“硅锗层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2721923个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片-CN202210591840.4在审
发明人：束方洲;吕旺泽;陶一;张冬芹 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片，包括衬底及形成于衬底表面的硅与锗锑碲复合纳米柱阵列；所述硅与锗锑碲复合纳米柱阵列包括多个周期性排布的硅与锗锑碲复合纳米柱，所述硅与锗锑碲复合纳米柱自下而上为硅、锗锑碲、硅三层纳米柱结构，所述硅与锗锑碲复合纳米柱三层的横截面都为矩形且尺寸相同；所述红外窄带滤光片的工作波长可通过锗锑碲相变动态调节。本发明在红外波段可以实现反射型窄带滤光片，并且滤光片的工作波长可以通过锗锑碲相变动态调节。
基于锗锑碲复合纳米阵列调谐红外窄带滤光

[发明专利]一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法-CN202310006831.9在审
发明人：杨骏捷;贾慧 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法，将硅衬底送入MBE腔中去除硅衬底表面的氧化层；在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层N型双掺杂锗种子层；在所述N型双掺杂锗种子层上进行低温无掺杂锗外延生长，形成低温无掺杂锗外延层；在所述低温无掺杂锗外延层上进行不同温度下的无掺杂锗外延生长，形成变温无掺杂锗外延层，完成后在MBE腔内进行循环退火；在所述退火后的变温无掺杂锗外延层上进行高温锗盖层生长，得到低穿透位错密度薄锗缓冲层该薄锗缓冲层可用来取代较厚砷化镓缓冲层进而在不影响激光器性能的基础上大幅度降低激光器的总厚度，从而避免在激光器在后续生长中产生的微裂缝问题，提高激光器产能。
一种基于掺杂穿透密度缓冲制备方法

[发明专利]光检测器-CN202010984880.6在审
发明人：陈建宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种光检测器，光检测器包括半导体层、第一超晶格结构以及吸光材料。第一超晶格结构位于半导体层中，吸光材料位于第一超晶格结构上。第一超晶格结构包括垂直堆叠的多对硅层与第一硅锗层。第一硅锗层的组成为Si1‑xGex，且x为锗原子在该第一硅锗层的含量，而0.1≤x≤0.9。
检测器

[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法、半导体机台-CN202110232412.8在审
发明人：王秉国 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法、半导体机台，包括：提供衬底，衬底上形成有堆叠层，堆叠层中形成有沟道孔；在沟道孔中依次形成存储功能层、种子层和沟道层，沟道层包括硅锗层。这样，在存储功能层上形成种子层，之后在种子层上生长硅锗层，由于种子层为单原子层，从而能够在种子层上外延生长高质量的硅锗层，且由于硅锗层具有较高的载流子迁移率，能够提高3D NAND存储器件的电学性能。
一种 nand 存储器件及其制造方法半导体机台

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210051000.9在审
发明人：徐亚超;吴公一 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：衬底以及设置在所述衬底上的电容；所述电容至少包括上电极层，所述上电极层在多个平面内延伸，限定出非闭合的容纳腔；上电极板，与所述上电极层接触连接；所述上电极板包括：硅锗层以及覆盖所述硅锗层的第一导电层；所述硅锗层填充所述容纳腔，所述第一导电层的电导率大于所述硅锗层的电导率；接触插塞，与所述上电极板接触连接。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法-CN201010027232.8有效
发明人：刘继全;季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法，步骤一、在硅片表面生长一层氮化硅或氮氧化硅薄膜；步骤二、在所述氮化硅或氮氧化硅薄膜的表面涂布一层负性光刻胶，利用有源区光刻版曝光、显影，将有源区表面的氮化硅或氮氧化硅薄膜曝露出来；步骤三、去除有源区表面的氮化硅或氮氧化硅薄膜；步骤四、去除所述负性光刻胶；步骤五、利用锗硅或锗硅碳多晶在氮化硅和氮氧化硅表面的扩散成核速度，在STI或LOCOS表面形成一层均匀的锗硅或锗硅碳多晶薄膜。本发明不仅仅局限于锗硅工艺，还可使用于锗硅碳工艺等。
改善锗硅碳单晶体多晶体界面形貌方法

[发明专利]具有改进的内间隔件的纳米片晶体管-CN201811069566.4有效
发明人：谢瑞龙;程慷果;N·卢贝特;苗欣;P·蒙塔尼尼;J·张;黄海苟;彭建伟;顾四朋;臧辉;亓屹;吴旭昇 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有改进的内间隔件的纳米片晶体管，其中，一种形成纳米片和纳米线晶体管的方法包括硅锗(SiGe)和硅(Si)的交替外延层的形成，其中，各该硅锗层内的该锗含量整体性变化以调整这些层的选择性蚀刻。该锗含量可被控制，使得由该硅锗层的部分移除所生成的凹陷区域具有均匀的横向尺寸，且这些凹陷区域使用一蚀刻选择性材料的回填导致一坚固的蚀刻阻障的形成。
具有改进间隔纳米晶体管

