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[发明专利]单片集成的垂直JFET和肖特基二极管-CN201280059729.5在审
发明人：伊舍克·C·克孜勒亚尔勒;聂辉;安德鲁·P·爱德华兹;林达·罗马诺;大卫·P·布尔;理查德·J·布朗;托马斯·R·普朗蒂 -专利权人：阿沃吉有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种包括垂直第III族氮化物FET和肖特基二极管的集成器件，包括：包含第一第III氮化物材料的漏极；耦合到漏极并且沿着垂直方向设置为相邻于漏极的包含第二第III族氮化物材料的漂移区；以及耦合到漂移区的包含第三第III族氮化物材料的沟道区。沟道区沿着垂直方向设置在漏极与源极之间使得在垂直第III族氮化物FET和肖特基二极管的操作期间电流流动沿着垂直方向。
单片集成垂直 jfet 肖特基二极管

[发明专利]三族氮化合物半导体发光二极管及其制造方法-CN200810002965.9有效
发明人：黄世晟;涂博闵;叶颖超;林文禹;吴芃逸;徐智鹏;詹世雄 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种三族氮化合物半导体发光二极管及其制造方法，该三族氮化合物半导体发光二极管包含衬底、第一三族氮化合物层及第二三族氮化合物层。该第一三族氮化合物层覆盖于该多个凸部的顶面，并自该多个顶面往侧向相互连接。该第一表面被该第二三族氮化合物层覆盖，该第二三族氮化合物层的厚度小于该凸部的高度，又该第二三族氮化合物层和该第一三族氮化合物层相同材料。根据本发明的二极管具有更佳的发光效率。
氮化半导体发光二极管及其制造方法

[发明专利]光伏器件-CN201280049676.9在审
发明人：安德鲁·约翰逊;安德鲁·威廉·尼尔森;罗伯特·卡梅伦·哈伯 -专利权人： IQE公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：一种光电器件，包括III-V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提供具有优异的太阳能电池特性的p-n结。它也可以提供与III-V材料的p型区域相接触的隧道二极管该隧道二极管也有对太阳能电池有用。
器件

[发明专利]一种多孔碳纳米管-芳香族共聚酯的制备方法-CN201110154960.X无效
发明人：邱军;李娜 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C08J9/02 文献下载
摘要：本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种多孔碳纳米管-芳香族共聚酯的制备方法。本发明将碳纳米管表面羧基化后，分别与芳香族共聚酯的各种单体均匀混合反应得到Cx-CNTs-COOH和Ax-CNTs-COOH两种低聚物，再将这两种低聚物均匀混合加热固化，反应过程中因生成副产物醋酸而产生孔隙，无需添加任何生孔剂，固化后得到多孔碳纳米管-芳香族共聚酯材料。本发明利用反应过程中产生的醋酸作为生孔介质，可以通过控制低聚物的比例来控制孔隙率，并结合了羧基化碳纳米管的强度及韧性，该多孔材料具有非常优异的耐热性能与力学性能，在航空航天材料、夹层结构材料、建筑保温材料、包装材料、耐烧蚀材料、吸波吸声材料等方面具有很好的应用前景，从而大大地拓宽碳纳米管和芳香族共聚酯多孔材料的应用范围。
一种多孔纳米芳香族聚酯制备方法

[发明专利]一种考虑综合生产因素的可重构制造系统零件族构建方法-CN201410239089.7有效
发明人：王国新;黄思翰;阎艳;杜景军;王孟超 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明为了解决重构过程中考虑加工时间、批量的可重构制造系统零件族构建问题，提出一种考虑综合生产因素的可重构制造系统零件族的构建方法。sub>a/TQ_b)；步骤四、求解最长公共子序列LCS，以及对应的综合序列子序列；步骤五、求解最短混合工艺路线，以及对应综合混合序列；步骤六、分析利用SCS加工订单零件时产生的闲置机床和需要绕过的闲置机床情况，进行相关计算；步骤七、求解修正系数，并求解两个工艺路线的相似系数，通过两两相互比较，得出最终的相似矩阵(S)；步骤八、采用分层聚类算法构建出最终的零件族。
一种考虑综合生产因素可重构制造系统零件构建方法

[发明专利]锂二次电池-CN202080089476.0在审
发明人：定兼拓也;西野肇 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：锂二次电池包含正极、负极、配置于正极与负极之间的分隔件和非水电解质。负极是在充电时锂金属析出、在放电时锂金属溶解的电极。分隔件包含基材、配置于基材的第1面上的第1层、和配置于基材的第2面上的第2层。该聚合物为选自由芳香族聚酰胺、芳香族聚酰亚胺和芳香族聚酰胺酰亚胺组成的组中的至少1种聚合物。
二次电池

[发明专利]龙骨隔墙模型的构建方法、构建装置和处理器-CN202011630771.0在审
发明人：尤勇敏;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：久瓴（江苏）数字智能科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本申请提供了一种龙骨隔墙模型的构建方法、构建装置和处理器，龙骨隔墙用于连接顶部楼板和底部楼板，方法包括：构建龙骨隔墙的族库，族库至少包括龙骨、板材和连接件，龙骨包括横龙骨和竖龙骨；确定设计参数，设计参数至少包括龙骨的数量、龙骨的尺寸数据、龙骨的位置参数、板材的材料、板材的位置参数、连接件的类型和连接件的位置参数；根据族库和设计参数，生成龙骨隔墙模型。
龙骨隔墙模型构建方法装置处理器

