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[发明专利]金属深沟槽隔离偏置解决方案-CN202110724464.7有效
发明人：臧辉;陈刚;K·金恩 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及金属深沟槽隔离偏置解决方案。一种图像传感器包含安置在像素区域中且接近半导体层的前侧的光电二极管。在经安置接近所述半导体层的背侧的背侧氧化物层中形成背侧金属光栅。在所述半导体层中形成具有多个像素区域部分及边缘区域部分的深沟槽隔离DTI结构。将所述像素区域部分安置在所述半导体层的所述像素区域中使得入射光被引导通过所述背侧金属光栅，通过所述半导体层的所述背侧，且在所述DTI结构的所述像素区域部分之间到达所述光电二极管。所述DTI结构的所述边缘区域部分经安置在所述像素区域外部的边缘区域中。用DTI偏置电压偏置所述DTI结构的所述边缘区域部分。
金属深沟隔离偏置解决方案

[发明专利]一种球形止口-锥面半静密封结构及其密封比压求解方法-CN202310782647.3在审
发明人：曹兴坤;李淼;郑禛;季宇轩;王远庆;臧辉 -专利权人：上海宇航系统工程研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明涉及机械密封安全技术领域，尤其涉及一种球形止口‑锥面半静密封结构，包括壳体，阀芯密封副，阀座密封副；所述阀芯密封副位于所述壳体内部并在所述壳体约束下做往复运动，所述阀芯密封副与所述阀座密封副的接触部位设有锥形凹槽，所述锥形凹槽的锥面与所述阀芯密封副底面之间存在夹角；所述阀座密封副与所述阀芯密封副的接触部位设有球形止口，所述球形止口的圆弧面通过与所述阀芯锥面相切配合实现密封。本发明还提供了一种球形止口‑锥面半静密封结构的密封比压求解方法，可以有效保证球形止口‑锥面半静密封结构的密封区域一致性，并对其密封比压进行设计校核，求解迅速，可应用于弹簧式阀门零件半静密封结构的设计过程。
一种球形锥面密封结构及其求解方法

[发明专利]图像传感器对角隔离结构-CN202310272425.7在审
发明人：毛杜立;王勤;比尔·潘;孙世宇;臧辉 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及图像传感器对角隔离结构。提供图像传感器、隔离结构及制造技术。一种图像传感器包含安置在衬底上的电磁辐射源、安置在所述衬底上且与电磁辐射源热耦合的像素阵列，以及在所述电磁辐射源与所述像素阵列之间安置在所述衬底上的隔离结构。所述隔离结构能够界定相对于所述像素阵列的横向轴定向在第一偏置上的第一反射表面及相对于所述横向轴定向在第二偏置上的第二反射表面。所述隔离结构能够经配置以通过将所述第一反射表面及所述第二反射表面对所述电磁辐射的第一反射与第二反射配对来衰减到达所述像素阵列的近端区的残余电磁辐射。
图像传感器对角隔离结构

[发明专利]双深度结结构及工艺方法-CN202211662618.5在审
发明人：臧辉;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及双深度结结构及工艺方法。晶体管包含：栅极沟槽，其形成在半导体衬底中且延伸到栅极沟槽深度；及源极及漏极，其形成为所述半导体衬底中的掺杂区且具有第一导电类型。所述源极及所述漏极分别沿着所述晶体管的沟道长度方向形成在所述栅极沟槽的第一端及第二端处，且所述源极及所述漏极各包含第一掺杂区及远离所述第一掺杂区延伸的第二掺杂区。所述第二掺杂区在所述半导体衬底中相对于所述半导体衬底的表面延伸到比所述第一掺杂区更深的深度。
深度结构工艺方法

[发明专利]用于纳米片装置的取代金属栅极图案化-CN201810500777.2有效
发明人：谢瑞龙;朴灿柔;成敏圭;金勋;臧辉;许国伟 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于纳米片装置的取代金属栅极图案化，其关于一种用于纳米片装置的取代金属栅极图型化的方法，包括：在衬底上形成第一与第二纳米片堆栈，该第一与第二纳米片堆栈彼此相邻，并且各包括以一距离分开的垂直相邻的纳米片；沉积围绕该第一纳米片堆栈的第一金属、及该第一金属的围绕该第二纳米片堆栈的第二部分；在该第一纳米片堆栈与该第二纳米片堆栈之间形成隔离区；利用蚀刻程序移除该第一金属的围绕该第二纳米片堆栈的该第二部分，该隔离区防止该蚀刻程序伸抵该第一金属的该第一部分，并且藉以防止移除该第一金属的该第一部分；以及沉积将该第二纳米片堆栈的各该纳米片围绕的第二金属。
用于纳米装置取代金属栅极图案

