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[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法-CN201811209654.X有效
发明人：陈华荣;张洁;廖弘基;陈泽斌 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法，高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置包括生长坩埚；生长坩埚底部插有气管；生长坩埚顶部设置有生长坩埚盖；生长坩埚内部放置有碗状结构的原料坩埚；原料坩埚上部设置有挡板；原料坩埚底部设置有环状支撑的原料坩埚底脚；原料坩埚底脚的直径为原料坩埚直径的1/8；原料坩埚底脚上设置有均匀分布的8个～36个气孔。本发明的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置采用特殊材质的原料坩埚，避免碳化硅原料与石墨直接接触，使得碳化硅原料与生长坩埚隔离，避免生长坩埚及保温层中带N，B等杂质进入原料，避免了生长过程引入杂质，且原料坩埚和生长坩埚可以重复回收利用
一种高纯绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法

[发明专利]制备无排除区的外延用结构的工艺-CN200810098657.0有效
发明人： C·阿雷纳;F·勒泰特 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备无排除区的外延用结构的工艺，外延用复合结构包括支撑衬底上的至少一层半导体材料的晶体生长籽晶层，支撑衬底和晶体生长籽晶层各自在其结合面的外围包括倒角或边缘倒圆区。该工艺包含至少一步的将晶体生长籽晶层直接结合到支撑衬底的的晶片结合步骤和至少一步的晶体生长籽晶层的减薄步骤，所述的晶体生长籽晶层在减薄后具有与其初始直径相同的直径。
制备排除外延结构工艺

[发明专利]一种远程监测树木直径生长量的方法-CN201711384636.0在审
发明人：杨志高;张贵;肖化顺 -专利权人：中南林业科技大学
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G01B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种远程监测树木直径生长量的方法，步骤1：在待测的树木上安装抱箍式固定机构；步骤2：通过读数机构读取测量数据，并换算出直径；所述的抱箍式固定机构包括第一弧形部件(1)、第二弧形部件(2)、伸缩筋(4)；所述的第一弧形部件和第二弧形部件上均设有用于挂伸缩筋的挂钩(3)；第一弧形部件和第二弧形部件与2根伸缩筋组成的封闭环状机构将待测的树木环绕并抱紧；抱箍式固定机构还包括2个连杆，换算的方法为：直径该远程监测树木直径生长量的方法易于实施，能实现直径及生长量的自动连续测量。
弧形部件直径生长量树木固定机构远程监测伸缩筋抱箍式换算读取安装抱箍测量数据读数机构封闭环状自动连续生长量抱紧环绕测量挂钩

[发明专利]用于单晶硅生长过程控制的智能PID控制方法及其系统-CN200810239837.6有效
发明人：焦建耀 -专利权人：北京太克易航科贸有限公司
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：鉴于常规PID控制器难以对单晶硅的生长过程进行有效的控制，特提供一种适用于各种直拉式单晶硅生长设备的智能PID控制方法及其控制系统。该方法中，首先对单晶硅晶体的生长过程进行监控，采集单晶硅的直径与预定直径的偏差；根据单晶硅直径与预定直径的偏差，基于模糊控制理论进行分类，根据分类后的直径偏差计算对拉速进行控制所需的积分分量和微分控制分量
用于单晶硅生长过程控制智能 pid 方法及其系统

[发明专利]一种异形尺寸的直拉单晶硅及其生长方法-CN201310267769.5无效
发明人：孙新利 -专利权人：浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种异形尺寸的直拉单晶硅及其生长方法，该直拉单晶硅具有至少两个等直径尺寸部，该直拉单晶硅前端设有细颈部，后端设有具有锥度的尾部，等直径尺寸部之间设有直径过渡部。本发明根据单晶硅电阻率分布及单晶尺寸进行搭配生产，采用引晶、放肩、转肩、等径一部过程、直径过渡、等径二部过程、收尾步骤工艺进行生长，得到一根异形尺寸晶棒，尺寸及长度可按照任务单预先估算，本发明将不同直径的单晶硅结合在同一根晶棒上进行生长
一种异形尺寸单晶硅及其生长方法

