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[发明专利]基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管-CN200810232524.8有效
发明人：郝跃;毛维;过润秋;杨翠 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、源场板(8)、漏场板(10)和保护层(11)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，该漏场板(10)与漏极(5)电气连接，其中，源场板(8)与漏场板(10)之间的钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。
基于源场板漏场板复合场板异质结场效应晶体管

[发明专利]一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法-CN202110965645.9有效
发明人：王文樑;李善杰;李国强;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法，包括HEMT结构，在HEMT结构的源极及漏极外侧分别设置源极垂直金属场板及漏极垂直金属场板，在源极及漏极平行于HEMT外延片的方向分别设置源极平行金属场板及漏极平行金属场板，且源极及漏极分别与各自的垂直金属场板及平行金属场板连接，垂直金属场板与平行金属场板通过SiN层与外延结构隔离，在源极和漏极之间设置制备T型栅极以提高HEMT器件的频率特性。
一种具有新型源漏场板结 hemt 器件制备方法

[发明专利]绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN200810232528.6有效
发明人：毛维;郝跃;杨翠;过润秋;杨林安 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层，所述的源场板与源极电气连接，所述的漏场板与漏极电气连接，其中：源极上部和漏极上部，以及源极和漏极之间的势垒层上部淀积有绝缘介质层；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板。每个浮空场板大小相同、相互独立，处于浮空状态，且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。
绝缘栅型源复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管-CN200810232530.3有效
发明人：毛维;杨翠;郝跃;过润秋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、源场板(10)、漏场板(12)和保护层(13)，该源场板与源极电气连接，该漏场板与漏极电气连接，其中，势垒层上开有凹槽(6)；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同且相互独立，且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。
凹槽绝缘栅型源复合场板高电子迁移率晶体管

[发明专利]槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法-CN200810232526.7有效
发明人：郝跃;毛维;过润秋;杨翠 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)、漏场板(11)和保护层(12)，该漏场板与漏极电气连接，该源场板与源极电气连接，其中，势垒层(3)上开有凹槽(6)；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。
槽栅型源复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件及制备方法-CN202110991978.9有效
发明人：杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：通过先在第一介质层上形成底层源场板，使得底层源场板位于栅极金属和漏极金属之间，且底层源场板在衬底的正投影与栅极金属在衬底的正投影不相交；然后在底层源场板上形成第二介质层；在第二介质层上制作与底层源场板连接的互连结构。通过第二介质层以及与底层源场板连接的互连结构，能够有效降低栅源之间的寄生电容，同时，由于底层源场板与栅极金属之间的第一介质层的厚度并未发生变化，因此，也可以保证底层源场板的电场调制作用，从而能够在源场板调制作用和降低栅源之间
一种半导体器件制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管器件-CN202210374281.1在审
发明人：陈纪孝;郑子铭;陈威任;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：HEMT器件包括衬底、沟道层、阻挡层、栅极、源极、漏极与源极场板。沟道层位于衬底上。阻挡层位于沟道层上。栅极位于阻挡层上，且具有彼此相对的第一侧与第二侧。源极位于栅极的第一侧。漏极位于栅极的第二侧。源极场板连接于源极。源极场板包括第一场板部、第二场板部与第三场板部。第一场板部连接于源极，且位于栅极的第一侧。第二场板部位于栅极的第二侧。第三场板部连接于第一场板部的末端以及第二场板部的末端。源极场板具有位于栅极的正上方的第一开口。第一开口位于第一场板部与第二场板部之间。第三场板部的俯视图案与栅极的俯视图案部分重叠。HEMT器件可降低功率损耗并提升器件速度。
电子迁移率晶体管器件

[发明专利]具有场板结构的HEMT器件及其制备方法-CN201911359911.2在审
发明人：王黎明;肖霞;何雍春 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种具有场板结构的HEMT器件及其制备方法，该结构包括：HEMT器件及设置于栅电极与漏电极之间的源场板及浮空场板，且源场板靠近栅电极，浮空场板靠近漏电极，源场板与源极互连金属结构等电位电连接。通过设置源场板及浮空场板组成HEMT器件栅电极与漏电极之间的复合场板结构，将原本位于栅电极边缘和漏电极边缘的电场集中点转移至源场板及浮空场板之间的绝缘层中，优化了整个HEMT器件内部的电场分布，使电场变化梯度更舒缓另外还避免了源场板直接延伸覆盖栅电极引入额外的寄生电容。最后，源极互连金属层、漏极互连金属层、源场板及浮空场板同时形成，不需要增加额外工艺步骤。
具有板结 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件-CN201410660221.1有效
发明人：毛维;佘伟波;赵雁鹏;李洋洋;杨翠;张金风;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(13)。钝化层内刻有源槽(9)与漏槽(10)；钝化层(8)与保护层(13)之间淀积有直角源场板(11)和直角漏场板(12)；直角源场板与源极电气连接，且下端完全填充源槽；直角漏场板与肖特基漏极电气连接，且下端完全填充漏槽；直角源场板靠近栅极一侧边缘与源槽靠近栅极一侧边缘对齐，直角漏场板靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘对齐。
基于直角源场板漏场板复合功率器件

