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[发明专利]等离子体沉积-CN201080017095.8有效
发明人：盖·詹姆斯·雷诺兹;康纳·尼古拉斯·马丁;彼得·格洛瓦茨基;玛丽-皮埃尔·弗朗索瓦兹·温特伯特埃普富凯;萨蒂亚纳拉扬·巴利克;帕特里克·坡-曾·陈 -专利权人：盖利姆企业私人有限公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：一种用于在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物薄膜的装置，装置包含从氮源产生氮等离子体的等离子体发生器，反应室，在所述反应室中使包含第Ⅲ族金属的反应物和来自于氮等离子体的活性氮物种反应以在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物，便于氮等离子体从等离子体发生器进入反应室的通过的等离子体入口，和具有有一个或多个供氮等离子体通过的流动通道的挡板。挡板位于等离子体的入口和基片之间，并且防止等离子体入口和基片之间的氮等离子体的直线通过。
等离子体沉积

[发明专利]等离子体辅助薄膜沉积系统与方法-CN200710181613.X有效
发明人：杜陈忠;黄振荣;梁沐旺;张志振;李升亮;吴庆辉;罗展兴 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C16/515 文献下载
摘要：一种等离子体辅助薄膜沉积系统与方法，该系统主要由一等离子体薄膜沉积装置以及一等离子体工艺监控装置构成，该等离子体薄膜沉积装置可供输入脉冲电源与工艺反应气体，由脉冲电源与工艺反应气体作用产生等离子体放电解离工艺反应气体成活性物种，以进行薄膜沉积工艺；该等离子体工艺监控装置包括一等离子体成分光学放射光谱仪以及一脉冲等离子体调变程序装置，由该等离子体成分光学放射光谱仪侦测等离子体成分中活性物种的光谱强度值，再经由脉冲等离子体调变程序装置计算活性物种间的光谱强度比值，据以调变适当的脉冲电源等离子体作用时间及功率，可在微晶硅沉积的范围内获得高沉积速率，并实时掌控最佳薄膜沉积质量。
等离子体辅助薄膜沉积系统方法

[发明专利]等离子体雾化沉积方法及设备-CN202210860169.9在审
发明人：谷旭;熊孝经;孟宪钊;王磊;余立滨;陈国超;农晓东;毕云杰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种等离子体雾化沉积方法及设备，所述等离子体雾化沉积设备包括雾化沉积舱、沉积器和至少一个等离子体源，其中，所述等离子体源的喷嘴设置于所述雾化沉积舱内，所述等离子体源用于向金属源喷射等离子体，以使得金属源在等离子体的作用下，雾化形成金属熔滴；所述沉积器设置于所述雾化沉积舱内，位于所述等离子体源的下方，用于接收雾化形成的所述金属熔滴，形成沉积坯锭。本申请解决了现有技术喷射沉积制备的坯锭的孔隙率较高的技术问题。
等离子体雾化沉积方法设备

[发明专利]用于减少等离子体处理系统中的副产品沉积的方法和装置-CN200580047552.7有效
发明人：什里坎特·P·洛霍卡雷;安德鲁·D·贝利三世 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种在等离子体处理系统中用于减少等离子体处理室的一组等离子体室表面上的副产品沉积的方法。该方法包括：在等离子体处理室中设置沉积屏障，该沉积屏障被配置为置于等离子体处理室的等离子体生成区中，从而使得等离子体在等离子体处理室内被撞击时所生成的至少一些工艺副产品能粘附在该沉积屏障上，并减少了一组等离子体处理室表面上的副产品沉积
用于减少等离子体处理系统中的副产品沉积方法装置

[实用新型]一种等离子体化学气相沉积装置-CN202022845096.5有效
发明人：毛格;熊攀;王永平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种等离子体化学气相沉积装置，所述装置包括：沉积室；与所述沉积室顶部的等离子体喷头连接的等离子体发生器，用于产生等离子体，并通过所述等离子体喷头向所述沉积室底部的基台的表面喷射所述等离子体；与所述基台连接的分压模块，用于通过调节所述等离子体喷头与所述基台之间的电场强度，以调节所述等离子体的成膜速率。
一种等离子体化学沉积装置

[发明专利]监测室漂移的方法-CN201980015547.X在审
发明人：约瑟夫·阿贝尔;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种用于监测等离子体处理室中的漂移以进行半导体处理的方法。提供多个循环，其中每个循环包括在等离子体处理室中的卡盘上方沉积沉积层，等离子体蚀刻所述沉积层以及测量用于等离子体蚀刻所述沉积层以蚀刻穿过所述沉积层的时间。所测得的用于等离子体蚀刻的时间用于确定等离子体处理室的漂移。
监测漂移方法

[发明专利]在蚀刻期间利用光谱使RF切换与气体切换同步-CN201280027855.2有效
发明人：许青;卡梅利娅·鲁苏;布赖恩·K·麦克米林;亚历山大·M·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
蚀刻期间利用光谱 rf 切换气体同步

[发明专利]用于使用常压等离子体进行沉积的方法和装置-CN201280054145.9有效
发明人：马尔维·A·马托斯;利亚姆·S·平格里 -专利权人：波音公司
申请日： 2012-10-01 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：一种装置可包括等离子体沉积单元、移动系统以及网孔系统。等离子体沉积单元可被配置为产生等离子体。移动系统可被配置为移动等离子体沉积单元下方的基板。网孔系统可位于等离子体沉积单元与基板之间，其中，网孔可包括用于沉积到基板上的一些材料，并且其中，穿过网孔的等离子体可以使一些材料中的一部分从网孔被沉积到基板上。
用于使用常压等离子体进行沉积方法装置