[发明专利]硅单晶生长方法以及设备-CN201980008970.7有效
发明人：姜钟珉;崔日洙 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：一实施方式提供了硅单晶生长方法，所述方法包括如下步骤：(a)使单晶的肩部垂直生长；(b)在垂直生长后，使肩部水平生长；以及(c)在肩部水平生长后，使肩部以向下凸出的形状生长，其中，根据基于步骤(b)和(c)的肩部最终直径和肩部生长高度，肩部以预设速率生长。
硅单晶生长方法以及设备

[实用新型]一种基于物联网的园林管理系统-CN201822086613.8有效
发明人：张玉来 -专利权人：安徽玉野建设工程有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： A01G25/16 文献下载
摘要：一种基于物联网的园林管理系统，包括土壤环境检测模块、树木生长状态检测模块、灌溉模块以及控制模块；所述土壤环境检测模块，检测土壤的温湿度情况；所述树木生长状态检测模块，检测树木直径；所述灌溉模块，对树木进行灌溉；所述控制模块，根据树木直径判断树木生长阶段以及适宜生长的土壤湿度，然后根据土壤实际湿度是否低于适宜生长的土壤湿度来控制灌溉模块的启闭，调节土壤湿度。能够根据树木不同生长阶段调节提供不同的土壤湿度环境，更易于树木生长。
树木生长园林管理土壤物联网树木状态检测模块检测模块控制模块土壤环境灌溉本实用新型控制灌溉生长阶段湿度环境直径判断生长检测启闭

[发明专利]双金属氧化物催化剂及其用于制备直径可控的单壁纳米碳管的方法-CN03141575.X无效
发明人：李昱;张孝彬;丁志鹏;徐军明;沈利华;黄宛真;杨晓芳;孔凡志;陶新永;程继鹏;陈飞;刘芙 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-07-08 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： B01J23/881 文献下载
摘要：通过调节催化剂活性组分的配比可以控制生长的单壁纳米碳管的直径。既可以生长直径单一的单壁纳米碳管，也可以生长出直径有一定分布范围的单壁纳米碳管。单一直径的单壁纳米碳管的直径为0.87±0.05nm，具有直径分布的纳米碳管的直径为0.75～1.3±0.1nm。
双金属氧化物催化剂及其用于制备直径可控纳米方法

[发明专利]导电和绝缘准氧化锌衬底及垂直结构的半导体发光二极管-CN200510079707.7有效
发明人：彭晖;彭一芳 -专利权人：金芃;彭晖
申请日： 2005-06-27 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示导电的和绝缘的准氧化锌生长衬底，生长技术和工艺。氧化锌与氮化镓的晶格常数之间的失配很小(2.2％)，氧化锌晶片被认为是最具潜力的氮化镓基外延层生长衬底。但是，氧化锌晶片的导热率低，直径小，生长成本高。生长准氧化锌生长衬底的主要工艺步骤如下：在硅晶片或蓝宝石生长衬底上，依次层叠中间媒介层和氧化锌层，由此得到绝缘的准氧化锌生长衬底。在导电的硅晶片上，依次层叠导电的中间媒介层和导电的氧化锌层，由此得到大直径的导电的准氧化锌生长衬底。导电的和绝缘的准氧化锌生长衬底可以用于生长垂直结构(vertical)的氮化镓基和氧化锌基半导体发光二极管。
导电绝缘氧化锌衬底垂直结构半导体发光二极管

[发明专利]石墨托以及装有石墨托的晶体生长炉-CN201510418813.7有效
发明人：鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨托以及装有石墨托的晶体生长炉，所述石墨托为中部截面直径小于两端截面直径的回转体结构。所述晶体生长炉，包括：位于反应室内的石墨托，以及设置在所述反应室周向的加热装置，其特征在于，所述石墨托为中部截面直径小于两端截面直径的回转体，所述石墨托上部设有台面，所述加热装置的位置配合所述石墨托以对其进行加热本发明设置的石墨托中部设有径向尺寸较小的中部，在石墨托外周设置的加热装置向石墨托进行振荡加热后，石墨托上部的台面能够获得较为均匀的热量，热量在台面上分布较为均匀，从而保证衬底上的温度较为均匀，为晶体外延生长过程中提供了均匀的温度环境，保证衬底上晶体外延生长均有较好的均匀性。
石墨以及装有晶体生长

