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[实用新型]一种砷化镓单晶生长装置-CN202022945434.2有效
发明人：王金灵;周铁军;严卫东;马金峰 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种砷化镓单晶生长装置，砷化镓单晶生长装置包括石英帽、石英管和氮化硼坩埚；在xyz的三维空间直角坐标系中，所述氮化硼坩埚置于所述石英管内部并且所述石英帽与所述石英管密封连接后，所述石英帽壁的内表面的空间位置符合函数关系本实用新型的砷化镓单晶生长装置可以显著提高大直径砷化镓单晶载离子浓度的均匀性，降低大直径砷化镓单晶载离子浓度的不均匀性，降低砷化镓单晶的位错密度；提高砷化镓单晶的质量，提高砷化镓单晶的直径，砷化镓单晶的生长直径达到
一种砷化镓单晶生长装置

[发明专利]一种砷化镓表面形貌控制方法-CN201611251389.2有效
发明人：王盛凯;刘洪刚;孙兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓表面形貌控制方法，包括如下步骤：步骤1：将待刻蚀表面形貌的砷化镓样品置于真空室中，然后向真空室内充入氧分压气体；步骤2：调节氧分压，根据氧分压将真空室升温至对应温度，使砷化镓与氧分子在高温低压工作区域结合生成气态的三氧化二砷与一氧化二镓，控制反应时间实现砷化镓表面的形貌控制。本发明所提供的砷化镓(GaAs)表面形貌控制技术，工艺非常简单，且更加环保、成本低廉。
一种砷化镓表面形貌控制方法

[发明专利]一种超晶格波导半导体激光器结构-CN201310014975.5有效
发明人：李特;张月;李再金;郝二娟;邹永刚;芦鹏;曲轶;刘国军;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明属于光电子技术领域，是一种超晶格波导半导体激光器结构，从下到上依次包括:N型砷化镓衬底，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；N型砷化镓缓冲层，主要用以调节晶格适配度；N型下限制层，为铟镓砷磷四元化合物材料，用来限制光场向下的泄露；N型下波导层，为铟镓砷磷四元化合物材料，用来增加对光场模式的限制；量子阱层，该有源区材料为铟镓砷单量子阱；P型上超晶格波导层，为铝镓砷材料，用于调制波导的折射率；P型上波导层，为铝镓砷材料，用来增加对光场模式的限制；P型上限制层，为铝镓砷材料，用来限制光场向上的泄露；过渡层，为砷化镓材料；电极接触层，为砷化镓材料，用来与金属形成上电极。
一种晶格波导半导体激光器结构

[发明专利]一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法-CN200810155678.1无效
发明人：范家骅;陆森云 -专利权人：南京金美镓业有限公司
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法，将砷化镓置于真空容器中加热，加热温度控制在1200℃到1500℃之间。本发明能比传统石英分解系统耐受更高温度；本发明砷化镓的分解率较传统石英系统大大提高，在1200℃到1500℃的高温下，本发明砷化镓分解率接近100％；并且对砷进行了高效收集，既消除了对环境的污染又有利于对砷的后续利用
一种将砷化镓分离金属真空分解方法

[发明专利]一种砷化镓废料的回收方法-CN201810652482.7在审
发明人：谭明亮;李胜春;潘勇进;刘凯华 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C22B3/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓废料的回收方法，以解决砷化镓废料回收过程中镓的电沉积电流效率较低甚至难以提纯，并会产生大量废水的问题，包括以下步骤：S1.将砷化镓废料加入酸溶液中浸出，得到含镓的浸出液；S2.使用包含憎水基团的离子液体和有机萃取剂协同萃取含镓的浸出液中的镓，得到负载镓的有机相；S3.对负载镓的有机相通电，电沉积得到镓。上述砷化镓废料的回收方法用于回收砷化镓废料，能够有效提高镓的电沉积电流效率，并减少废水的生成，简化工艺步骤。
砷化镓电沉积回收电流效率浸出液废水简化工艺步骤有机萃取剂废料回收离子液体协同萃取憎水基团酸溶液有机相提纯浸出相通

[发明专利]低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计-CN200310110889.0无效
发明人：石瑞英;龚敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2003-11-10 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计，其中包括：砷化镓衬底；该衬底上生长一层重掺杂的N型砷化镓子收集区；该子收集区上是轻掺杂的N型砷化镓收集区；该收集区上为重掺杂的P型铟镓砷锑基区；该基区上为铟镓磷发射区
开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计

[发明专利]一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管-CN201611076133.2在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管结构，该器件结构包括一N型掺杂的砷化镓半导体层；一本征的砷化镓半导体层；一P型锑化镓半导体层；一在N型掺杂的砷化镓半导体层上形成的漏电极；一在P型锑化镓半导体材料上形成的源电极；一在本征砷化镓半导体层上生长的氧化铝介质层；一在氧化铝介质层上形成的栅金属电极。
一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管

