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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法-CN201910226747.1有效
发明人：岩田宽;根津敏幸;高桑勇太;冈田直弥;佐藤一平;柴田尚宪;桥本敬一 -专利权人：京浜乐梦金属科技株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法。溅射阴极具有溅射靶，所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状且侵蚀面朝向内侧。使用该溅射阴极，在由溅射靶包围的空间的上方，使具有宽度比溅射靶的长边部窄的成膜区域的被成膜体与溅射靶的一端面平行地且沿与长边部垂直的方向以恒定速度移动，同时进行放电使得产生沿着溅射靶的内表面环绕的等离子体，利用由溅射气体产生的等离子体中的离子使溅射靶的长边部的内表面进行溅射，从而在被成膜体的成膜区域进行成膜。
溅射阴极装置成膜体制造方法

[发明专利]一种Mini LED外延结构及其制造方法-CN202111622943.4在审
发明人：刘恒山;吴永胜;解向荣;马野;江辉煌 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种Mini LED外延结构及其制造方法，在衬底层上生长氮化物缓冲层后，在氮化物缓冲层上溅射第一溅射层；在第一溅射层上生长N型氮化镓层；在N型氮化镓层上溅射第二溅射层；在第二溅射层上生长应力缓冲层；在应力缓冲层上溅射第三溅射层；在第三溅射层上生长量子阱层；最终得到依次层叠的衬底层、氮化物缓冲层、第一溅射层、N型氮化镓层、第二溅射层、应力缓冲层、第三溅射层及量子阱层；本发明通过在存在较明显的晶格失配的层级之间设置溅射层抵消应力的影响，通过设置多层溅射层实现对应力的层层抵消，避免了最终累积对量子阱层产生影响，确保了成品Mini LED芯片的品质。
一种 mini led 外延结构及其制造方法

[实用新型]一种磁控溅射靶屏蔽装置-CN201520298266.9有效
发明人：郁哲;孟彬;孔明;吴健;张益欣;周海铭;梁小龙 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射屏蔽装置，属于高真空磁控溅射镀膜领域。本实用新型所述磁控溅射靶屏蔽罩包括磁控溅射靶屏蔽罩、磁控溅射靶屏蔽垫圈，磁控溅射靶屏蔽罩安装在铜冷却板的侧壁上，磁控溅射靶屏蔽垫圈放置在磁控溅射靶屏蔽罩上，开口对准沉积基片；磁控溅射靶与磁控溅射靶屏蔽罩、磁控溅射靶与磁控溅射靶屏蔽垫圈之间上下的距离均为2-3mm，磁控溅射靶屏蔽垫圈的外孔直径与磁控溅射靶屏蔽罩开孔大小一致，内直径为25~50mm。
一种磁控溅射屏蔽装置

[实用新型]一种磁控溅射设备-CN202021399924.0有效
发明人：张诚 -专利权人：三河市衡岳真空设备有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种磁控溅射设备，该磁控溅射设备包括溅射室、以及在该溅射室内相对设置的基片台和溅射靶枪，该溅射靶枪内设置有靶材，其中，该磁控溅射设备还包括：挡板以及匀气环，该挡板以及匀气环设置在该溅射室内；挡板包括侧遮挡部以及上遮挡部，其中，侧遮挡部环绕溅射靶枪设置且其上端超出靶材的溅射面，上遮挡部从侧遮挡部的上端向内延伸至靶材边缘处；匀气环与外部工艺气体提供装置相连通且其上开设有多个出气孔，匀气环设置在挡板和溅射靶枪之间并对靶材形成环绕，匀气环的设置高度位于靶材溅射面和上遮挡部之间。使用本实用新型所提供的磁控溅射设备可以确保稳定的溅射速率。
一种磁控溅射设备