[实用新型]微波等离子体辅助原子层沉积设备-CN202221851674.9有效
发明人：王东君;陈宇林;郭敏 -专利权人：英作纳米科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体辅助原子层沉积设备，包括：微波等离子体发生器、等离子体扩散腔、真空反应室和反应源接口。微波等离子体发生器含有等离子体快速发生装置。微波等离子体发生器通过等离子体扩散腔与真空反应室相连通。等离子体扩散腔与真空反应室通过开合装置连接，通过该开合装置，可以方便样品取放样。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备，能够提供微波辐照，提高等离子体的能量和密度，为原子层沉积的提供合适的能量，降低反应温度。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备含有等离子体快速发生装置以及等离子体反应气体特殊脉冲进入模式，可以实现毫秒级的等离子体脉冲，大大缩短反应时间。
微波等离子体辅助原子沉积设备

[发明专利]等离子体化学气相沉积系统及方法-CN201811069708.7有效
发明人：孙元成;宋学富;杜秀蓉;张晓强;钟利强;杨晓会 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明是关于一种等离子体化学气相沉积系统。该沉积系统包括等离子体沉积装置，该等离子体沉积装置包括等离子体炬和沉积室。该沉积系统还包括：尾气循环装置、新鲜气体供给装置和在线监控装置，该尾气循环装置一端连接于沉积室的排气口，另一端连接于等离子体炬的进气口；该新鲜气体供给装置，连接于等离子体炬的进气口；该在线监控装置用于实时检测气体组分、温度、沉积室压力及沉积基体温度。本发明还提出了一种等离子体化学气相沉积方法。本发明方法将等离子体化学气相沉积系统排放的气体经简单处理后进行气体循环使用，克服现有技术气体消耗较大的问题，大大降低气体成本，同时保证沉积系统的稳定性。
等离子体化学沉积系统方法

[发明专利]等离子体沉积方法和等离子体沉积设备-CN201910552879.3在审
发明人：山本薰;金昌炫;宋伣在;申建旭;申铉振;安星柱;李章熙;李昌锡;全基荣;郑根吾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。
等离子体沉积方法设备

[发明专利]清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体-CN201811107929.9有效
发明人：赖诚忠;陈舜钦;陈世芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文公开一种干式清洁沉积反应腔室的方法、干式清洁系统以及非暂态电脑可读取媒体。在一些实施例中，清洁沉积反应腔室的方法包括：进行等离子体辅助清洁工艺，以清洁在沉积反应腔室的内表面所形成的管道沉积物，其中等离子体辅助清洁工艺包括：将第一反应气体提供到远端等离子体源以产生等离子体，其中等离子体包括含氟自由基；将等离子体从远端等离子体源提供到沉积反应腔室，以清洁管道沉积物；以及在进行等离子体辅助清洁工艺后，通过将第二反应气体提供到沉积反应腔室，以进行化学清洁工艺。
清洁方法系统非暂态电脑读取媒体

[实用新型]一种金刚石沉积装置-CN202020123107.6有效
发明人：王忠强;丁雄傑;王琦;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种金刚石沉积装置，包括沉积腔、沉积台和等离子体单元，沉积台装设于沉积腔内，还包括位置控制装置，等离子体单元设有等离子体喷嘴，等离子体喷嘴设于沉积腔内，位置控制装置与等离子体喷嘴连接，与现有技术相比，本实用新型通过设置位置控制装置，可以控制等离子体喷嘴与沉积台的相对位置，根据沉积需要在沉积台的不同位置进行沉积，从而实现沉积出复杂形状的大面积金刚石薄膜。
一种金刚石沉积装置

[发明专利]用于制造一种由至少两种组分组成的功能层的方法和设备-CN200480038309.4无效
发明人：马丁·迪南·比杰克;马里纳斯·弗朗西斯库斯·约翰尼斯·埃弗斯;弗朗西斯库斯·科尼利厄斯·丁斯 -专利权人： OTB集团有限公司
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：一种用于制造功能层的方法，其中将基底引入处理室中，由至少一个等离子体源例如等离子体级联源(3)产生至少一个等离子体，将至少一种沉积材料在等离子体(P)的影响下沉积到基底(1)上，同时将至少一种第二材料(6)借助于第二沉积工序涂覆到基底上。本发明进一步提供一种设备，其设置有至少一个等离子体源，例如等离子体级联源，以产生至少一个等离子体，其中所述设备包括用于将沉积材料引导进入每个等离子体中的装置，其中所述设备设置有第二沉积源(6)，第二沉积源被设置为与等离子体源同时地将至少一种第二沉积材料沉积到基底上
用于制造一种至少组分组成功能方法设备

[发明专利]微波等离子体化学气相沉积装置和金刚石的合成方法-CN201810408710.6在审
发明人：马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 -专利权人： FD3M公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线作为耦合天线。本申请还公开了一种金刚石的合成方法，采用等离子体天线作为耦合天线，通过微波等离子体化学气相沉积方法合成金刚石。本申请还公开了微波等离子体化学气相沉积装置在单晶金刚石合成中的应用。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线进行耦合，可以极大的提高天线的效率。
微波等离子体化学气相沉积等离子体天线金刚石合成耦合天线申请单晶金刚石耦合天线应用

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