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[发明专利]直拉晶体生长方法及其设备-CN202310315825.1在审
发明人：冯睿超;赵言 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉晶体生长方法及其设备，所述直拉晶体生长方法包括采用直拉法生长晶体至等径生长的后期，并获取晶体的等径长度、测量直径及工艺信息；提供历史数据库，从历史数据库中获得与晶体相应的模拟直径；比较测量直径与模拟直径的差异是否小于或等于预设差值；若是，以测量直径作为当前直径执行工艺控制；若否，以模拟直径作为当前直径执行工艺控制。本发明中，通过模拟直径结合预设差值使当前直径始终锚定在模拟直径的允许波动范围内并使该当前直径紧跟测量直径波动而变化，因此将该当前直径用于控制晶体等径生长的直径时，可使得晶体直径稳定在模拟直径的波动范围内，防止晶体直径大幅振荡。
晶体生长方法及其设备

[发明专利]一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法-CN202210644790.1在审
发明人：逯占文;王学卫;张靖;邢治国;文皓;陈一凡 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法，其基于PSO优化的KNN算法。本发明的优点：针对单晶硅生长过程中直径控制问题，利用了大量不同熔融炉的历史生长数据，并将不同生长阶段划分为不同数据集。训练结束后，应用阶段可以将晶体生长数据输入回归模型，给出历史相似参数下的生长直径，并预测下一时刻晶体生长直径。利用PSO优化的带权重KNN回归计算模型，实现了晶体生长直径预测功能；对于优化晶体生长直径控制算法、减小直径波动和提高硅晶体质量具有重要意义。
一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法

[发明专利]一种区熔硅单晶的分段式转肩方法-CN202211559984.8在审
发明人：尚锐刚;王永涛;刘建涛;李明飞;闫志瑞;高源;聂飞 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B13/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种区熔硅单晶的分段式转肩方法，包括步骤：(1)设定分段式转肩直径位置，设定值比目标直径小5mm；(2)设定单晶加热功率曲线参数及生长角度；在单晶直径到达转肩直径前，单晶加热功率按照单晶直径的增长而增加；在单晶直径超过转肩直径后，单晶加热功率不再与单晶直径正相关，而与单晶生长长度正相关；单晶直径接近目标直径时，单晶生长角度会有先减小后增加，然后逐渐减小，单晶直径到达目标直径时，减少至0；(3)按照设定的加热功率参数和生长角度进行单晶生长本发明可将转肩直径波动可降低至1mm以内，减小了转肩长度，并且显著提高了转肩成功率和产品收率。
一种区熔硅单晶段式方法

[发明专利]区熔晶体的自动生长方法及系统-CN201580000631.6有效
发明人：刘和松;陈辉;张立杰;伍月爽;尚锐刚;周冰;杨凯;高辉 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司;北京天能运通晶体技术有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： C30B13/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种区熔晶体的自动生长方法及系统，方法包括如下步骤：在自动扩肩生长阶段，当单晶的直径大于某层圆台形生长区间的下底面直径且小于上底面直径时，单晶所处的生长区间即为该层圆台形生长区间；单晶在所处的已配置生长参数的生长区间生长；其中，生长参数至少包括多晶下降速度和加热功率，分别按照已配置的函数关系调整使单晶按照所处的生长区间已配置的生长角度生长；其中，生长角度指的是圆台母线与下底面之间的夹角；当单晶的直径达到目标值时，切换至自动等径生长阶段，此时，单晶所处的生长区间是最上层的生长区间，单晶在该生长区间沿轴向生长。本发明生长的单晶的实际形状可以预知。
晶体自动生长方法系统

[发明专利]单晶生长控制方法、装置和存储介质-CN202111109773.X在审
发明人：刘义俊;丛培强 -专利权人：无锡唯因特数据技术有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶生长控制方法、装置和存储介质，涉及单晶制造技术领域，所述方法包括：在拉晶前获取直径信息，所述直径信息包括测量得到的坩埚内壁的真实直径、单晶生产规格所需的目标直径以及通过视觉采集系统采集到的所述坩埚的采集直径；在拉晶过程中，通过所述视觉采集系统定时采集单晶生长图像，根据所述单晶生长图像获取单晶生长光圈与所述坩埚内壁的直线距离；根据在预设周期内定时获取到的各个直线距离，计算在所述预设周期内所述直线距离的变化速度；根据所述直径信息和所述变化速度控制单晶生长。解决了现有技术中单晶生长控制存在滞后的问题，达到了可以灵活快速的实时控制单晶生长的效果。
生长控制方法装置存储介质