[发明专利]一种加泄连接器自动推出及回收防护装置及方法-CN202111445952.0有效
发明人：洪刚;季宇轩;李淼;王远庆;谢黄骏;王树杰;臧辉;郑禛;沙赵明 -专利权人：上海宇航系统工程研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： F02K9/60 文献下载
摘要：一种加泄连接器自动推出及回收防护装置及方法，用于火箭推进剂加泄连接器及随动装置的推出和回收防护。对接前防护门处于关闭状态，摆杆后摆，推门杆及安装平台均收纳在防护箱内。对接阶段通过向气缸底部供气推动摆杆向前摆动，由摆杆带动安装平台及推门杆同步向前滑动，推门杆推动防护门打开至一定角度，同时安装平台运动至滑轨前端预定位置。加注完成后气缸反向充气拉动摆杆向后摆动，由摆杆带动安装平台及推门杆同步回退，直至安装平台滑动至滑轨尾端，同时推门杆将防护门拉回至关闭位置。火箭发射时喷射尾流造成防护箱外部局部负压，放气活门将防护箱内气体向外排放，保证箱体内外压力一致，防护门紧闭。
一种连接器自动推出回收防护装置方法

[发明专利]改良的鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法-CN201910198615.2有效
发明人：臧辉;王振裕;L·埃克诺米科思 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及改良的鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法，提供形成有缩减宽度且与邻近鳍片有增加距离的CT柱的方法以及所产生的装置。数个具体实施例包括：提供在一氧化物层中的第一对鳍片与第二对鳍片，其中，该第一对鳍片及该第二对鳍片包括硅；以及形成一CT柱，其包括在该第一对及该第二对鳍片之间且在该氧化物层的一部分上方的SiN，其中，该CT柱的宽度与该CT柱、该第一对鳍片及该第二对鳍片之间的距离成反比。
改良鳍式场效晶体管 finfet 及其制造方法

[发明专利]在多重图案化工艺期间的电熔丝形成-CN201910222580.1有效
发明人：舒杰辉;张晓强;尹海洲;张木申;刘金平;臧辉 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及在多重图案化工艺期间的电熔丝形成，其提供互连结构及制作互连结构的方法。第一互连及第二互连在层间介电层中朝第一方向延伸并且彼此隔开。第三互连配置在该层间介电层中，以将该第一互连连接至该第二互连。该第一互连及该第二互连具有第一宽度，而该第三互连具有小于该第一宽度的第二宽度。
多重图案化工期间电熔丝形成

[发明专利]中央深沟槽隔离移位-CN202310094611.6在审
发明人：臧辉;牛超 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及中央深沟槽隔离移位。图像传感器包含围绕阵列中心布置的像素阵列，所述像素阵列的每一像素具有：光电二极管，其形成于半导体衬底中；及中央深沟槽隔离结构，其相对于像素中心安置在所述半导体衬底中介于所述光电二极管与所述半导体衬底的被照射表面之间。如果所述像素中心与所述阵列中心不重合，那么所述中央深沟槽隔离结构被安置在远离所述像素中心相距CDTI移位距离处。
中央深沟隔离移位

[发明专利]形成晶体管装置的栅极接触结构、交叉耦合接触结构的方法-CN201811244166.2有效
发明人：谢瑞龙;禹永倬;丹尼尔·恰尼莫盖姆;B·C·保罗;拉尔斯·W·赖柏曼;H·涅博热夫斯基;朱雪莲;孙磊;臧辉 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及形成晶体管装置的栅极接触结构、交叉耦合接触结构的方法，所揭示的一示范方法主要包括：选择性地形成栅极至源极/漏极(GSD)接触开口及CB栅极接触开口于至少一层绝缘材料中以及在相应开口中形成初始栅极至源极/漏极(GSD)接触结构与初始CB栅极接触结构，其中，该GSD接触结构与该CB栅极接触结构中的各者的上表面位在第一层级，以及对该初始GSD接触结构及该初始CB栅极接触结构执行凹陷蚀刻制程以形成凹陷GSD接触结构与凹陷CB栅极接触结构，其中，这些凹陷接触结构中的各者的凹陷上表面位在低于该第一层级的第二层级。
形成晶体管装置栅极接触结构交叉耦合方法

