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[发明专利]三维存储器元件及其形成方法-CN202210120237.8在审
发明人：曾碧山 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器元件，包括：基底、堆叠结构以及多个势垒结构。堆叠结构配置在基底上。堆叠结构包括交替堆叠的多个介电层与多个栅极层。多个势垒结构分别包围多个栅极层的表面。每一个势垒结构包括：第一势垒层与第二势垒层。第一势垒层连续覆盖在相应的栅极层的顶面、底面以及第一侧壁上。第二势垒层覆盖在相应的栅极层的相对于第一侧壁的第二侧壁上，且与第一势垒层连接。第二势垒层的厚度大于第一势垒层的厚度。另提供一种三维存储器元件的形成方法。
三维存储器元件及其形成方法

[发明专利]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法-CN201710052574.7在审
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器-CN201720104249.6有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器

[发明专利]一种倒三角势垒的GaN基LED外延结构及其生长方法-CN202011195545.4在审
发明人：程立文;张曦晨;李侦伟;曾祥华;林星宇 -专利权人：扬州大学
申请日： 2020-10-31 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒三角势垒的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中，势垒层为GaN‑InxGa1‑xN‑GaN势垒层，简称为GIG势垒层，按生长顺序该势垒层依次由GaN势垒、GaN势垒构成，InxGa1‑xN势垒中的x沿生长方向从0到0.1再到0渐变。本发明采用GIG倒三角形势垒结构代替传统LED的GaN势垒结构，势垒层中的InGaN材料的应用能够有效降低势垒与量子阱的极化电场，有效抑制量子斯塔克效应，同时本发明提出的特殊势垒形状并没有降低势垒的有效高度
一种三角 gan led 外延结构及其生长方法

[发明专利]发光器件及其制造方法和发光器件封装-CN201210148953.3有效
发明人：元钟学 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：发光器件包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，位于第一导电类型半导体层上；有源层，位于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间，有源层包括多个阱层和多个势垒层。多个势垒层包括第一势垒层，距离第二导电类型半导体层最近，第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近第一势垒层；至少一个第三势垒层，位于第二势垒层与第一导电类型半导体层之间。多个阱层包括第一阱层，位于第一势垒层与第二势垒层之间，第一阱层具有第三带隙；及第二阱层，位于第二势垒层与至少一个第三势垒层之间，第二阱层具有第二带隙。第一阱层的厚度比第二阱层薄，且第三带隙不同于第一带隙。
发光器件及其制造方法封装

[发明专利]倒置绿光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213330.8有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴平衡层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括层叠的第二空穴传输层和第一空穴传输层。空穴平衡层的厚度为5nm～10nm。第二空穴传输层的HOMO能级大于第一空穴传输层的HOMO能级，从而在绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。进一步的，空穴平衡层能够阻止高迁移率的第一空穴传输材料与绿光量子点发光层的直接接触，避免造成发光猝灭。
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]共振隧穿二极管近红外探测器-CN201510547194.1有效
发明人：裴康明;倪海桥;詹锋;董宇;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：一种共振隧穿二极管近红外探测器，包括一衬底；一集电区接触层，其制作在衬底上，集电区接触层一侧的上面形成一台面；一集电区，其制作在集电区接触层上台面的一侧，该集电区为圆形；一吸收层，其制作在集电区上；一空穴堆积层，其制作在吸收层上，其直径小于吸收层的直径；一双势垒结构，其制作在空穴堆积层上；一隔离层，其制作在双势垒结构上；一发射区，其制作在隔离层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在集电区接触层一侧的台面上
共振二极管红外探测器

[发明专利]GaN基LED的外延结构及其生长方法-CN201810102960.7有效
发明人：程立文;曹常锐;曾祥华;马剑;徐作政 -专利权人：扬州大学
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN LED的外延结构及其生长方法，依次包括处理衬底，生长低温成核层，生长非掺杂低温u‑GaN层，生长掺Si的n‑GaN层，生长发光层，生长GaN‑AlGaN‑GaN势垒层，生长P型GaN层，降温冷却步骤。本发明采用GaN‑AlGaN‑GaN组合结构，能够有效的提供电子势垒以限制电子向P型区的泄露，降低了电子和空穴在P型区的非辐射复合，并有效的提高了空穴从P电极向有源区的注入，提高器件的光电性能；去除传统的AlGaN电子阻挡层，避开了在生长较厚高掺Mg的p型AlGaN层时，会使得材料界面产生严重晶格缺陷和大的应力的问题，也避免了长时间高温生长对MQW层的影响，提高了芯片质量。
生长空穴外延结构降温冷却步骤低温成核层电子阻挡层非辐射复合材料界面电子势垒高温生长光电性能晶格缺陷组合结构传统的发光层非掺杂势垒层衬底源区去除避开泄露芯片