[发明专利]异形感应线圈制备碳化硅单晶的生长装置及方法-CN202210504009.0在审
发明人：张明轩 -专利权人：张明轩
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种异形感应线圈制备大尺寸高质量碳化硅单晶的生长装置及方法，生长装置包括：生长坩埚、保温层、石英管和异形感应线圈。生长坩埚内部顶端设置籽晶片，生长坩埚底部盛放高纯度碳化硅粉料；保温层包裹在生长坩埚外部，保温层外部设置有石英管，石英管外部环绕异形感应线圈；异形感应线圈由一根铜管螺旋缠绕制成，不同部位的直径关系为：下部直径小于上部直径，上部直径小于中部直径。本申请的优点在于：通过优化线圈直径和螺距获得生长坩埚内部合理温度梯度，稳定碳化硅升华速率，降低缺陷的产生，可以实现大尺寸、高质量的碳化硅单晶制备。
异形感应线圈制备碳化硅生长装置方法

[发明专利]一种基于生理效应的作物茎直径生长速率预测方法-CN201610414321.5有效
发明人：左志宇;卓敏敏;毛罕平;张晓东;李青林;倪纪恒;秦丽娟;谭洁 -专利权人：江苏大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G06F19/10 文献下载
摘要：本发明公开一种基于生理效应的作物茎直径生长速率预测方法，通过研究作物茎直径生长速率与空气温度和光照强度的关系，采用线性回归方法建立基于生理效应的作物茎直径生长速率预测模型，实现对作物茎直径生长速率的精确预测本发明能及时了解作物生长状况，更加准确的判断作物生长发育的进度，为合理的安排设施农业生产和管理提供理论依据和决策支持，可用于现代设施农业环境控制。
直径生长生理效应速率预测设施农业环境作物生长状况决策支持设施农业线性回归作物生长可用光照发育进度预测研究管理生产

[发明专利]晶体生长直径的控制方法、装置、设备及计算机存储介质-CN202110949748.6有效
发明人：宋少杰;宋振亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶体生长直径的控制方法、装置、设备及计算机存储介质；所述控制方法包括：在等径生长阶段预先获取液位间距的变化值以及相应的晶体生长直径偏差值，并确定所述液位间距的变化值以及晶体生长直径偏差值之间的对应关系；根据所述对应关系以及液位间距的变化速度，确定直径自动控制装置ADC的目标位置并水平移动所述ADC装置至所述目标位置；在所述ADC装置移动至所述目标位置后，调整光学高温计传感器接收的亮度值为目标亮度值；其中，所述目标亮度值用于表征所述晶体的生长直径为目标生长直径。
晶体生长直径控制方法装置设备计算机存储介质

[发明专利]晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质-CN202110727814.5有效
发明人：张建成 -专利权人：西门子（中国）有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明提供了晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质，该方法包括：获取晶体需要生长到的目标直径；实时采集晶体在生长过程中的实际直径；将目标直径和实际直径作为PID控制的输入，得到PID输出值；根据目标直径和实际直径本方案能够提高在晶体生长过程中对提升速度进行控制的精度。
晶体生长过程提升速度控制方法装置可读介质

[发明专利]晶锭生长控制装置及其控制方法-CN201780076064.1在审
发明人：朴玹雨;金世勋 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及晶锭生长控制装置及其控制方法，所述晶锭生长控制装置及其控制方法能够在晶锭生长过程中快速准确地控制晶锭的直径并提高晶锭的质量。根据本发明的晶锭生长控制装置及其控制方法的特征在于，当输入单元提供通过过滤晶锭的直径测量值而获得的直径数据时，直径控制器通过反映直径数据控来制所述晶锭的提拉速度，并且同时，温度控制器通过反映直径数据来控制加热器的功率
晶锭生长控制直径数据控制加热器温度控制器直径控制器生长过程输入单元直径测量提拉过滤

[发明专利]单晶硅生长控制方法、装置、设备及计算机存储介质-CN202110717958.2在审
发明人：华焱 -专利权人：无锡松瓷机电有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅生长控制方法、装置、设备及计算机存储介质。单晶硅生长控制方法包括：在放肩过程且进入转肩判断流程后，判断是否达到ti+1时刻；若达到ti+1时刻，获取晶体直径d、以及ti时刻与ti+1时刻之间的时间间隔，计算晶体直径生长速率vi；在晶体直径生长速率vi等于预定生长速率阈值时，判断晶体直径di+1是否达到第一预定直径；若晶体直径d直径和直径生长速率同时作为转肩工序的触发条件，可以缩小转肩工序结束时晶体的直径与目标直径之间的差值，提高转肩的准确度，提升成棒率。
单晶硅生长控制方法装置设备计算机存储介质