[发明专利]一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法及应用-CN202110002896.7有效
发明人：魏洁;杨少延;陈怀浩;魏鸿源 -专利权人：南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法，包括：1对硅衬底进行高温烘烤；2降低硅衬底温度，通入溅射气体，在第一反溅射功率下对硅衬底进行反溅射干式清洗；3在第二溅射功率下对金属锆靶材进行射频磁控溅射预处理；4在第三溅射功率下采用射频磁控溅射在硅衬底表面预沉积薄金属锆层；5通入混合气体，在第四反溅射功率下采用反溅射形成薄氮化锆成核层；6在第五溅射功率下采用直流磁控溅射进行薄氮化锆阻挡层沉积生长；7通入溅射气体，在第六溅射功率下采用射频磁控溅射沉积金属锆薄膜；8停止通入气体，对金属锆薄膜高温退火；9将硅衬底温度降至室温。
一种利用磁控溅射衬底制备金属薄膜方法应用

[实用新型]一种溅射镀膜机的辅助冷却系统-CN201921428056.1有效
发明人：唐志强;姜钧 -专利权人：承德奥斯力特电子科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种溅射镀膜机的辅助冷却系统，包括依次通过管道连接的储气罐、制冷装置、电磁阀、流量调节阀和溅射辅助室，溅射辅助室设置在溅射真空室内的基片运行轨道上，且至少位于第一溅射室的后方。还包括设置在溅射辅助室内的温度传感器，和与温度传感器、电磁阀和流量调节阀连接的控制器。辅助冷却系统包括两个以上的溅射辅助室，两个以上的溅射辅助室间隔设置在多个溅射室之间。本实用新型能实现对溅射镀膜过程中基片温度的降低，防止基片温度太高导致的氧化或变色现象的发生，提高溅射镀膜产品的外观。还通过多个溅射辅助室的设置，实现对需要多次溅射镀膜基片的多次冷却，能更好的控制溅射镀膜基片的温度，保证溅射镀膜基片的质量。
一种溅射镀膜辅助冷却系统

[发明专利]一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法-CN201310567780.3在审
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，包括：A、直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；B、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；C、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；D、直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；E、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Si层上磁控溅射AZO层；F、直流电源溅射铜平面靶，在AZO层上磁控溅射Cu层；G、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上磁控溅射AZO层；H、交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射SiO2层。
一种低成本金色辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法-CN201310567856.2在审
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，包括：A、交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；B、直流电源溅射不锈钢平面靶，在Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；C、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；D、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；E、直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；F、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Si层上磁控溅射NiCr层；G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；H、交流电源溅射硅铝旋转靶，在ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。
一种异地加工辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种低成本防辐射薄膜的制备方法-CN201310554538.2有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本防辐射薄膜的制备方法，包括：交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Cu层；交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上磁控溅射AZO层；直流电源溅射铜平面靶，在AZO层上磁控溅射Cu层；交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上磁控溅射AZO层；交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种低成本防辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种具有多自由度的溅射源设备-CN202211190432.4在审
发明人：周欢 -专利权人：布勒莱宝光学设备（北京）有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有多自由度的溅射源设备，包括：溅射源自转驱动装置、溅射源公转驱动装置和移动装置。溅射源自转驱动装置用于驱动溅射源自转，溅射源公转驱动装置用于驱动溅射源公转，移动装置用于驱动溅射源前后和左右运动。本发明能够确保镀膜均匀和提高膜层质量。
一种具有自由度溅射设备

[发明专利]溅射装置、溅射方法-CN201710282695.0有效
发明人：胡迎宾;丁远奎;刘宁;赵策;丁瑞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射装置、溅射方法，属于显示面板制备技术领域，其可解决现有的溅射装置的靶材成膜的均匀性低的问题。本发明的溅射装置，包括多个用于承载靶材的靶位，所述溅射装置还包括控制单元和多个支撑单元，所述靶位位于所述支撑单元上，所述控制单元和所述支撑单元电连接，每个所述支撑单元用于在所述控制单元的控制下使位于其上的靶位上升或下降
溅射装置方法

