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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能电池-CN201810878741.8有效
发明人：河廷珉;金圣辰;郑柱和;安俊勇;崔亨旭;张元宰;金在声 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
太阳能电池

[发明专利]高压半导体装置及其制造方法-CN201811453965.0在审
发明人：许健;韦维克;陈柏安;谢克·麦斯坦巴雪;戴许曼·普佳·瑞凡卓;巴提·莫尼卡;席德·内亚兹·依曼 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该高压半导体装置包含半导体基底，具有第一导电类型，第一高压阱设置于半导体基底内且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一埋层设置于第一高压阱上且具有第一导电类型，第二埋层和第三埋层设置于第一高压阱上且具有第二导电类型，其中第一埋层位于第二埋层与第三埋层之间，外延层设置于半导体基底上，其中第一埋层、第二埋层和第三埋层自半导体基底延伸至外延层内，以及源极区和漏极区设置于第一埋层上且具有第二导电类型。
埋层半导体基底第一导电类型导电类型高压阱高压半导体装置外延层漏极区源极区延伸制造

[发明专利]高压半导体装置-CN202110566453.0在审
发明人：郑允涵;潘钦寒;魏子乔 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：基板具有一第一导电类型。第一高压阱设置在基板上方，并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型。第二高压阱设置与第一高压阱相邻且接触，并且具有第一导电类型。第三高压阱设置与第一高压阱相邻且接触，并且具有第二导电类型。漏极区设置在第一高压阱内。栅极结构设置在源极区和漏极区之间。掺杂区设置在第三高压阱内，并且具有第二导电类型。
高压半导体装置

[发明专利]背面接触光伏电池的制造方法以及由该方法制造的背面接触光伏电池-CN201180021240.4有效
发明人： N·吉耶万;L·J·格林斯 -专利权人：荷兰能源建设基金中心
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种用于从第一导电类型的硅半导体衬底制造太阳能电池的方法，所述衬底具有正面和背面；所述方法包括：在背面上生成第一导电类型的掺杂层，作为背面掺杂层，作为太阳能电池中的背面场；在正面上生成第二导电类型的掺杂层，作为正面掺杂层，作为太阳能电池中的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；其中，所述方法还包括：在背面中生成凹陷，以形成第一导电类型的背面掺杂层的构图，以便生成背面场区，所述凹陷没有背面掺杂层材料
背面接触电池制造方法以及

[发明专利]高压半导体装置-CN202010263462.8在审
发明人：胡钰豪;江小玲;江岳竺;黄翊翔 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置，包括：衬底；基体区及阱区，位于衬底中且彼此分隔，其中基体区具有第一导电类型且阱区具有与第一导电类型相反的第二导电类型；块体区及源极，位于基体区中且彼此分隔，其中块体区具有第一导电类型且源极具有第二导电类型
高压半导体装置

[发明专利]半导体基底结构及半导体装置-CN201711164274.4有效
发明人：迪瓦;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例揭示一种半导体基底结构，包含半导体基底，具有第一导电类型，第一埋藏井区设置于半导体基底内，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，以及第一埋层和一第二埋层设置于半导体基底内和第一埋藏井区上，其中第一埋层具有第二导电类型，第二埋层具有第一导电类型，且第一埋层具有第一部分和第二部分，第二埋层位于第一部分和第二部分之间。
半导体基底结构装置

[发明专利]非对称双向瞬态电压抑制器及其形成方法-CN200680017002.5无效
发明人：龚璞如;黄俊仁;高隆庆;彭洪娇 -专利权人：威世通用半导体公司
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：该方法开始于提供第一导电类型的半导体衬底，并在衬底上淀积与第一导电类型相反的第二导电类型的第一外延层。衬底和第一外延层形成第一p－n结。在第一外延层上淀积具有第二导电类型的第二外延层。在第二外延层上形成具有第一导电类型的第三层。第二外延层和第三层形成第二p－n结。
对称双向瞬态电压抑制器及其形成方法

[发明专利]ESD器件、ESD器件的制作方法及EEPROM-CN201410542504.6有效
发明人：王孝远;郭兵;金凤吉;马燕春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：其中，该ESD器件包括：半导体基体和设置于半导体基体中的阱；栅极结构，设置于阱的表面上；源极和漏极，源极设置于阱中并位于栅极结构的一侧，漏极设置于阱中并位于栅极结构的另一侧，且源极和漏极的导电类型与阱的导电类型相反；离子注入区，设置于漏极中，且离子注入区的导电类型与漏极的导电类型相反。
esd 器件制作方法 eeprom

