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[发明专利]半导体封装，半导体模块，电子组件以及制造半导体封装和半导体模块的方法-CN201910131937.5在审
发明人： T.法伊尔;D.克拉韦特;P.加尼切尔;M.珀尔兹尔;C.冯科布林斯基 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开了半导体封装，半导体模块，电子组件以及制造半导体封装和半导体模块的方法。在实施例中，模块包括第一器件区域中的第一电子器件和第二器件区域中的第二电子器件。第一电子器件被可操作地耦合到第二电子器件以形成电路。第一电子器件的侧面和第二电子器件的侧面嵌入在第一环氧树脂层中并且与第一环氧树脂层直接接触。
电子器件半导体封装半导体模块环氧树脂层电子组件器件区域可操作地侧面耦合到嵌入制造电路

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201210313580.0无效
发明人：今西健治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。实施方案的化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成在电子供给层上或上方的栅电极、源电极和漏电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型半导体层；和形成在电子供给层和p型半导体层之间的空穴阻挡层，空穴阻挡层的带隙大于电子供给层的带隙。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]电子织物以及用于确定电子织物的功能区域的方法-CN200980136654.4无效
发明人： R.巴塔查亚 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2009-09-10 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定电子织物（100；200）的功能区域的方法。电子织物包括具有第一多个导体（108a-b；202a-d）、第二多个导体（104a-c；204a-d）和多个电容器（112；212a-p）的织物衬底，每个电容器包括由电介质（103a）分隔的来自第一多个导体（108a-b；202a-d）的导体和来自第二多个导体（104a-c；204a-d）的导体，电容器（112；212a-p）跨过该电子织物的基本上整个表面分布，其中每个电容器（112；212a-p）具有至少对于每个电容器，该方法包括下述步骤：（a）在与该电容器关联的来自所述第一多个导体的导体和与该电容器关联的来自所述第二多个导体的导体之间施加（301）电压，（b）检测（302）表示该电容器的电容的电特性，由于该方法利用了电子织物中固有的物理特性，比如形成于电子织物中的导体之间的电容器，因此无需将电子装置布置在电子织物上以确定功能区域。
电子织物以及用于确定功能区域方法

[发明专利]一种提高出光效率的LED芯片结构-CN202210663279.6在审
发明人：魏伟 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：至少包括衬底层、N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层，以及空穴集中和电子阻挡层。其中，P型半导体层与空穴集中和电子阻挡层均位于量子阱发光层上，P型半导体层位于空穴集中和电子阻挡层的上端和侧端，空穴集中和电子阻挡层由电导率小于等于特定数值的材料制成，以用于阻碍P型半导体层中的空穴载流子和N型半导体层中的电子载流子流过，空穴集中和电子阻挡层构造为具有能够使P型半导体层的上部区域的横截面积大于P型半导体层接触量子阱发光层的面积的形状，以使P型半导体层内的空穴载流子在该形状的阻碍下向量子阱发光层集中
一种提高效率 led 芯片结构

[发明专利]一种基于珀尔帖效应的散热结构及电子设备-CN201911265290.1有效
发明人：许超;李瑞敏;龙世文;谢明;郑亚东;周颖 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于珀尔帖效应的散热结构及电子设备。该散热结构包括与电源串联的制冷部、散热部、N型柔性半导体组件、P型柔性半导体组件；其中，N型柔性半导体组件的第一端、P型柔性半导体组件的第一端分别通过导体与制冷部连接，N型柔性半导体组件的第二端、P型柔性半导体组件的第二端分别通过导体与散热部连接；制冷部位于或靠近电子设备的发热区域且能够利用电源提供的电能降低发热区域的温度。该电子设备包括上述散热结构。电子设备应用珀尔帖效应使用电能进行自主散热，有利于提升电子设备的散热能力，又由于柔性半导体组件的设置，有利于电子设备内的有限空间的最大化应用。
一种基于珀尔帖效应散热结构电子设备

[发明专利]混合传导体-CN200480000435.0有效
发明人：长谷川规史 -专利权人：株式会社爱夸斯研究
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01B1/06 文献下载
摘要：本发明提供在低温下发挥功能的无机类混合传导体。本发明的混合传导体具有电子传导体和质子传导体，该电子传导体由在主链上具有π键而具备电子传导性的碳类无机材料构成，该质子传导体由具有质子传导性的无机材料构成，它们通过共价键、嵌入和/或包接而被固定化。
混合传导

[发明专利]化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法-CN201210264652.7有效
发明人：宫岛丰生;今西健治;山田敦史;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的极化方向相反的方向上极化的第二晶体。
化合物半导体器件用于制造方法

[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统-CN202210749791.2在审
发明人： F·A·席赛克-艾吉;K·R·帕雷克;B·D·巴里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请案涉及形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统。一种形成微电子装置的方法包括形成第一微电子装置结构，所述第一微电子装置结构包括第一半导体结构、包含至少部分地位于所述第一半导体结构上的晶体管的控制逻辑电路系统，以及覆盖所述第一半导体结构和所述控制逻辑电路系统的第一隔离材料形成包括第二半导体结构和处于所述第二半导体结构上方的第二隔离材料的第二微电子装置结构。将所述第二微电子装置结构的所述第二隔离材料接合到所述第一微电子装置结构的所述第一隔离材料以将所述第二微电子装置结构附接到所述第一微电子装置结构。在将所述第二微电子装置结构附接到所述第一微电子装置结构之后，形成包括所述第二半导体结构的部分的存储器单元。
形成微电子装置方法以及相关电子系统