[发明专利]一种具有三套溅射源的磁控溅射镀膜生产线-CN201510237296.3在审
发明人：魏永祥;魏长龙;马东 -专利权人：枣庄市锦华镀膜玻璃有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三套溅射源的磁控溅射镀膜生产线，包括真空预抽室、真空镀膜室、第一溅射源、第二溅射源、第三溅射源、过渡室，所述真空预抽室和真空镀膜室及过渡室依次连接，所述真空镀膜室内安装第一溅射源、第二溅射源、第三溅射源，所述第一溅射源、第二溅射源、第三溅射源依次平行设置。该生产线使产品膜层更均匀牢固，成膜书读快，生产效率高合格率高，生产出更丰富多样的产品种类，溅射源使用寿命长，膜层厚度易于控制，节约功耗，单位时间及电量能生产更多的优质产品。
一种具有溅射磁控溅射镀膜生产线

[发明专利]一种对置靶座磁控溅射装置-CN201711477439.3在审
发明人：顾骏;顾为民;任高潮;金浩;王德苗;冯斌 -专利权人：苏州求是真空电子有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种对置靶座磁控溅射装置，包括磁控溅射靶座、磁控溅射基台座、夹持压片和挡板组件；所述磁控溅射靶座安装在真空室上方；所述磁控溅射基台座安装在真空室下方，其与所述磁控溅射靶座之间具有夹角，所述夹角为锐角；所述夹持压片设于磁控溅射基台座的顶表面，用于夹持固定待溅射基片；所述挡板组件包括多个挡板，其中一个挡板设于磁控溅射基台座的上方，其余的挡板分别设于对应的磁控溅射靶座下方，用于隔开磁控溅射各个靶座和磁控溅射基台座
一种置靶座磁控溅射装置

[发明专利]一种通过磁控溅射直流共溅射制备Ni-Co-Mn-Ti合金薄膜的方法-CN201610871554.8有效
发明人：马胜灿;刘凯;张林;钟震晨;钟明龙;江庆政 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过磁控溅射直流共溅射制备Ni‑Co‑Mn‑Ti合金薄膜的方法，其步骤为：(一)选取靶材：按化学计量比选取NiMnTi合金靶和Co单质靶；(二)共溅射：1.基底加热：将选好的合金靶和单质靶放在溅射室的溅射靶之上固定好，关闭腔盖抽真空到10^‑4Pa以下后加热基底，打开基底加热电源，调整加热旋钮到合适位置开始加热；2.溅射室压强调整：充入纯度为99.999％的氩气，通过调整流量仪和闸板阀控制溅射室内压强到合适大小；3.直流共溅射：调整溅射靶的功率旋钮到合适范围开始共溅射，溅射一定时间后停止溅射。
一种通过磁控溅射直流溅射制备 ni co mn ti 合金薄膜方法

[实用新型]一种对置靶座磁控溅射装置-CN201721899340.8有效
发明人：顾骏;顾为民;任高潮;金浩;王德苗;冯斌 -专利权人：苏州求是真空电子有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种对置靶座磁控溅射装置，包括磁控溅射靶座、磁控溅射基台座、夹持压片和挡板组件；所述磁控溅射靶座安装在真空室上方；所述磁控溅射基台座安装在真空室下方，其与所述磁控溅射靶座之间具有夹角，所述夹角为锐角；所述夹持压片设于磁控溅射基台座的顶表面，用于夹持固定待溅射基片；所述挡板组件包括多个挡板，其中一个挡板设于磁控溅射基台座的上方，其余的挡板分别设于对应的磁控溅射靶座下方，用于隔开磁控溅射各个靶座和磁控溅射基台座
磁控溅射基台座磁控溅射靶挡板靶座磁控溅射装置本实用新型挡板组件真空室对置夹持压片等离子清洗基片材料夹持固定顶表面夹角为隔开减小溅射锐角轰击

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