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[发明专利]一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法-CN201911061684.5有效
发明人：周春锋;兰天平;边义午;宋禹;王东兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法，采用HGF法合成砷化镓多晶，去除尾部杂质富集多晶，剩余多晶王水处理清洗干净，砷化镓籽晶、砷化镓多晶、碳粉、氧化硼和少量黑砷装入PBN坩埚中，再装入石英管内抽真空焊接密封，装入多温区VGF单晶炉中，采用VGF/VB生长半绝缘砷化镓单晶，采用开管惰性气体保护单晶热处理，经头尾片测试证明生长出半绝缘砷化镓单晶性能达标。然后滚圆、多线切割、倒角、粗抛光，在氧气气氛和不饱和砷蒸汽保护条件下，对抛光片热处理，再经精细抛光、清洗、封装。技术效果是开发出砷化镓抛光片制备流程，同时结合新的晶片退火的技术，降低半绝缘砷化镓抛光片表面在强光灯下目检的亮、暗点缺陷。
一种低亮暗点英寸绝缘砷化镓抛光制备方法

[发明专利]一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器-CN201810944789.4有效
发明人：毛陆虹;李佳奇;谢生 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-19 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L31/167 文献下载
摘要：一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，包括有铟砷化镓基底层，铟砷化镓基底层上端面的一端设置有金金属漏极，另一端设置有金金属源极，在金属漏极和金属源极之间且位于铟砷化镓基底层上端面由下至上依次设置有作为沟道的砷化镓层、作为第一层势垒的铝化砷层、作为半导体量子阱的铟砷化镓层、作为第二层势垒的铝化砷层和作为吸光材料的N型铟砷化镓层，其中，铟砷化镓层、铝化砷层和N型铟砷化镓层两端与所对应的金属漏极和金属源极之间分别形成有氧化绝缘层，N型铟砷化镓层的上端面上设置有作为顶栅结构的金属铁电极层。
一种半导体光控赫兹量子振荡器

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池-CN201611130595.8在审
发明人：孙恒超;贾锐;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括背面电极；砷化镓外延片；窗口层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置；还包括石墨烯层，所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域本发明中，石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中，进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率，更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低，工艺简单，有利于产业化应用。
一种石墨砷化镓太阳电池

[发明专利]用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构-CN200910081987.3无效
发明人：刘王来;叶小玲;徐波;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构，包括：一N型砷化镓衬底；一N型砷化镓缓冲层，生长在N型砷化镓衬底上，用于隔离衬底上的缺陷；一N型铝镓砷光学下限制层，生长在N型砷化镓缓冲层上，用于光学模式和载流子的限制；一多层不同周期的自组织量子点有源层，生长在N型铝镓砷光学下限制层上；一P型铝镓砷光学上限制层，生长在该量子点有源层上，用于光学模式和载流子的限制；以及一P型砷化镓帽层，生长在该P型铝镓砷光学上限制层上，用于电极接触。
用于半导体放大器增益量子材料结构

[发明专利]一种砷化镓衬底的表面处理方法-CN201710504108.8在审
发明人：胡夕伦;闫宝华;刘琦;郑兆河;肖成峰 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种砷化镓衬底的表面处理方法，包括以下步骤：（1）对砷化镓衬底进行减薄；（2）将脉冲激光均匀作用于砷化镓衬底表面；（3）将脉冲激光作用后的砷化镓衬底用去离子水清洗；（4）将去离子水清洗后的砷化镓衬底用热氮烘干,得到表面洁净的砷化镓衬底。该方法简单，处理效率高，不引入刺激性化学试剂，只需借助脉冲激光、去离子水和热氮即可实现砷化镓衬底的表面清洁处理，处理后的砷化镓衬底表面无有机物、杂质颗粒，保证了后续金属蒸镀后的界面接触质量，防止产生掉电极
砷化镓衬底脉冲激光去离子水衬底表面热氮清洗表面清洁度表面洁净表面清洁产品良率处理效率化学试剂界面接触金属蒸镀均匀作用器件电压器件性能生产效率杂质颗粒有机物电极烘干减薄保证引入

[发明专利]砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方法-CN201310322211.2有效
发明人：巫江;刘利辉;刘沈厅;余鹏;徐星亮;丁庆华;李含东;周志华;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方案，属于红外光电探测器领域。砷化镓量子环红外光电探测器，包括衬底层（1）、生长在衬底层（1）上的砷化镓缓冲层（2），还包括在砷化镓缓冲层（2）上依次生长的砷化镓接触层（3）、砷化镓铝底部间隔层（4）、量子环结构层（5）；所述量子环结构层本发明通过使器件在外延生长过程中在砷化镓铝势垒材料中生长出三维结构的砷化镓量子环，避免了晶格失配应力，从而可以通过增加量子结构的叠层数来提高探测器有源区的光吸收，增加红外光电探测器的探测效率。
砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方法

[发明专利]砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用-CN202111205743.9有效
发明人：王仁洲;郑朝晖 -专利权人：上海季丰电子股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用，涉及砷化镓芯片技术领域。该砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法，采用特定原料组成以及配比的液体混合物与砷化镓芯片封装结构进行反应，并通过控制反应的时间以及温度，从而实现对砷化镓芯片封装结构中塑封体以及基底的完全去除，同时也不会对晶粒产生损伤本发明提供了上述砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法的应用，鉴于上述方法所具有的优势，使得所提取的晶粒不会受到腐蚀以及损伤，保证了晶粒的完整，为研究砷化镓芯片的失效分析提供了前提条件。本发明还提供一种砷化镓芯片的失效分析方法。
砷化镓芯片封装结构晶粒方法应用