[发明专利]集成的单扩散中断-CN201910566191.0有效
发明人：臧辉;王海艇;余鸿;L·埃科诺米可斯 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及集成的单扩散中断。一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法包括各种隔离结构的共集成，这些隔离结构包括通过共同的掩蔽和蚀刻步骤形成的栅极切割和浅扩散中断隔离结构。在执行附加的图案化步骤以提供源极/漏极导电接触的分段之后，使用单个沉积步骤在栅极切口、浅扩散中断开口和器件有源区域之间的浅沟槽隔离上方的腔体中的每一者内形成隔离电介质层。
集成扩散中断

[外观设计]空灵鼓(玲珑款)-CN202330196452.1有效
发明人：臧辉 -专利权人：臧辉
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： 17-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：空灵鼓(玲珑款)。2.本外观设计产品的用途：用于乐器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
空灵玲珑

[发明专利]一种插拔式低温供气连接器-CN202310335270.7在审
发明人：郑禛;李淼;李杨;季宇轩;车明阳;魏东;臧辉 -专利权人：上海宇航系统工程研究所
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F16L23/024 文献下载
摘要：本发明涉及运载火箭供气装置领域，尤其涉及一种插拔式低温供气连接器。包括箭上接头、地面充气组件和地面支撑组件。连接器安装在箭体尾部，箭上接头一端与箭上供气管路相连，另一端插入地面充气组件中心孔中形成间隙配合，并通过弹簧蓄能式密封圈实现密封，充气阶段箭地之间通过施加力矩实现顶紧，起飞时自动分离；地面充气组件上另设有管接头用于地面供气；地面充气组件和地面支撑组件之间采用球头连接，在火箭起飞时可适应箭体的漂移和滚转。本发明具有结构简单、操作方便、密封可靠、适应性强的优点，可实现低温高压介质环境下的长时间供气和零秒脱落。
一种插拔式低温供气连接器

[发明专利]具有嵌埋位线的存储器阵列及形成存储器阵列的方法-CN201810394457.3有效
发明人：臧辉;杰罗米·希瓦提;李德宝 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有嵌埋位线的存储器阵列及形成存储器阵列的方法，其披露一种结构，其中，存储器阵列中的存储器单元的垂直场效应晶体管(VFET)的下方源/漏区在嵌埋位线上方对齐并与其电性连接。各单元包括具有下方源/漏区、上方源/漏区以及垂直延伸于该些源/漏区之间的至少一个沟道区的VFET。该下方源/漏区在嵌埋位线上方并与其紧邻，该位线具有与该下方源/漏区相同或与其相比较窄的宽度，且该位线包括一对位线段以及横向位于该些段之间的半导体区。该半导体区由与该下方源/漏区不同的半导体材料制成。本发明还披露一种方法，以确保可获得具有所需关键尺寸的位线并允许在最小位线耦合下的该存储器阵列的尺寸微缩。
具有嵌埋位线存储器阵列形成方法

[发明专利]高动态范围、背照式、低串扰图像传感器-CN202310084592.9在审
发明人：臧辉;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种背照式图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括在光电二极管区域中的光电二极管，所述光电二极管被填充的沟槽电学隔离，介质层中的开口在光电二极管之上。图像传感器具有在沟槽之上对准的金属栅格，该金属栅格在沟槽的80纳米内。该图像传感器通过以下步骤形成：在具有晶体管的源‑漏区域的硅衬底的前侧的光电二极管区域中制造光电二极管，光电二极管通过深沟槽电学隔离，每个光电二极管在衬底的光电二极管区域内；在半导体衬底的背侧中形成填充的沟槽；在半导体衬底的背侧之上形成保护性氧化物和工艺停止层；在深沟槽之上沉积金属栅格，从光电二极管区域之上移除工艺停止层；以及在光电二极管区域之上沉积滤色器。
动态范围背照式低串扰图像传感器

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