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[实用新型]一种新型磁吸式油位传感器结构-CN201821133627.4有效
发明人：吕平平;沈佳佳;陈良;李丽涓;周玉强;陈彬辉 -专利权人：浙江湖州新京昌电子有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G01F23/26 文献下载
摘要：一种新型磁吸式油位传感器结构，包括陶瓷基板、下导体电子浆料、上导体电子浆料、电阻电子浆料、胶水组合物、簧片以及盖子，下导体电子浆料固定在陶瓷基板的上，上导体电子浆料的一部分与下导体电子浆料的连接端交叉且位于下导体电子浆料的上方，下导体电子浆料和上导体电子浆料的交叉部分之间设有介质电子浆料，电阻电子浆料通过高温烧结固定于下导体电子浆料的上表面。本实用新型的优点在于：它能解决下导体电子浆料能从上导体电子浆料下面交叉布线的情况下，通过在下导体电子浆料和上导体电子浆料之间印刷一层介质电子浆料用于绝缘两者短路问题，避免了打孔，节约生产成本，减少了实孔金属化泄漏的风险
电子浆料下导体上导体电阻电子浆料油位传感器陶瓷基板磁吸式导体电子浆料节约生产成本本实用新型短路问题高温烧结交叉布线金属化连接端上表面打孔胶水盖子簧片绝缘实孔泄漏印刷

[发明专利]具有传导网状物的燃料电池电极-CN201180034337.9有效
发明人：安德鲁·T·豪格;史蒂文·J·哈姆罗克;格雷戈里·M·豪根;马克·A·舍内威尔 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种燃料电池电极层，其可包括催化剂、电子导体和离子导体。在所述电极层中具有多个富含电子导体的网状物和多个富含离子导体的网状物，所述富含离子导体的网状物散布于所述富含电子导体的网状物中。与所述富含电子导体的网状物相比，在所述富含离子导体的网状物中的所述离子导体与所述电子导体的体积比较大。在包括所述电极层的燃料电池的工作过程中，电子的传导主要发生在所述富含电子导体的网状物中，并且离子的传导主要发生在所述富含离子导体的网状物中。
具有传导网状燃料电池电极

[发明专利]新半导体电子原理技术与器件-CN202010702431.8在审
发明人：汪克明;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：汪克明;汪润泽
申请日： 2020-07-04 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：新半导体电子原理技术与器件，是半导体科学技术的根本变革，揭示半导体电子器件的工作是电导率变化，以电导率变化为基础的新半导体电子原理、技术、无源半导体电子器件和新软件与操作系统，取代以电流变化为基础的现半导体电子原理、技术、有源半导体电子器件和现软件与操作系统在所有半导体电子技术和设备中的应用，发明高稳定性可靠性和低功耗的新半导体电子器件，有效解决半导体电子器件发热等关键问题，在80℃以下环境温度中保持正常、稳定和可靠工作涉及半导体电子原理与技术、器件结构和工作原理、电路设计、器件制造和材料，产品功能与特性，属半导体电子技术领域。
半导体电子原理技术器件

[发明专利]一种载流子转换效率测量平台和方法-CN202011446342.8有效
发明人：黄善杰;王岭雪;许方宇;蔡毅;宋腾飞 -专利权人：中国科学院云南天文台;北京理工大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种载流子转化率测量平台和方法，包括真空腔体，真空腔体内有电子束发生系统，电子束发生系统配有电子束流量检测装置。电子束发生系统前方有阳极靶面，阳极靶面为带中心圆孔的环形导体，中心圆孔置有薄圆柱型半导体发光材料，半导体材料的柱侧与中心孔之间设有粘结层，电子束正好完全覆盖半导体的圆形表面。中心孔外侧的阳极靶面表面设有环形半导体控温装置。背对电子束一侧的半导体材料前方设有光功率测量装置和光谱测量装置；电子束入射至半导体材料后，积累的电子从半导体材料经粘结层、阳极靶面与电子束发射端形成回路。本发明可为基于电子束激发半导体发光的半导体光源选择发光效率高的电子束激发参数和半导体发光材料。
一种载流子转换效率测量平台方法