[发明专利]一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法-CN200810113860.0无效
发明人：蒋中伟;王文新;陈弘;周均铭;郭丽伟;贾海强;李卫;高汉超 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。
一种砷化镓锑化镓覆盖层调制砷化铟量子材料及其生长方法

[实用新型]一种垂直腔面发射激光器的外延结构-CN202120500244.1有效
发明人：薛婷 -专利权人：福建慧芯激光科技有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种垂直腔面发射激光器的外延结构，包括砷化镓衬底，砷化镓衬底上依次沉积有砷化镓缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述有源层由依次设置的限制层、波导层和堆垛层、对称波导层以及对称限制层组成，所述堆垛层包括多个堆垛单元和设置在堆垛单元之间的第一砷化镓层，所述堆垛单元包括依次设置在第二砷化镓层、第一砷化铟镓层、砷化铟量子点层以及第二砷化铟镓层，所述第一砷化镓层的厚度在
一种垂直发射激光器外延结构

[发明专利]一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷的方法-CN202310327915.2在审
发明人：田庆华;刘左伟;许志鹏;郭学益 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷的方法，包括以下步骤：(1)向砷化镓碱性浸出液中加入酸调节pH，使浸出液中的砷和镓中和沉淀，沉淀完全后过滤分离得到中和渣和中和后液；(2)向中和渣中加入碱并加热溶解，得到镓砷富集液；(3)将镓砷富集液冷却，低温静置冷却结晶，然后抽滤分离得到含砷晶体和富镓母液；(4)将富镓母液通过旋流电积回收其中的镓离子，得到金属镓。本发明采用中和沉淀法工艺富集镓和砷，成本较低且操作简便，保证了电解液中镓的高浓度，后续采用冷却结晶脱砷，再旋流电积，脱砷后溶液中镓的浓度高，砷等杂质离子的浓度较低，有利于后续电积回收金属镓。
一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷方法

[实用新型]一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车-CN201721642209.3有效
发明人：李华山 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车。其中晶体管包括砷化镓基板，砷化镓基板上设置有第一DBR层，第一DBR层上设置有N型砷化镓渐变层，N型砷化镓渐变层上设置有N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层，N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层上设置有第二DBR层，第二DBR层上的一侧设置有P型磷化镓层，第二DBR层上的另一侧设置有VCSEL结构金属触点，P型磷化镓层上的一侧设置有LED结构金属触点，P型磷化镓层上的另一侧设置有N型砷化镓集电极衬底层。
晶体管集成晶体管磷化铝镓铟砷化镓基板砷化镓铟层渐变层砷化镓电路板本实用新型晶体管芯片电路设计结构金属金属触点衬底层集电极触点汽车芯片占用

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺-CN201310315978.2无效
发明人：吕云安;李玉萍;李磊 -专利权人：新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，本发明的技术方案要点是：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，将称量好的三碲化二镓放置在砷化镓原材料中，再将装有三碲化二镓的砷化镓原材料、籽晶及B2O3顺序放置在热解氮化硼坩堝内本发明对生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制，并同时使生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺

[实用新型]一种砷化镓太阳能电池组件-CN202223016411.9有效
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H02S40/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种砷化镓太阳能电池组件，包括电池部件、电池箱和机架，有多件所述电池部件安装在所述电池箱上，有多件所述电池箱安装在所述机架上，所述电池箱在所述机架上高低交错设置。本实用新型的有益效果是：采用多件电池箱构成砷化镓太阳能发电系统的电池组件，电池箱设置多件砷化镓太阳能电池，并通过透镜为砷化镓电池聚光，每件砷化镓电池设有散热器，电池箱高低交错设置，使砷化镓电池具有更好的散热空间，电池箱采用密封结构，可为砷化镓电池提供安全良好的工作环境。
一种砷化镓太阳能电池组件

[发明专利]一种砷化镓晶片的位错测定方法-CN202110091181.3在审
发明人：傅伟力;许冲;冉东海;李勇 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种砷化镓晶片的位错测定方法，包括以下步骤，S1、用研磨液将砷化镓晶片研磨至没有锯纹；S2、配制由过氧化氢、去离子水和氢氧化氨组成的腐蚀液，将研磨好的砷化镓晶片放入腐蚀液中腐蚀后取出冲洗干净，擦干；S3、将砷化镓晶片放入镍锅内烧KOH；S4、将砷化镓晶片从镍锅中取出后放入90‑100℃的去离子水中煮，待去除砷化镓晶片表面所有的KOH后，将砷化镓晶片冲洗干净，擦干；S5、在光学显微镜下观察晶体的晶胞方向以及位错密度本发明解决现有的砷化镓晶片的位错测定方法工艺比较复杂，晶片腐蚀坑密度不够清晰准确，砷化镓腐蚀位错的效率及EPD数量的准确性较低的问题。
一种砷化镓晶片测定方法

[发明专利]一种砷化镓单晶生长装置及生长方法-CN202011439182.4在审
发明人：王金灵;周铁军;严卫东;马金峰 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓单晶生长装置及生长方法，砷化镓单晶生长装置包括石英帽、石英管和氮化硼坩埚；在xyz的三维空间直角坐标系中，所述氮化硼坩埚置于所述石英管内部并且所述石英帽与所述石英管密封连接后，所述石英帽壁的内表面的空间位置符合函数关系本发明的砷化镓单晶生长装置可以显著提高大直径砷化镓单晶载离子浓度的均匀性，降低大直径砷化镓单晶载离子浓度的不均匀性，降低砷化镓单晶的位错密度；提高砷化镓单晶的质量，提高砷化镓单晶的直径，砷化镓单晶的生长直径达到
一种砷化镓单晶生长装置方法