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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶体管沟道材料-CN202111331418.7在审
发明人： A·A·夏尔马;N·萨托;V·H·勒;S·阿塔纳索夫;A·S·古普塔;M·V·梅斯;H·J·允 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：例如，在一些实施例中，晶体管可以包括沟道材料，该沟道材料包括具有第一导电类型的半导体材料，并且沟道材料还可以包括掺杂剂，该掺杂剂包括：(1)绝缘材料；和/或(2)具有与第一导电类型相反的第二导电类型的材料
晶体管沟道材料

[发明专利]一种提高雪崩耐量的沟槽型MOSFET器件的制造方法-CN202310716520.1在审
发明人：马利奇;铃木键之;李旻姝;洪吉文;牛连瑞 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高雪崩耐量的沟槽型MOSFET器件的制造方法，包括在N型衬底上沉积N‑外延层并与衬底构成漏极区；在N‑外延层内形成具有预定扩散深度的P型基区；在P型基区区域内形成与该P型基区相反导电类型的
一种提高雪崩沟槽 mosfet 器件制造方法

[发明专利]低压差线性稳压器-CN201410184115.0有效
发明人：郑烷;胡铁刚 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：公开了一种低压差线性稳压器，包括：主电流路径，包括由相反导电类型的第一晶体管和第二晶体管构成的级联结构，该主电流路径的一端作为输入端，另一端作为输出端；采样电阻网络，连接在输出端和地之间，用于提供输出电压的采样电压
低压线性稳压器

[发明专利]半导体结构-CN200710108848.6有效
发明人：钟于彰;柳瑞兴;林月秋;许顺良;张启宣;夏德殷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：高压金属氧化物半导体装置用作该半导体结构，包括：第一高压阱区，形成于衬底上；第二高压阱区；具有与该第一及第二高压阱区相反导电类型的第三高压阱区，其中该高压P型阱区有至少一部分位于该第一高压N型阱区与该第二高压
半导体结构

[实用新型]低压差线性稳压器-CN201420222022.8有效
发明人：郑烷;胡铁刚 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：公开了一种低压差线性稳压器，包括：主电流路径，包括由相反导电类型的第一晶体管和第二晶体管构成的级联结构，该主电流路径的一端作为输入端，另一端作为输出端；采样电阻网络，连接在输出端和地之间，用于提供输出电压的采样电压
低压线性稳压器

[发明专利]二极管结构及半导体装置-CN202210051680.4在审
发明人：李京达;甘铠铨;罗宗仁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：基底具有第一导电类型，第一井区具有与第一导电类型相反的第二导电类型且设置于基底中，第一掺杂区具有第一导电类型且设置于第一井区中，环状井区具有第二导电类型，设置于第一井区中且围绕第一掺杂区，阳极设置于第一掺杂区上，第二井区具有第二导电类型，与第一井区分离且设置于基底中，第二掺杂区具有第二导电类型且设置于第二井区中，阴极设置于第二掺杂区上。
二极管结构半导体装置

[发明专利]高电压半导体器件及其制备方法-CN201480060275.2有效
发明人：马丁·克奈普 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：一种半导体漂移器件，包括：针对半导体材料的衬底中的漂移区而设置的第一导电类型的深阱(1)；在衬底的表面处的第一导电类型的漏极区(6)；在第一类型的深阱(1)的周边处的第一导电类型的浅阱(3)中的第一导电类型的多个源极区(5)；以及针对在第一类型的深阱(1)的周边处的多个栅极区而设置的相反的第二导电类型的一个或多个深阱(2)。栅极区由布置在第一类型的浅阱(3)之间的第二类型的深阱(2)中的第二导电类型的浅阱(4)形成。
电压半导体器件及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201510892086.8有效
发明人：河廷珉;金圣辰;郑柱和;安俊勇;崔亨旭;张元宰;金在声 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010146850.8有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底包括第一区、以及与所述第一区相邻的第二区，所述第一区包围所述第二区；位于所述第一区表面的第一掺杂层，所述第一掺杂层内掺杂有第一导电类型离子，且所述第一导电类型离子具有第一浓度；位于所述第二区表面的第二掺杂层，所述第二掺杂层内掺杂有第一导电类型离子，所述第一导电类型离子具有第二浓度，且所述第二浓度小于所述第一浓度；位于所述第二掺杂层表面的第一沟道柱，所述第一沟道柱内掺杂有第二导电类型离子，且所述第二导电类型离子的导电类型和所述第一导电类型离子的导电类型相反。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]利用新的单元几何结构增强固态功率半导体器件特性-CN202210103430.0在审
发明人：阿拉什·萨莱米;大卫·谢里登 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该器件包括重掺杂第一导电类型的衬底和在衬底上形成的轻掺杂第一导电类型的外延层。衬底和外延层之间的缓冲层以衬底和外延层之间的掺杂水平掺杂第一导电类型。一种单元，包括掺杂有在外延层中形成的第二导电性的本体区域。第二种导电类型与第一种导电类型相反。所述单元包括掺杂有第一导电类型且形成在至少所述本体区域中的源极区域。所述器件还包括掺杂有第二导电类型的短接区域，所述第二导电类型形成于外延层中，所述外延层通过所述单元的本体区域与所述单元的源极区域分离，其中所述短接区域与所述源极区域导电耦合。
利用单元几何结构增强固态功率半导体器件特性

[发明专利]太阳能电池-CN202111338866.X在审
发明人：曹海宗;吴东海;郑柱和;安俊勇 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN201810110898.6有效
发明人：曹海宗;吴东海;郑柱和;安俊勇 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。
太阳能电池

[发明专利]用于光探测器阵列的前侧电触点及其制造方法-CN200780014816.8无效
发明人：罗宾·威尔逊;康纳尔·布罗冈;休·J·格里芬;科马克·麦克纳马拉 -专利权人：艾斯莫斯技术有限公司
申请日： 2007-03-02 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：一种光电二极管，其包括半导体，该半导体具有前和后侧表而以及由本征层分开的具有相反导电性的第一和第二有源层。填充有导电材料的多个隔离沟槽延伸到第一有源层中，将光电二极管分成多个单元，并形成与每个单元下方的第一有源层电连通的中心沟槽区。侧壁有源扩散区沿着每个侧壁延伸沟槽深度，并通过用第一导电性的掺杂剂掺杂至少部分侧壁而形成。第一触点经由中心沟槽区与每个单元下方的第一有源层电连通。多个第二触点分别与所述多个单元之一的第二有源层电连通。
用于探测器阵列前侧电触点及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200510099274.1有效
发明人：益冈完明 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种高质量的半导体器件，其能够单独控制存在于多个一种导电型的区和相反导电型的区中的晶体管的栅电极的阈值电压值。
半导体器件

[发明专利]光电转换器件与图象读取器件-CN97101041.2无效
发明人：小开;须川成利 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1997-01-22 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种光电转换器件，包括：第一导电型的半导体衬底；在半导体衬底的一个表面上形成的多个第一半导体区，其导电类型与衬底的相反；配置在所形成的多个第一半导体区之间的第二半导体区，其导电类型与第一半导体区的相同；以及配置在第一和第二半导体区之间的第三半导体区，属于第一导电型，其杂质浓度比半导体衬底的要高，由于形成了导电类型与衬底相反的象素分隔区作为象素间的载流子陷阱，以便俘获无用的载流子，从而减小了串扰。
光电转换器件图象读取

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