[发明专利]一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法-CN201210491141.9在审
发明人：王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，该硅基绝缘体上砷化镓衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化铍层；以及形成于该结晶氧化铍层之上的结晶砷化镓层。本发明提供的硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，通过在硅衬底表面沉积结晶氧化铍层，再在结晶氧化铍层表面上沉积单晶砷化镓层，从而实现了方便地在绝缘体上制备极薄砷化镓层，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低廉等优点，可以方便在大尺寸晶圆上制备全耗尽砷化镓基器件。
一种绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓物料的清洗工艺-CN202110104994.1有效
发明人：肖雨;李勇 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓物料的清洗工艺，涉及单晶生长技术领域。本发明的一种砷化镓物料的清洗工艺，在超声振洗步骤之后还包括醇脱水步骤，具体为将振洗完成的砷化镓物料，置于无水乙醇中浸泡3‑5min，取出后用6MPa以上高纯氮气快速吹干砷化镓料缝隙、孔洞、表面，重复浸泡和吹干操作三次，再将脱水后的砷化镓物料放入真空箱中进行烘烤。本发明公开了一种砷化镓物料的清洗工艺，通过醇脱水步骤，能够尽可能的除去砷化镓物料中的水分，改善了石英料管在VGF单晶炉中胀缩管的现象，胀缩管率由6.25％降低到1.5％，大大降低了单晶生长成本。
一种砷化镓物料清洗工艺

[实用新型]异质面砷化镓背场太阳能电池-CN98209986.X无效
发明人：鞠定德 -专利权人：云南师范大学太阳能研究所;鞠定德
申请日： 1998-01-20 - 公布日： 1999-11-17 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种异质面砷化镓背场太阳能电池,它由异质面P型镓铝砷层(P－Ga1－xAlxAs)和P型砷化镓层(P－GaAs)以及N型砷化镓层(n－GaAs)三层构成,其特征在于在该异质面三层结构的背面设有一强N型砷化镓层(n+GaAs)。从而构成四层结构的砷化镓背场太阳能电池,有效提高了电池的开路电压以及光电转换效率,并可大大降低电池基片厚度,有利于节约材料,降低电池成本。
异质面砷化镓背场太阳能电池

[发明专利]一种砷化镓基外延层剥离转移的方法-CN201410107176.7在审
发明人：吴立枢;赵岩;程伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明是砷化镓基外延层剥离转移的方法，1）稀释的盐酸清洗砷化镓基外延片和临时衬底表面；2）砷化镓基外延片正面旋涂光刻胶；3）砷化镓基外延片正面朝上放热板上烘烤；4）冷却后与临时衬底正面相对键合；5）将砷化镓基外延片砷化镓衬底去除优点：可将砷化镓基外延片上外延层完整转移到任意目标衬底上，工艺简单，转移中不会对砷化镓基外延层造成破坏。
一种砷化镓基外延剥离转移方法

[发明专利]一种赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN201110224351.7有效
发明人：章军云;高建峰;林罡 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法，低掺杂砷化镓层在InGaAs沟道及AlGaAs势垒层上；高掺杂砷化镓层在低掺杂砷化镓层；高掺杂砷化镓层上的源电极和与源电极间有漏电极；源电极和漏电极之间去除高掺杂砷化镓层提供A凹槽；该凹槽及高掺杂砷化镓层表面提供介质层；在A凹槽中去除低掺杂砷化镓层以提供B凹槽；栅电极金属位于介质层及B凹槽上。制作方法，利用MBE的方法形成InGaAs/AlGaAs/GaAs异质结材料，利用干法及湿法形成凹槽，利用等离子体增强化学汽相、蒸发方法形成介质层，制成双凹槽砷化镓赝配高电子迁移率晶体管。
一种赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种砷化镓低倍聚光太阳能电池-CN201610578967.7有效
发明人：易德福;守建川 -专利权人：江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓低倍聚光太阳能电池，包括低倍聚光器、砷化镓电池组件、散热架和水冷管道，所述砷化镓电池组件设置在低倍聚光器的低倍聚光焦斑所在区域，所述砷化镓电池组件包括框架和从上至下依次层压并装在框架内的透光保护层、第一填充层、砷化镓电池、第二填充层和背板，所述砷化镓电池组件的背面固定连接有若干条形散热架，所述散热架沿砷化镓电池组件背面宽度方向设置，并沿砷化镓电池组件背面长度方向均匀分布，所述散热架之间相互平行，
一种砷化镓低倍聚光太阳能电池

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法-CN201611129480.7有效
发明人：贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤1)将石墨烯转移至砷化镓外延片表面的窗口层表面，形成石墨烯层；2)在石墨烯层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；3)在砷化镓外延片衬底表面制备背面电极，在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极；4)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层，露出石墨烯层，在所述露出的石墨烯层表面制备减反层。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子
一种石墨砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法-CN202011426084.7有效
发明人：李穆朗;李宁;张晓光 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法。按如下步骤进行：厚度分选：砷化镓减薄片分选厚度120±5µm，每10片一组，厚度差小于等于3µm；配制粗抛液，将游星轮均匀放置在抛光盘面上，然后将选好的砷化镓减薄片背面向上放置在游星轮孔洞中，自查游星轮和砷化镓晶片自旋状况；双面粗抛程序；双面粗抛加工砷化镓晶片厚度至90µm；清洗甩干；贴膜；对背面贴膜的砷化镓晶片进行二次单面无蜡粗抛，加工至砷化镓晶片厚度80µm，清洗甩干；脱膜。本发明的实施，可以将120微米左右的砷化镓减薄片通过双面粗抛得到四英寸80微米双抛片，在保证表面质量的前提下整体平整度低于3µm，满足了市场需求，填补了技术空白。
一种英寸 80 微米砷化镓双抛片制作方法