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[发明专利]铁含量低的喷涂Si-或Si∶Al-靶-CN200910118118.3无效
发明人：罗兰·特拉斯里;沃尔夫·福瑞特切 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供一种用于溅射含硅膜的旋转溅射靶。该靶包括含硅溅射材料层(104)；以及载体(102)，其用于承载溅射材料，其中，溅射材料层包含低于200ppm的铁。
含量喷涂 si al

[发明专利]溅射靶用材料-CN201510208362.4有效
发明人：小林宜敬;加藤昌宏;深谷芳竹 -专利权人：联合材料公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种可以调节溅射速率的溅射靶用材料。关于溅射靶用材料，被溅射的面的结晶组织的纵横比为3以上。
溅射靶结晶组织纵横比溅射

[发明专利]梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法-CN201910022023.5在审
发明人：汪福宪;郭鹏然;梁维新 -专利权人：广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法，采用磁控共溅射法，靶A和靶B分别采用独立的直流溅射电源，并利用溅射功率渐变控制器控制共溅射过程中靶A和靶B的起始溅射功率和功率渐变速率，调控薄膜中金属离子的比例；通过在共溅射过程中控制靶A和靶B溅射组分的溅射功率，从薄膜底部至薄膜顶部形成金属离子A/B比例的梯度变化，在多元金属氧化缺陷容忍度范围内实现金属A/B比例的可控调节，在抑制杂相析出的前提下
薄膜多元金属氧化物溅射功率自掺杂制备磁控溅射金属离子共溅射渐变磁控共溅射法直流溅射电源控制器控制析出多元金属梯度变化氧化缺陷容忍度溅射可控金属调控

[发明专利]成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法-CN201911124036.X在审
发明人：菅原洋纪;松本行生 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法，即使在具有不均匀的压力分布的腔室内一边使溅射区域移动一边进行溅射的情况下，也能够抑制溅射的品质降低。成膜装置(1)具有在内部配置成膜对象物(6)和靶(2)的腔室(10)、和使从靶(2)产生溅射粒子的溅射区域(A1)在腔室(10)内移动的移动部件(移动台驱动装置(12))。成膜装置(1)一边通过移动部件使溅射区域(A1)移动一边使溅射粒子堆积于成膜对象物(6)而成膜。移动部件根据溅射区域(A1)附近的压力，使溅射区域(A1)的移动速度变化。
装置方法以及电子器件制造

[发明专利]成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法-CN201911124060.3在审
发明人：菅原洋纪;松本行生 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法，即使在具有不均匀的压力分布的腔室内一边使溅射区域移动一边进行溅射的情况下，也能够抑制溅射的品质降低。成膜装置(1)具有在内部配置成膜对象物(6)和靶(2)的腔室(10)、和使从靶(2)产生溅射粒子的溅射区域(A1)在腔室(10)内移动的移动部件(移动台驱动装置(12))。成膜装置(1)一边通过移动部件使溅射区域(A1)移动一边使溅射粒子堆积于成膜对象物(6)而成膜。移动部件根据溅射区域(A1)附近的压力，使溅射区域(A1)的移动速度变化。
装置方法以及电子器件制造

[发明专利]控制磁控溅射设备镀膜的方法-CN202211706326.7在审
发明人：杨骥;鲍少娟;黄金;师海峰;冀杨洲;高英杰;杨泽奇;潘国鑫;杨文亮;任法渊;李莎;张娟;吕霞 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制磁控溅射设备镀膜的方法，属于磁控溅射镀膜技术领域。包括：将全新的靶材安装在磁控溅射设备的靶位上，确保靶材表面和接缝洁净、无破损；建立磁控溅射设备的真空环境，并开启加热；向磁控溅射设备中通入Ar和O2；开启磁控溅射设备的射频电源，并开启射频电源的脉冲调制模式，设定脉冲频率为5KHz，脉冲占空比为85％，并将磁控溅射设备的设定功率调整为磁控溅射设备常规功率的117％；开启磁控溅射设备并调整其传输速度后，开始进行硅片镀膜。
控制磁控溅射设备镀膜方法