[发明专利]一种用于提高击穿电压的氮化镓器件及其制造方法-CN202310387896.2在审
发明人：胡旭宏 -专利权人：徐州金沙江半导体有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高击穿电压的氮化镓器件，属于半导体技术领域，包括在AlGaN势垒层上表面的源极和漏极之间的局部设有P‑GaN反型层，P‑GaN反型层上表面设有栅金属层，栅金属层上表面设有栅场板，栅场板的一侧设有第一源场板，源极上连接有第二源场板，第二源场板的另一端连接第一源场板，AlGaN势垒层上方各结构的缝隙中填充有介质薄膜，漏极部分上表面露出；还公开了一种用于提高击穿电压的氮化镓器件的制造方法，本发明的栅场板与第一源场板都在第一层介质薄膜上，栅场板和双层源场板的电场强度调节作用可以互相叠加达到提高击穿电压的效果。
一种用于提高击穿电压氮化器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201410403481.0在审
发明人：张乃千;裴轶;刘飞航 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极、漏极、以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述半导体层上的与源级连接的源场板，所述源场板横跨过栅极、栅源区域及部分栅漏区域，并通过空气隔离；所述源场板的一端与源级相连，所述源场板与源级的连接是由两个或两个以上的金属场板并联而成的；所述源场板的另一端位于栅极与漏极之间的靠近栅极的半导体层上。本发明既能充分发挥源场板的电场调制作用，又能充分减小寄生栅源电容和寄生导通电阻，还能提高器件可靠性。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]隔离型高耐压场效应管的版图结构-CN201110371064.9有效
发明人：金锋;朱丽霞 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离型高耐压场效应管的版图结构，包括漏区、源区、漏区漂移区、漂移区、源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板；源区多晶硅场板及栅极为通过圆弧场板连接的内外双层U型结构，且U型结构的开口处封闭；封闭的漏区多晶硅场板位于源区多晶硅场板及栅极的内外双层U型结构之间；漏区位于闭合的漏区多晶硅场板内，漏区漂移区位于源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板之间，源区位于源区多晶硅场板及栅极的外层之外及内层和外层之间，所述源区和漏区位于漂移区内，源区与硅基板衬底被漂移区隔离。本发明利用源区整个包围漏区，并在器件尾部增加场板，通过P型掺杂区包围漏区漂移区，防止电场集中，提高器件击穿电压。
隔离耐压场效应版图结构

[发明专利]具有多个场板的宽能带隙晶体管-CN200580014868.6有效
发明人：吴益逢;P·帕里克;U·米史拉;M·摩尔 -专利权人：美商克立股份有限公司
申请日： 2005-04-14 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管，它包含多个位于一基片上的有源半导体层，并且其源极与漏极与这些半导体层接触。在这些源极与漏极之间以及多个半导体层上形成一栅极。在这些半导体层上配置多个场板，每一场板从该栅极的边缘朝该漏极延伸，并且每一场板与这些半导体层、以及与这些场板的其它场板隔离。这些场板的最高场板电连接至该源极，并且这些场板的其它场板电连接至栅极或源极。
具有多个场板能带晶体管

[发明专利]一种磁共振用Halbach磁体的无源匀场结构与方法-CN202310546471.1有效
发明人：刘朝阳;杨李泽;陈方;刘买利;陈黎;程鑫;张志;冯继文;陈俊飞;王佳鑫;鲍庆嘉 -专利权人：中国科学院精密测量科学与技术创新研究院;湖北光谷实验室
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R33/383 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁共振用Halbach磁体的无源匀场结构，包括匀场磁片，还包括匀场内壳和无磁匀场板，匀场内壳安装在Halbach磁体内，无磁匀场板安装在匀场内壳内，匀场磁片设置在无磁匀场板上。该无源匀场结构具有加工简单、成本低和拆装方便等优点，可以实现对Halbach磁体的快速无源匀场。本发明还公开了一种磁共振用Halbach磁体的无源匀场方法，该无源匀场方法基于目标磁场，无需对磁场进行谐波分析，可以避免基于谐波分析的无源匀场方法中存在的磁化分量难以确定的问题，从而提高无源匀场效率。
一种磁共振 halbach 磁体无源结构方法

[实用新型]一种半导体器件-CN202120459296.9有效
发明人：崔傲;吴勇;王东;黄永;陈兴;汪琼;陆俊;陈军飞;袁珂;操焰 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，包括：衬底；半导体层，设置于衬底上；源极、漏极、栅极和钝化层，均设置于半导体层远离衬底的表面上，钝化层和栅极均设置于源极和漏极之间，栅极被包覆于钝化层内；第一源场板，一端设置于钝化层内，另一端延伸于钝化层外，且第一源场板与栅极之间具有第一空气间隔；第二源场板，与源极远离半导体层的端部相连接，并罩设于栅极上；第二源场板与栅极之间具有第二空气间隔。第一源场板和第二源场板的双源场板结构，能够降低栅极和源极之间的电容，提升器件的截止频率，提高该半导体器件的击穿电压。
一种半导体器件

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