[实用新型]一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件-CN202220591131.1有效
发明人：余丽波;邓颖婷;郑崇芝 -专利权人：成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双P‑GaN栅氮化镓增强型器件，从下到上依次包括GaN沟道层和AlGaN势垒层，在所述AlGaN势垒层的顶部设有P‑GaN势垒层Ⅰ和P‑GaN势垒层Ⅱ，且P‑GaN势垒层Ⅰ和P‑GaN势垒层Ⅱ之间具有间距，在所述AlGaN势垒层的顶部一端淀积有源极金属，另一端淀积有漏极金属；所述P‑GaN势垒层Ⅰ的顶部淀积有栅极金属Ⅰ，所述P‑GaN势垒层Ⅱ的顶部淀积有栅极金属Ⅱ，所述的GaN沟道层和所述的AlGaN势垒层形成二维电子气，所述的P‑GaN势垒层Ⅰ、栅极金属Ⅰ、P‑GaN势垒层Ⅱ和栅极金属Ⅱ共同构成双P‑GaN栅结构；本实用新型不仅拥有相对传统GaN HEMT器件更低的栅电容，同时提高了耐压
一种 gan 氮化增强器件

[发明专利]GaN基发光二极管外延结构-CN201910801993.5在审
发明人：卢国军;游正璋 -专利权人：映瑞光电科技(上海)有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构，包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；应力调节层，其禁带宽度位于N型外延层和发光层之间，应力调节层包括依次叠设于N型外延层上的第一至第M周期结构层，各周期结构层包括交替设置的势阱和势垒，自N型外延层至发光层方向，第一至第M周期结构中的势阱和势垒的禁带宽度递减以逐渐趋近于发光层的禁带宽度，M≥2；发光层，位于应力调节层上，发光层的禁带宽度小于N型外延层的禁带宽度；电子阻挡层，位于发光层上；及P型外延层，位于电子阻挡层上。通过设置应力调节层并使应力调节层中的势阱和势垒均呈递减趋势，可以削弱发光层的极化效应，提高电子和空穴的复合几率。
发光层应力调节层禁带周期结构势垒势阱电子阻挡层衬底空穴复合几率极化效应交替设置宽度递减外延结构呈递叠设削弱申请

[发明专利]新型量子阱势垒层的LED外延生长方法及外延层-CN201410403508.6在审
发明人：王霄;梁智勇;季辉 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型量子阱势垒层的LED外延生长方法及LED外延层，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长n型AlGaN层、生长n型GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长p型接触层步骤，在传统的有源层GaN势垒层中间穿插生长一个AlGaN薄层，以增强发光层对电子的限制和扩展能力，提高量子阱束缚电子的能力，使得空穴和电子在势阱的辐射复合率明显增加
新型量子阱势垒层 led 外延生长方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310438679.8无效
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括三元掺杂层；所述三元掺杂层的材质包括高功函数金属、荧光发光材料以及具有空穴注入能力的金属氧化物。本发明有机电致发光器件的散射层可提高空穴的注入能力，提高光色纯度，提高空穴的注入效率，同时，降低散射层与空穴注入层之间的空穴势垒，从而有利于提高出光效率。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]发光二极管、制备发光二极管的方法和显示装置-CN202211204906.6在审
发明人：贺家煜;赵坤;李菲菲;宁策;胡合合;李正亮;姚念琦;黄杰;郭晖;刘烺 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管、制备发光二极管的方法和显示装置，所述发光二极管包括阳极、以及发光层和阴极，所述阳极包括金属氮化物层，所述金属氮化物的功函数与所述发光层材料的势垒差小于0.4eV。由此，金属氮化物的功函数与发光层的能级相匹配，通过令发光二极管的阳极包括金属氮化物，可以降低阳极与发光层的势垒差，能够显著增强空穴的注入和传输能力，从而提高发光性能。
发光二极管制备方法显示装置

[发明专利]一种发光二极管-CN202210146631.9有效
发明人：朱涛;程志青;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：该发光二极管包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层；应力释放层包括在N型半导体层上至少一个周期层叠设置的第一子层和第二子层；第一子层包括掺杂第一杂质的GaN层、未掺杂的GaN层和InGaN层中的至少两种；第二子层为AlGaN层。本发明通过设置AlGaN层，能提高应力释放层的禁带宽度，提高势垒，极大降低在大电流密度下空穴从V型坑底部穿透到应力释放层的概率；高势垒的存在使得电子进入多量子阱发光层时，电流分布更加均匀；且更高的势垒还增加了对位错屏蔽的效果
一种发光二极管

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制作方法-CN201910888407.5有效
发明人：林科闯;房育涛;刘波亭;毛张文;李健;张恺玄;杨健 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，该氮化镓基半导体器件包括衬底、基于衬底一侧形成的氮化物半导体层以及基于氮化物半导体层远离衬底一侧形成的复合势垒层。其中，该复合势垒层包括至少两组层叠设置的超晶格势垒层，每组超晶格势垒层包括层叠设置的第一势垒层和第二势垒层，该第一势垒层中的Al组分含量高于第二势垒层中的Al组分含量。如此，通过较高Al组分含量的第一势垒层保证沟道的二维电子气浓度，以改善器件导通特性，并利用较低Al组分含量的第二势垒层降低超晶格势垒层的等效压电极化系数，从而减小器件高压下的逆压电形变，以提高器件的可靠性
氮化半导体器件及其制作方法