芯片的分离，不会破坏LED芯片表面的荧光胶层，避免了传统切割工艺带来的破损、崩裂现象，提高了白光LED的生产良率。
一种晶圆级白光 led 芯片切割方法

[发明专利]一种晶圆级掩模版及电镀工艺-CN202210000261.8在审
发明人：武吉龙;邱宗德;郭佳衢;起江 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-01-03 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种尺寸大于晶圆片的晶圆级掩模版，其具有器件图形区、包围器件图形区且直径小于晶圆片的环状保护区，及设于环状保护区外围用于将掩模版固设于光刻机曝光光路上的支撑区；使用该掩模版的电镀工艺为：在晶圆片表面旋涂负性或正性光阻，洗边后使用晶圆级掩模版进行曝光、显影，在环状保护区下方形成包围器件图形层且直径小于晶圆片的环状光阻层；将晶圆片转移至电镀机台，电镀机台的密封压环压接于环状光阻层后，向器件图形层通入电镀液，电镀完成后排出电镀液、移除光阻层，获得具有器件电镀层的晶圆片，本工艺利用晶圆级掩模版曝光显影形成的环状光阻层与密封压环紧密接合，有效避免晶圆片边缘漏出电镀液对后续制程造成影响，提升产品良率。
一种晶圆级掩模版电镀工艺

[发明专利]一种晶圆级真空封装的IR FPA器件及其制造方法-CN201210088348.1有效
发明人：欧文;蒋文静 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级真空封装的IRFPA器件及其制造方法，采用2片晶圆键合的方式来实现红外探测器的制作及实现其晶圆级封装，把CMOSIC与MEMS器件分开制作，既实现与CMOSIC的集成，又增加MEMS红外探测器器件制作的灵活性，又能同时实现晶圆级封装。本发明的优点是：通过在一片晶圆上制作CMOS读出电路和共振吸收结构的反光板，利用另外一片晶圆制造IRFPA的MEMS结构部分，同时利用这片晶圆做IRFPA的红外光窗，既利用共振吸收结构提供了红外IRFPA器件的红外吸收效率，同时实现IRFPA器件的晶圆级封装，有利于减小IRFPA器件的尺寸和降低制作成本。
一种晶圆级真空封装 ir fpa 器件及其制造方法

[发明专利]晶圆级镜头模组阵列组装结构、镜头模组及其生产方法-CN202110072223.9有效
发明人：李凡月;黄伟;沈宝良 -专利权人：拾斛科技（南京）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G02B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级镜头模组阵列组装结构、镜头模组及其生产方法，该组装结构包括堆叠在一起的多层晶圆级镜头阵列，晶圆级镜头阵列包括晶圆基板以及在晶圆基板上呈阵列排布的镜头单元，相邻两层晶圆级镜头阵列之间通过胶水粘接固定或分别通过胶水粘接固定于同一晶圆间隔片的两侧，镜头单元周围环绕布置若干个点胶槽，相邻点胶槽之间通过容胶导流槽连通，点胶槽和容胶导流槽组成包围镜头单元的封闭容胶空间，将胶水填充于该封闭容胶空间内粘接两层晶圆级镜头阵列或分别粘接两层晶圆级镜头阵列于晶圆间隔片的两侧采用该组装结构可避免晶圆级镜头阵列之间采用胶接固定时在胶接面出现气泡空腔，提高镜头组件的生产良率。
晶圆级镜头模组阵列组装结构及其生产方法

[发明专利]圆片级封装工艺晶圆减薄结构-CN201410034804.3在审
发明人：施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种圆片级封装工艺晶圆减薄结构，包括：晶圆，多个芯片，导电凸点；各所述芯片在所述晶圆一面呈阵列分布；所述导电凸点形成于所述芯片远离所述晶圆的表面；所述晶圆未形成有所述芯片的一面具有周边厚中间薄的环状结构本发明提供的圆片级封装工艺晶圆减薄结构，实现了同样功能的半导体器件圆片封装的单体芯片厚度越来越薄的目标，并且更重要的是实现了晶圆背部减薄后只有微小翘曲的目标。
圆片级封装工艺晶圆减薄结构