[发明专利]电子器件及其形成方法-CN201710626677.X有效
发明人： A·萨利;G·M·格里弗纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件及其形成方法。电子器件可以包括半导体材料和覆盖在该半导体材料上面的半导体层，其中与该半导体材料相比，半导体层具有更大的带隙能。电子器件可以包括具有高电场区域和低电场区域的部件。在高电场区域内，不存在半导体材料。在另一个实施方案中，可能不存在所述部件。本发明实现的技术效果是提供改进的电子器件。本发明所解决的问题是在将具有较低带隙能的半导体材料用于衬底并且电子部件包括具有相对较高带隙能的不同半导体材料时，电压击穿得到改善。
电子器件及其形成方法

[实用新型]一种绝缘型电力半导体模块-CN202022957638.8有效
发明人：夏清波 -专利权人：襄阳市众力电子有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘型电力半导体模块，涉及电力半导体模块领域，为解决现有的电力半导体模块没有主动散热的机构，散热性能有待提高的问题。所述防静电绝缘陶瓷基座的上端外表面上设置有电子元件安装板，所述电子元件安装板的外表面上点焊有电子元件，所述防静电绝缘陶瓷基座的上端外表面上设置有电力半导体内保护罩，所述电力半导体内保护罩罩在电子元件的外部，所述电力半导体内保护罩与电子元件之间的空隙处填充有导热硅脂，所述电力半导体内保护罩的外表面上固定连接有电力半导体散热翅片。
一种绝缘电力半导体模块

[发明专利]一种锂离子电池正极结构和锂离子电池-CN201711349916.8在审
发明人：向勇;宋世湃;彭邦恒 -专利权人：北京亦庄材料基因研究院有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池正极结构和锂离子电池，包括衬底、离子导体、正极导体层和电子导体；所述衬底设置有正极集流体层，所述离子导体包括离子导体层和凸起部件；所述正极导体层位于所述正极集流体层和所述离子导体层之间；所述凸起部件的一端与所述离子导体层相连，所述凸起部件的另一端嵌入所述正极导体层；所述电子导体的一端与所述正极集流体层相连，所述电子导体的另一端嵌入所述正极导体层。
正极导体层正极集流体层离子导体层锂离子电池电子导体凸起部件锂离子电池正极离子导体衬底嵌入

[发明专利]功率模块封装结构-CN201510434801.3有效
发明人：梁乐;鲁凯;赵振清;李锃 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种功率模块封装结构，包含单层线路板、第一电子元件与第二电子元件。单层线路板包含绝缘基材以及设置于绝缘基材上的导体层，导体层的背面接触绝缘基材的正面，绝缘基材具有多个第一开口，以让导体层显露于绝缘基材的背面。第一电子元件设置于导体层的正面。第二电子元件容置于绝缘基材的背面的第一开口处，并藉由该第一开口与导体层连接，其中第一电子元件与第二电子元件中的至少一者为裸芯片。
功率模块封装结构

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201811184716.6有效
发明人：张乃千;刘健 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明实施例中的半导体器件通过调节器件的外延结构,对传统器件的电子浓度分布进行调制，改变传统的电子浓度峰值位置，将半导体层中的电子浓度峰值位置从沟道层和势垒层的界面处向靠近过渡层方向移动，并使得半导体沟道层中的电子分布函数交叠，沟道势阱内形成较多的可被电子占据的分立能级，最终扩展成为具有一定宽度的类方形电子沟道势阱，从而有效的改善了器件的线性度等性能。
半导体器件及其制备方法

[实用新型]半导体电子制冷片散热风扇-CN202121270463.1有效
发明人：许会杰;方如举;王超垒 -专利权人：河南冷兰电子科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体电子制冷片散热风扇，包括内部开设有通孔的骨架，骨架的通孔内设置有半导体电子制冷片；所述半导体电子制冷片的热端设置有导热器，所述导热器上设置有热风扇，所述半导体电子制冷片的冷端设置有导冷器该半导体电子制冷片散热风扇能实现封闭式制冷降温，避免外部脏、湿、腐蚀空气进入机箱内污染电子器件等，实现了计算机、精密控制仪、冷藏室机箱的无尘冷却。
半导体电子制冷散热风扇

[发明专利]具有带平行平面光学系统的电子枪的阴极射线管-CN92101379.5无效
发明人： J·H·博兰达 -专利权人：菲利浦光灯制造公司
申请日： 1992-02-27 - 公布日： 1992-09-23 - 主分类号： H01J29/50 文献下载
摘要：一种阴极射线管，包括一个具有两个对置的导体图案的电子枪。工作时，各电子束(或单个电子束)在导体图案之间运动。普通电子枪的电极所履行的诸如对电子束的聚焦和会聚之类的功能可由两个扁平的导体图案完成。所述导体图案可以精确制造，并彼此相对配置。这样就可以制造复杂的透镜系统。
具有平行平面光学系统电子枪阴极射线管