[发明专利]新半导体电子原理技术与器件-CN202080025941.4在审
发明人：汪克明;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：汪克明;汪润泽
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体电子器件，电信号的转换是通过调制半导体电子器件的电导率完成，以电导率变化为基础的无源半导体电子器件，取代以电流变化为基础的有源半导体电子器件在半导体电子技术和设备中的应用，有效解决半导体电子理论与技术的发热等关键问题，完整地发挥半导体电子器件的功能和特性。半导体电子器件可根据功能和特性的不同要求，选用不同的半导体材料制造，工作速率提高100倍以上，在80℃以下环境温度中能保持正常、稳定和可靠工作，不需预热，开机就能稳定工作，电子器件以性能更强、稳定性可靠性更高、耗能更低的芯片，提高处理数据的能力和速度，解决无人驾驶、人工智能和智慧医疗等新兴领域亟待突破的关口，用于所有半导体电子设备。涉及半导体电子原理与技术、器件结构和工作原理、电路设计、器件制造和材料，产品功能与特性，属半导体电子技术领域。
半导体电子原理技术器件

[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法-CN201480053518.X有效
发明人：托马斯·施瓦茨;弗兰克·辛格;于尔根·莫斯布格尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种具有光电子半导体芯片的光电子半导体器件。尤其光电子半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述半导体器件构成为侧向发射器。此外，提出一种用于制造这种光电子半导体器件的方法。
光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]可携式电子装置-CN201210166183.5有效
发明人：锺轩禾;林昱宏 -专利权人：东莞广迎五金塑胶制品有限公司
申请日： 2012-05-26 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01R13/514 文献下载
摘要：本发明为有关一种可携式电子装置，属于电子类，主要包括一电子模块及至少一滑设于电子模块上的绝缘胶体，其电子模块一侧处具有至少一电子模块金属导体组，电子模块金属导体组包含有第一金属导体组、第二金属导体组、第三金属导体组及第四金属导体组，而绝缘胶体上具有分别对应上述各金属导体组并予以进行配合使用的第五金属导体组、第六金属导体组、第七金属导体组及第八金属导体组，藉此，当绝缘胶体前后移动滑移在电子模块上时，第一至第四金属导体组即与第五至第八金属导体组形成相互磨擦进而导通，即亦可通过此一磨擦动作使各金属导体组不会产生氧化，且采用滑设组装技术而使各金属导体组无须焊接即可电性导通，不会产生产品不良的问题。
可携式电子装置

[发明专利]半导体分析装置-CN200580051691.7无效
发明人：山田惠三 -专利权人：株式会社拓普康
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种半导体分析装置，相对电子束量的变动，能够得到精度良好的测定值。本发明的半导体分析装置测定将电子束照射到半导体衬底上时在所述半导体衬底上感应出的衬底电流，包括：支撑半导体衬底的半导体衬底支撑单元、产生电子束的电子束产生单元、用于检测电子束照射量的电子束检测单元、测定在半导体衬底上感应出的衬底电流和由电子束检测单元检测出的电子束量的电流测定单元
半导体分析装置

[发明专利]光电子的半导体器件和用于制造光电子的半导体器件的方法-CN201480069338.0在审
发明人：托马斯·施瓦茨;弗兰克·辛格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：提出一种具有光电子半导体芯片的光电子的半导体器件。特别地，光电子的半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述发射辐射的半导体器件构成为侧向发射器。此外，提出一种用于制造这种光电子的半导体器件的方法。
光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]电路模块-CN201880023136.0有效
发明人：中岛礼滋 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：电路模块(100)具备电子部件(30)、多个导体柱(40)、用于将多个电子部件(30)和多个导体柱(40)进行密封的模制层(50)、以及模制层(50)上的屏蔽层(60)。电子部件(30)包括第一电子部件(31)和第二电子部件(32、36)。多个导体柱(40)包括穿过第一电子部件(31)与第二电子部件(32、36)之间的导体柱的组(400)。屏蔽层(60)具有狭缝(600)，关于导体柱的组(400)的各导体柱(40)，所述狭缝(600)在俯视时以通过导体柱(40)与第一电子部件(31)之间或者通过导体柱(40)与第二电子部件(32、36)之间的方式延伸
电路模块