[发明专利]一种晶圆级系统封装方法以及封装结构-CN201810070261.9有效
发明人：刘孟彬 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级系统封装方法以及封装结构，所述方法用于将至少两片形成有芯片的晶圆沿上下堆叠的方向，堆叠接合在一起，包括：将需要接合在一起的两片所述晶圆相接合；在所述接合之后，形成插塞，与两片所述晶圆中的芯片电连接本发明的晶圆级系统封装方法，使用晶圆级封装和系统封装方法相结合，同时实现了多种芯片的集成和在晶圆上完成封装制造的优势，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求由本发明的晶圆级系统封装方法制备获得的封装结构同样具有更高的性能和良率。
一种晶圆级系统封装方法以及结构

[发明专利]埋入硅基板扇出型封装方法-CN201510861886.3有效
发明人：于大全;翟玲玲 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种埋入硅基板扇出型封装方法，首先，在晶圆级水平将芯片埋入到硅基板圆片上，然后，在扇出工艺过程中，将若干硅基板圆片贴在一块面板上进行面板级封装，最后，在晶圆级水平进行凸点制备或植焊球；本发明先芯片埋入到硅基板圆片上再进行面板级封装在面板级工艺过程中激光直接曝光时，通过每个晶圆分别进行对准调整，提高了整体的对准精度，有利于细节距焊盘芯片的扇出封装加工。从晶圆级封装到面板级封装的过程，结合了晶圆级封装金属布线线宽/线距小、精度高的优势和面板级封装倍增的封装数量，明显提高了封装质量及效率，大大降低了封装成本。
埋入硅基板扇出型封装方法

[实用新型]光电传感器的系统级封装、心率传感器及可穿戴设备-CN201920948573.5有效
发明人：王文涛;方华斌;王德信;张硕 -专利权人：青岛歌尔智能传感器有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光电传感器的系统级封装、心率传感器及可穿戴设备，包括具有光学窗口的封装壳体，还包括堆叠在封装壳体内的至少一个功能晶圆裸片，以及堆叠在所述功能晶圆裸片上的光电传感器晶圆裸片；还包括将光电传感器晶圆裸片、功能晶圆裸片封装在所述封装壳体内的透光封装体。本实用新型的系统级封装，减少了零部件占用整机的空间，同时可按照客户整机ID、算法及光路设计需求自由调整系统级封装、LED的个数和位置。
晶圆裸片光电传感器系统级封装本实用新型封装壳堆叠整机体内可穿戴设备透光封装体心率传感器封装壳体光路设计光学窗口自由调整算法封装零部件占用客户

[发明专利]一种晶圆级封装体和芯片封装体-CN202010501964.X在审
发明人：张文斌 -专利权人：厦门通富微电子有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆级封装体和芯片封装体，该晶圆级封装体包括：承载片、晶圆和再布线层，其中，晶圆位于承载片一侧，晶圆上包含多个芯片，芯片功能面上设有多个焊盘，且每个芯片的功能面朝向承载片，晶圆远离承载片的一侧设有多个第一凹槽，分属于不同芯片的相邻的至少两个焊盘具有从同一个第一凹槽中露出区域；再布线层位于晶圆远离承载片的一侧，且至少部分再布线层与从第一凹槽内露出的焊盘电连接。通过上述方式，本申请所提供的晶圆级封装体上的第一凹槽横跨两个芯片上相邻的焊盘，第一凹槽的尺寸较大使得在开设第一凹槽时，能够降低对精度的要求，减小芯片在加工过程中断裂的风险。
一种晶圆级封装芯片

[发明专利]MEMS圆片级封装的划片方法-CN201510180002.8在审
发明人：任霄峰;胥超;杨志;徐永青;杨拥军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS圆片级封装的划片方法，涉及微电子机械加工方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在第一晶圆的背面制备划片标记，正面进行常规的MEMS加工工艺，完成圆片级MEMS结构阵列的制备；将上述圆片级MEMS结构阵列与载有相应微腔结构的第二晶圆进行对准键合，从而进行圆片级封装；通过DRIE刻蚀工艺完成MEMS芯片的输入输出端口的制备，刻蚀的同时完成切割槽的制备；沿第一晶圆背面的划片标记进行划片。
mems 圆片级封装划片方法

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