[发明专利]一种集成太阳能电池的探测器及其制作方法-CN202110920144.9在审
发明人：杨荣 -专利权人：杨荣
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成太阳能电池的探测器及其制作方法，包括SOI衬底、锗探测器、太阳能电池，SOI衬底从下至上为硅衬底、氧化硅层及顶硅层；顶硅层由隔离区分成左右两部分，一部分外延生长锗层，以锗为吸收层制作锗探测器，另一部分外延硅层，掺杂制作硅太阳能电池；所述硅太阳能电池与锗探测器连接，为锗探测器供电并驱动工作。本发明制作的锗探测器可应用于用途广泛的SWIR短波红外光探测，硅太阳能电池寿命长、效率稳定；在同一SOI衬底上，硅太阳能电池同探测器直接连接供电，形成单一的集成芯片，结构紧凑，面积节省，其集成结构、材料、工艺及所使用的设备同CMOS芯片制造兼容；材料成本显著低于III‑V族化合物半导体探测器，具有和硅CMOS电芯片集成的潜力。
一种集成太阳能电池探测器及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03826598.2有效
发明人：落水洋聪;三岛康由 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-08-05 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在形成于硅基板10上的绝缘层12上，在NMOS晶体管区域16中，形成具有硅层34、在硅层34上形成的晶格驰豫状态的硅锗层22、形成于硅锗层22上的拉伸应变状态的硅层24、在硅层24上经由栅绝缘膜26形成的栅电极28的NMOS晶体管14；在PMOS晶体管区域20中，形成具有硅层34、在硅层34上形成的压缩应变状态的硅锗层36、在硅层36上经由栅绝缘膜26形成的栅电极28的PMOS晶体管18。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法-CN202310219410.4在审
发明人：叶斌;李哲;丁科允 -专利权人：江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法，所述方法包含以下步骤：S1、提供具有腔体的外延设备；S2、设定工艺参数，向所述腔体内通入工艺气体，在衬底上生长锗硅外延层；S3、获得该工艺参数对应的锗硅外延层的生长速率；S4、改变所述工艺参数，并重复S2至S3步骤，获得改变后的工艺参数下的锗硅外延层的生长速率；S5、根据每一个工艺参数和该工艺参数对应的生长速率，获得关于工艺参数的所述锗硅生长速率拟合模型；本发明提出的拟合模型能够准确推算锗硅外延层的生长速率
一种建立生长速率拟合模型方法

[实用新型]一种锗硅雪崩光电探测器-CN202123209661.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京扬字源科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光电探测器，尤其为一种锗硅雪崩光电探测器，包括探测器本体，所述探测器本体内部底部固定设有硅衬底层，所述硅衬底层上侧固定设有埋氧层，所述埋氧层上侧固定设有掺杂硅顶层，所述掺杂硅顶层上侧固定设有第二介质层，所述第二介质层上侧固定设有第一介质层，所述掺杂硅顶层上表面开设有硅波导层填充槽，所述硅波导层填充槽内部填充有硅波导层，所述第二介质层上开设有锗硅探测层填充通槽，所述锗硅探测层填充通槽内部填充有锗硅探测层，本实用新型中，通过设置的埋氧层、掺杂硅顶层和硅衬底层，采用集成式探测器，不仅体积更加小巧，并且功耗低，有效降低成本的同时，提高了探测效率。
一种雪崩光电探测器

[发明专利]一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法-CN200510050891.2无效
发明人：叶志镇;吴贵斌;刘国军;赵星 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了选择性外延锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层，在二氧化硅层上光刻出窗口，然后放入超高真空化学气相沉积设备的生长室中，生长室抽真空至少10－5Pa，加热硅衬底至400～700℃，生长室通入纯硅源与纯锗烷，控制硅源与锗烷流量比为5∶2sccm，生长室压强10－2～10Pa，在二氧化硅窗口处生长厚度为0.1～0.2μm锗硅薄膜。本发明方法可避免选择性外延锗硅薄膜受高温影响，而且二氧化硅可作为锗硅薄膜之间的自然隔离，无需再制作器件隔离，简化了工艺，提高了集成度。同时二氧化硅与锗硅薄膜之间仅窗口接触，接触面积减小，界面密度降低，用于制备锗硅光电器件，可减少器件的漏电流。
一种选择性外延薄膜制备方法

[发明专利]一种多层绝缘体上硅锗衬底及其制备方法、应用-CN202110287456.0有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;罗雪;王云 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层绝缘体上硅锗衬底及其制备方法、应用。一种多层绝缘体上硅锗衬底，包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、硅层；硅层上交替垂直堆叠n层第二绝缘层和n层硅锗层，并且靠近硅层的是所述第二绝缘层；所述硅锗的化学式为Si1‑xGex，0＜x＜0.5；其中，n为1以上的正整数；所述第二绝缘层设有使底部相邻层裸露的凹槽，所述硅锗层充满所述凹槽并且覆盖所述第二绝缘层的上表面
一种多层绝缘体上硅锗衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种硅锗源/漏结构的形成方法-CN201210121013.5有效
发明人：涂火金 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅锗源/漏结构的形成方法。在本发明提供的硅锗源/漏结构的形成方法中，在体层和上覆层之间新增了缓冲结构(即两层或一层过渡层)，使得锗的含量逐渐降低，如此大大降低了晶格失配，同时使得温度逐渐变化，避免了热失配，从而使得硅锗层的压应力得到保证
一种硅锗源结构形成方法

[发明专利]具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法-CN201611175654.3在审
发明人：朱德尚·R·侯尔特;乔迪·A·佛罗霍海瑟;诚康国;绍高·莫基祖基;史蒂芬·W·贝代尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法，其一方面包括一种半导体结构，该半导体结构包括位于衬底上的一组鳍片，该组鳍片包括松弛硅锗层；以及位于该组鳍片中的各鳍片之间的介电质；其中，n型场效应晶体管(nFET)区域中的各鳍片还包括位于该nFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅层；其中，p型场效应晶体管(pFET)区域中的各鳍片还包括位于该pFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅锗层。
具有硅锗鳍片半导体结构及其制造方法