[实用新型]碳化硅外延炉兼容小盘基座-CN201320640651.8有效
发明人：冯淦;赵建辉 -专利权人：瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型提出碳化硅外延炉兼容小盘基座，实现了在同一个小盘基座上实现碳化硅外延晶片的多尺寸兼容生长。碳化硅外延炉兼容小盘基座，包括圆盘基座和外限位圆环，所述圆盘基座中部凸起形成一个用于外延生长碳化硅外延晶片的圆盘平台；所述外限位圆环套设在所述圆盘平台边沿，并且外限位圆环的上表面高于圆盘平台的上表面，还包括分开独立的内限位圆环，该内限位圆环可放置于所述圆盘平台上；所述内限位圆环的外圆直径等于或略小于所述圆盘平台的直径，所述内限位圆环的内圆直径等于或略大于用于外延生长碳化硅外延晶片的碳化硅衬底的直径，所述内限位圆环的厚度等于或略小于用于外延生长碳化硅外延晶片的碳化硅衬底的厚度
碳化硅外延兼容小盘基座

[发明专利]一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法-CN202310106414.1在审
发明人：常娟雄;王一;黄永;卢灏;邱慧嫣;程晨言;陈兴;陈财;龚子刚;万坤;董栩婷;邵语嫣;薛荣宇;王东;吴勇;韩超 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长牺牲层；牺牲层内具有形成蜂窝状结构的多个外延孔，外延孔贯穿牺牲层，且外延孔远离衬底的一端的直径小于靠近衬底的一端的直径；在外延孔内以及牺牲层上外延生长氮化镓层。本发明中的方法，能够过滤来自衬底的穿透位错，减小了生长于牺牲层上方的氮化镓层的开裂的可能性，实现高质量氮化镓层的外延生长。
一种氮化外延生长方法制备

[发明专利]一种ZnO纳米棒阵列尺寸可控生长方法-CN200910067407.5无效
发明人：杨丽丽;杨景海;高铭;刘晓艳;王睿 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2009-08-12 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnO纳米棒阵列尺寸可控生长的方法，该方法是先在衬底上制备ZnO晶核层，再利用化学水浴沉积法进行纳米棒阵列的生长，通过改变ZnO纳米颗粒的密度和大小从而控制ZnO纳米棒阵列的直径大小，本发明两步化学水浴沉积法不但具有操作简单，93℃低温生长，低耗费，适于在除塑料外的任何衬底上生长，易于实现大规模生产等优点。而且通过调节晶核层ZnO纳米颗粒的密度和大小，成功实现了ZnO纳米棒阵列直径大小可控生长。本发明为其他纳米材料尺寸可控生长提供了有效后备方法。
一种 zno 纳米阵列尺寸可控生长方法

[发明专利]一种新型直拉单晶直径检测方法-CN202111362754.8在审
发明人：杨昊;李海峰;杨阳;李向宇;孙自阳 -专利权人：弘元新材料（包头）有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型直拉单晶直径检测方法，涉及直拉单晶检测技术领域。本发明包括以下步骤：第一步：使用工业摄像头采集单晶生长光圈图像；第二步：根据所得到的单晶生长图像拟合处光圈直径，对晶体直径测量，得到硅单晶的直径测量值；第三步：将单晶直径的测量值带入晶棒重量的计算公式内得出晶棒的重量本发明通过采用系统实施检测，在直径异常时，触发长重比系数上下限报警，及时提醒操作人员调整直径，能够避免直径过大或过小，出现加工不良，成本浪费的现象，且适用于任意规格的晶棒直径检测，有效避免直径异常造成的成本浪费
一种新型直拉单晶直径检测方法

[发明专利]一种碳化硅晶体生长的控制方法及装置-CN202210131936.2在审
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体生长的控制方法及装置，其属于晶体生长技术领域，碳化硅晶体生长的控制方法包括先控制籽晶靠近助熔剂移动，并浸入助熔剂，直至称重机构的测量值变化至第一设定值；控制所述籽晶远离所述助熔剂移动，直至所述称重机构的测量值由所述第一设定值增大至第二设定值；根据所述称重机构的测量值的变化计算生长的碳化硅晶体的生长直径；根据所述碳化硅晶体的生长直径调节所述籽晶远离所述助熔剂移动的速度。本发明能够根据碳化硅晶体的生长情况控制籽晶的移动速度，降低籽晶移动过快或过慢的几率，进而保证生长的碳化硅晶体的品质。
一种碳化硅晶体生长控制方法装置