[实用新型]一种水生植物根际微生物的取样结构-CN201520273799.1有效
发明人：王文林;刘波;唐晓燕;万寅婧;李文静;李强;盛明;庄巍;何斐;梁斌;李维新;邹长新;潘国权;王昌群 -专利权人：环境保护部南京环境科学研究所;南通大学
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C12M1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水生植物根际微生物的取样结构，其中：包括由若干个生长槽模块依次拼接而成生长槽主体，生长槽主体上设有沿轴向延伸的生长槽，生长槽的槽径随其远离水生植物根基的距离而逐渐递减，相邻生长槽模块之间粘结固定，取样结构还包括有机薄膜，有机薄膜能覆盖在生长槽上阻隔直径大于膜孔径的颗粒物质进入生长槽，伸入生长槽中的植物根的直径随其远离根基的距离而逐渐递减，生长槽的槽径递减幅度与植物根的直径递减幅度相适应。本实用新型具有能原位定量无干扰采集水生植物根不同部位根际微量沉积物、能根据根的不同部位直径设计相应槽径的生长槽、生长槽模块之间采用玻璃胶粘结，拆分方便的优点。
一种水生植物微生物取样结构

[发明专利]一种根据生长角度控制区熔单晶自动生长的方法-CN201711011148.5在审
发明人：尚锐刚;王永涛;李明飞;白杜娟;高源;鲁进军;张建;闫志瑞 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种根据生长角度控制区熔单晶自动生长的方法。在该方法控制的区熔单晶自动生长过程中，通过设置单晶生长角度，并且考虑由于单晶直径和熔区深度变化造成的熔区体积变化，从而精确计算出单晶达到预设直径时所需的多晶移动速度。同时线圈功率按照以直径为函数的曲线变化，该函数曲线通过手动拉晶数据拟合得到，在计算过程中，由于预设单晶直径与单晶生长角度有关，故线圈功率也是随单晶生长角度变化。通过如上设置保证多晶移动速度和线圈功率均为单晶达到预设直径的所需数值，且相互匹配，最终保证区熔单晶自动生长的精确控制。采用本方法生长出的区熔硅单晶不受设备与多晶原料影响，单晶肩部具有标准的外形尺寸，一致性非常高。
单晶生长单晶生长线圈功率预设控制区多晶熔区区熔硅单晶多晶原料方法控制函数曲线计算过程角度变化曲线变化深度变化生长过程数据拟合体积变化移动肩部拉晶匹配保证

[发明专利]直径转变的直拉单晶硅生长方法-CN201310191294.6有效
发明人：潘金平;王伟棱;郑欢欣;邵晓安;应路路;郑春松;饶伟星;王飞尧 -专利权人：杭州海纳半导体有限公司
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种直径转变的直拉单晶硅生长方法；包括如下步骤：A、根据晶棒从头至尾轴向电阻率分布情况以及不同尺寸硅片的电阻率需求情况，设定需要转变的单晶直径大小以及一个开始直径转变的单晶等径长度L；B、进行正常的直拉单晶硅生产，包括熔料、稳温、引晶、放肩以及转肩步骤；C、根据步骤A设定的直径转变大小和直径转变长度，进行第一个等径生长步骤，当第一个等径生长步骤的单晶等径生长至指定长度L时，开始进行直径转变；D、单晶硅的直径转变为需要的直径后，再进行下一个等径生长步骤；E、单晶硅棒的长度达到生产要求后进行收尾过程。
直径转变单晶硅生长方法

[发明专利]单晶体的制造方法和制造装置-CN201510691694.2有效
发明人：佐藤利行 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C30B13/30 文献下载
摘要：本发明的单晶体的制造方法具有：锥形部培养工序，一边使在晶种的上方生长的单晶体的晶体直径增加一边使单晶体生长；以及直筒部培养工序，在将晶体直径保持为固定的状态下使单晶体生长。锥形部培养工序包含：分别测定当前的原料直径和晶体直径的步骤；参照将单晶体生长单位长度时的晶体直径的目标增加量即直径差与增加前的晶体直径关联起来记录的直径差分布来求取与当前的晶体直径对应的直径差的步骤；求取对当前的晶体直径加上直径差后的目标晶体直径的步骤；以及计算对目标晶体直径与当前的原料直径的比的平方乘以当前的晶体传送速度而得到的目标原料传送速度的步骤。
单晶体直径差单晶体生长目标晶体制造装置锥形部制造目标增加原料传送直径增加固定的直筒部晶种传送关联生长记录

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