[实用新型]一种快速投退模块及快速投退拓扑电路-CN202223317511.5有效
发明人：强同波;张文;曾需要;赵原;韦古强;刘茁汉;权陆;胡哲哲;谢存龙 -专利权人：青海格尔木鲁能新能源有限公司;北京泰丰宇宏电力科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：IGBT开关包括电力电子半导体器件IGBT1和电力电子半导体器件IGBT2，电力电子半导体器件IGBT1的C1极电连接电力电子半导体器件IGBT2的E2极，电力电子半导体器件IGBT1的E1极电连接电力电子半导体器件电力电子半导体器件IGBT1的C1极和电力电子半导体器件IGBT2的E2极连接于第一连接点，电力电子半导体器件IGBT1的E1极和电力电子半导体器件IGBT2的C2极连接于第二连接点。
一种快速模块拓扑电路

[发明专利]有机半导体装置、及使用该装置的显示装置和摄像装置-CN200580002696.0无效
发明人：安达千波矢;菅沼直俊 -专利权人：国立大学法人京都大学;日本先锋公司;三菱化学株式会社;罗姆股份有限公司
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H05B33/26 文献下载
摘要：公开了一种可以有效地产生有机半导体层内的空穴及电子的复合或光电变换的有机半导体装置。该有机半导体装置包括：电子及空穴可移动的双极性的有机半导体层；空穴授受电极，其在与该有机半导体层之间授受空穴；电子授受电极，其设置为在与该空穴授受电极之间隔开规定的间隔，在与上述有机半导体层之间授受电子；空穴侧栅极，其夹着绝缘层与上述有机半导体层的靠近上述空穴授受电极的区域对置，控制上述有机半导体层内的空穴的分布；及电子侧栅极，其夹着绝缘层与上述有机半导体层的靠近上述电子授受电极的区域对置，控制上述有机半导体层内的电子的分布
有机半导体装置使用显示装置摄像

[发明专利]用于制造电子装置的方法和电子装置-CN201710929898.4有效
发明人： S·蓬普尔;A·施梅恩;D·索伊卡;K·乌姆明格尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：根据多种实施例，一种用于制造电子装置的方法可以包括：提供半导体载体，半导体载体包括彼此侧向间隔开的第一垂直集成的电子结构和第二垂直集成的电子结构，电连接层设置在半导体载体的第一侧之上并且将第一垂直集成的电子结构和第二垂直集成的电子结构彼此电连接；将半导体载体安装在支撑载体上，半导体载体的第一侧面向支撑载体；从与第一侧相反的第二侧薄化半导体载体；去除半导体载体的处于第一垂直集成的电子结构与第二垂直集成的电子结构之间的分离区域中的材料，以使第一垂直集成的电子结构的第一半导体区域与第二垂直集成的电子结构的第二半导体区域分离，第一垂直集成的电子结构和第二垂直集成的电子结构经由电连接层保持彼此电连接。
用于制造电子装置方法

[发明专利]氮化物半导体器件、多尔蒂放大器和漏极压控放大器-CN200810133356.7有效
发明人：吉川俊英;今西健治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-08-11 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了氮化物半导体器件、多尔蒂放大器和漏极压控放大器。氮化物半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的堆叠半导体结构，其包括无掺杂氮化物半导体的电子沟道层和在电子沟道层上外延地形成的n型氮化物半导体的电子供应层，该n型氮化物半导体的电子亲合势小于该无掺杂氮化物半导体的电子亲合势，并且沿着与电子供应层的界面在电子沟道层中形成二维电子气；栅电极，其对应于沟道区域而形成在堆叠半导体结构上；以及源电极和漏电极，其分别在栅电极的第一侧和第二侧、以与堆叠半导体结构相欧姆接触地形成在堆叠半导体结构上，所述堆叠半导体结构包括，在衬底和电子沟道层之间连续地并且外延地形成的n型导电层和包含Al的阻挡层。
氮化物半导体器件多尔蒂放大器漏极压控

[实用新型]贴片型半导体电子制冷片散热风扇-CN202121270287.1有效
发明人：许会杰 -专利权人：河南冷兰电子科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种贴片型半导体电子制冷片散热风扇，包括导热器，所述导热器的上下两端均开设有安装槽，位于上下两端的安装槽内分别设置有散热风扇和半导体电子制冷片；所述半导体电子制冷片的热端与所述导热器相贴合；所述半导体电子制冷片的冷端用于贴合电子器件，所述半导体电子制冷片的冷端伸出安装槽设置。该贴片型半导体电子制冷片散热风扇散热效果好、散热效率高。
贴片型半导体电子制冷散热风扇

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