[发明专利]基于相似性理论的工艺规划方法-CN201110047281.2无效
发明人：谢楠;李爱平;段建国;黄立辉 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：一种基于相似性理论的工艺规划方法，其包括以下步骤：i)在传统单特征描述的基础上加入特征组合描述完善零件特征信息模型，建立零件特征的描述；ii)把以特征为核心的有关特征加工工序的相关信息所形成的实体用工艺元表示，生成工艺规划的最基本模块和过程特征；iii)建立一个基于特征的实例索引结构，通过零件特征多叉树的相似性判定生成相似工艺信息，进行工艺相似性判定；iv)应用凝聚的层次聚类法进行工序组合，生成工序族；v)对工序族内的所有工艺元进行优先关系排序，保证工序族内的所有工艺元均能在机床上进行加工。
基于相似性理论工艺规划方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202010232264.5在审
发明人：谢廷恩;周钰杰;林永丰 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管，包括III‑V族通道层、钝化层、III‑V族阻障层、闸极结构和至少一源/汲极电极，其中，钝化层被设置于III‑V族通道层之上且包括闸极接触洞和源/汲极接触洞，III‑V族阻障层被设置于III‑V族通道层和钝化层之间。闸极结构包括依序堆栈的III‑V族闸极层、闸极蚀刻停止层、闸极电极，其中闸极电极被设置于闸极接触洞中且顺向性覆盖住钝化层的顶面的一部分。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]量子点油墨和量子点发光二极管的制备方法-CN201710433461.1在审
发明人：李雪 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C09D11/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点油墨和量子点发光二极管的制备方法。DDA0001317797550000011.GIF" wi="700" he="191"/>其中，所述结构通式I所含的所述R¹‑R³相同或不相同的为C_1‑30脂族、芳族基团中的任一种基团；或所述R²、R³其中一基团为H，另一基团和R¹相同或不相同的为C_1‑30脂族、芳族基团中的任一种基团；所述结构通式II所含的所述R⁴为C_1‑30脂族、芳族基团中的任一种基团。本发明量子点发光二极管的制备方法包括采用本发明量子点油墨利用喷墨打印法制备量子点发光层的步骤。
量子点油墨发光二极管芳族基团结构通式脂族制备酰胺类有机溶剂分子结构式量子点材料喷墨打印发光层

[发明专利]一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法-CN201210546598.5有效
发明人：刘洪刚;常虎东;王虹;薛百清 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种III-V族半导体纳米线晶体管器件，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V族半导体缓冲层；在该III-V族半导体缓冲层上形成的底部欧姆接触层；在该底部欧姆接触层上形成的III-V族半导体复合沟道层；在该III-V族半导体复合沟道层上形成的顶部欧姆接触层和纳米线结构；在该纳米线结构上形成的环形高K栅介质层和功函数金属层；在该高K介质层和功函数金属层上形成的栅金属电极；以及在该顶部欧姆接触层上形成的源漏电极本发明还公开了一种制作该纳米线场效应晶体管器件的方法。利用本发明，实现了低的源漏寄生电阻，提高了III-V族半导体MOS器件的电流驱动能力和更强的栅控功能，满足了高性能III-V CMOS技术在数字电路上的应用需求。
一种 iii 半导体纳米场效应晶体管器件及其制作方法

[发明专利]用于波纹管的载体材料-CN201880031928.2有效
发明人： P·哈姆布史 -专利权人：古斯塔夫恩斯特梅尔有限责任两合公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： D02G3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于波纹管的载体材料，尤其波纹管载体材料，其包含由至少局部彼此交叉的丝线形成的织物。所述丝线由加捻或非加捻的纱线形成，所述纱线具有由芳香族聚酯和下列材料中的至少一种形成的纤维：‑粘胶纤维；‑毛；‑棉；‑芳香族聚酰胺，尤其芳纶。
用于波纹管载体材料

[发明专利]罐体内管和具有至少一个内管的罐体-CN201680079705.4在审
发明人：沃纳·齐默 -专利权人： TI汽车富尔达布吕克有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： B32B1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种在罐体中的内管，特别是在机动车辆的燃料罐中的内管，包括由管壁围绕的流体导管。管壁由至少三层组成，外层基于芳族聚酰胺。设置有基于聚酰胺的中间层以及基于芳族聚酰胺的内层。
内管芳族聚酰胺管壁罐体机动车辆流体导管聚酰胺燃料罐中间层总壁厚内层三层体内

[实用新型]95枪族的一体式战术扩展平台-CN201521074219.2有效
发明人：邓家生;梁兵;于国新 -专利权人：阳江市纳丽德工贸有限公司;广东百源实业有限公司;阳江市卫富百源警用器材有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： F41C27/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种95枪族的一体式战术扩展平台。该战术扩展平台包括：装夹平台本体，装夹平台本体上开设有安装通孔，95枪族的步枪枪管穿过安装通孔，95枪族的步枪的刺刀安装座的朝向枪口的端面抵接在装夹平台本体上，装夹平台本体上设置有多个用于安装战术配件的安装部；弹性件，弹性件套设在枪管上，弹性件的第一端与装夹平台本体的端面抵接；端部锁紧件，端部锁紧件套设在枪管上，并与装夹平台本体的端部连接，弹性件的第二端与端部锁紧件的内壁面抵接。
95 体式战术扩展平台

[发明专利]稳定剂组合物、其用途和包含其的塑料组合物-CN201880079147.0有效
发明人：陈林;S·帕拉普韦蒂尔萨拉加达兰 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C08K5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种稳定剂组合物，及其用于改善塑料的抗黄变性的用途，所述塑料用于需要抗黄变性的领域，例如聚酰胺，尤其是半芳香族聚酰胺。此外，本发明涉及一种包含该稳定剂组合物的塑料组合物。本发明的塑料组合物可用于例如消费者零件的户外壳体、汽车外部零件或高反射应用，更特别地用于制造发光二极管(LED)组件。
稳定剂组合用途包含塑料