[发明专利]非易失性存储器及其制作方法-CN201410487435.3有效
发明人：彭坤 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该非易失性存储器包括：衬底；栅极结构，包括依次设置于衬底上的隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和栅极材料层；源极和漏极，设置于栅极结构的两侧的衬底中，且源极和漏极的导电类型与衬底的导电类型相反；掺杂半导体层，设置于漏极中并与捕获电荷层相连，且掺杂半导体层的导电类型与漏极的导电类型相反。
非易失性存储器衬底导电类型漏极掺杂半导体层捕获电荷层隧穿隧穿介质层栅极结构源极顶部介质层栅极材料层工作电压依次设置读写制作申请

[发明专利]CMOS器件及其制造方法-CN201010593032.9无效
发明人：吴孝嘉;郭立;韩广涛;颜剑 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS器件及其制造方法，所述CMOS器件，包括轻掺杂漏区域，所述轻掺杂漏区域中设置有一层掺杂层；所述掺杂层中掺杂的离子导电类型与轻掺杂漏区域中掺杂的离子导电类型相反。本发明所提供的CMOS器件及其制造方法中，在器件的轻掺杂漏区域中形成了一层掺杂层，且该掺杂层中掺杂的离子导电类型与轻掺杂漏区域中掺杂的离子导电类型相反，因此，当轻掺杂漏区注入剂量提高相应值时，所述掺杂层能够配合衬底加快轻掺杂区的耗尽速度
cmos 器件及其制造方法

[发明专利]沟槽存储器中位可擦嵌入式选择-CN202210382257.2在审
发明人： F·梅鲁尔;A·马扎基;M·阿克巴尔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：在实施例中，存储器单元包括与第二导电类型的第二掺杂阱接触的第一导电类型的第一掺杂阱，第二导电类型与第一导电类型相反，与第一导电类型的第四掺杂阱接触的第二导电类型的第三掺杂阱，与第二阱和第四阱接触的第一壁，第一壁包括导电的或半导体芯和绝缘护套，层的堆叠包括至少部分覆盖第二阱和第四阱的第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层和第二半导体层，以及位于第二阱和第四阱以及第一壁下方的第三半导体层。
沟槽存储器中位可擦嵌入式选择

[发明专利]高压半导体装置-CN201910187396.8有效
发明人：韦维克;陈鲁夫;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置，包含半导体衬底，具有第一导电类型，源极区和漏极区设置于半导体衬底上，其中漏极区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，且源极区包含分别具有第一导电类型和第二导电型的两个部分，第一隔离结构和第二隔离结构分别设置于漏极区的相对两侧，其中第一隔离结构在源极区与漏极区之间，第一阱设置于第二隔离结构下且具有第一导电类型，其中第一阱的顶面邻接第二隔离结构的底面，以及第一埋层设置于半导体衬底内且具有第一导电类型
高压半导体装置

[发明专利]光电能量转换器-CN200710301931.5无效
发明人：简·古斯塔夫·威尔森;刘强 -专利权人： JDS尤尼弗思公司
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：所述第一多层结构包括第一导电类型的半导体材料的第一基极层、第二导电类型的半导体材料的第一发射极层和第二导电类型的半导体材料的第一导电层；所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，从而在所述第一发射极层与所述第一基极层之间形成第一结区域所述第一电流阻挡层由所述第二导电类型半导体材料制成，所述第一电流阻挡层介于所述基底和所述第一多层结构之间。所述发射极层是碳掺杂的。
光电能量转换器

[发明专利]存储器及其工作方法和形成方法-CN201810007935.0有效
发明人：廖淼;潘梓诚 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种存储器及其工作方法和形成方法，其中，所述存储器包括：衬底；位于所述衬底中的第一阱区，所述第一阱区中具有第一掺杂离子；位于所述第一阱区顶部表面的第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；位于所述第二阱区表面的栅极结构；位于所述栅极结构一侧的第二阱区中的掺杂区，所述掺杂区中具有第三掺杂离子，所述第三掺杂离子的导电类型与所述第二掺杂离子的导电类型相反。
存储器及其工作方法形成

[实用新型]光电转换装置-CN201120176094.X有效
发明人：章灵军;吴坚;张凤;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电转换装置，具有受光面和背光面，主要包括：任意导电类型的半导体基板，贯穿半导体基板的孔洞，以及设置于半导体基板受光面和孔洞内壁上与半导体基板导电类型相反的半导体。通过本实用新型公开的光电转换装置，仅在受光面处的半导体基板和贯穿该半导体基板的孔洞内壁上，设置与该半导体基板导电类型相反的半导体，在两者相互作用下构成可实现将受光面上的光转换为电的结构，同时增加光电转换效率
光电转换装置

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