[发明专利]一种用于调控高熵合金元素比例的磁控溅射方法及系统-CN202211414362.6在审
发明人：方海生;李婕;李朝中;尹素萍 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于磁控溅射镀膜相关技术领域，其公开了一种用于调控高熵合金元素比例的磁控溅射方法及系统，方法包括：对磁控溅射单元的多个靶台电源分别进行调制，根据溅射量需求将靶台电源的直流电或脉冲交流电调制为不同频率、幅值或占空比的方波交流电，所述方波交流电的频率大于或等于kHz级，进而实现靶台在高电平时进行溅射，在低电平时停止溅射，实现不同靶台有效溅射时间的控制，进而控制不同高熵合金元素的溅射比例。本申请在高频交替溅射下实现高熵合金元素比例的调节，且避免了分层现象的产生。
一种用于调控合金元素比例磁控溅射方法系统

[发明专利]IZO薄膜及其制备方法-CN202310707873.5在审
发明人：王之君;韩冰雪;孙本双;王成铎;陈杰;刘洋;刘苗;曾学云 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：IZO薄膜的制备方法包括：将石英玻璃片粘贴在磁控溅射腔体内的基板上，将IZO靶材设置在磁控溅射腔体内，并调整IZO靶材与基板的距离为50～90mm；对磁控溅射腔体抽真空，至4～6×10‑4pa时，以一定流量向磁控溅射腔体内通入氩气或氧气和氩气的混合气体，其中，混合气体中氩气与氧气的体积比为40:1～4；调节磁控溅射腔体的溅射功率为60～120W、溅射气压为0.5～0.8pa、溅射时间为10～40min，对IZO靶材进行磁控溅射，得到IZO薄膜。
izo 薄膜及其制备方法

[发明专利]Si/Ti/Al硬质基底的直流磁控溅射制备方法及应用-CN201710299850.X有效
发明人：薛同;陈炜晔;严祥辉;耿桂宏 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si/Ti/Al硬质基底的直流磁控溅射制备方法及应用，该制备方法包括如下步骤：取Si片基板三次化学清洗后，真空除尘，预热30分至200摄氏度后，进行Ti溅射，溅射条件为本底真空度5×10^‑4Pa、Ar气氛压力0.50pa、溅射时间为1min、溅射电流为1A，完成Ti溅射后进行Al溅射，完成Al溅射后降温至室温取出，即得。本发明采用导电硬质基底，则可以解决陶瓷薄膜的脆性问题，有利于纳米器件的制作；使用直流法进行磁控溅射，重复性好，成膜质量高，制备陶瓷薄膜的有序度好，时间短。
溅射制备硬质基直流磁控溅射陶瓷薄膜本底真空度磁控溅射脆性问题化学清洗纳米器件片基板直流法除尘预热成膜导电应用取出制作

[发明专利]发光二极管的芯片的制造方法和溅射方法-CN201810563235.X有效
发明人：周弘毅;刘英策;魏振东;李健;吴奇隆 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一发光二极管的芯片的制造方法和溅射方法，其中所述溅射方法包括如下步骤：光刻层叠于一底材的一光刻胶层，以使所述光刻胶层形成至少一溅射空间和环绕在所述溅射空间的四周的一防翘空间，其中所述防翘空间连通所述溅射空间；在溅射一成型材料于所述光刻胶层的所述溅射空间而形成结合于所述底材的一金属层时，所述防翘空间阻止所述成型材料进入于其内；以及去除所述光刻胶层，以完成在所述底材的表面溅射所述金属层的所述溅射方法。
发光二极管芯片制造方法溅射

[实用新型]一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材-CN201420082877.5有效
发明人：周航锋;贺伟;侍进山;徐博文;李景;李信;陈武;万禄兵 -专利权人：湖南中好科技有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材，靶材主体采用多段组合式结构，组合后的主体顶部设有下凹的溅射槽，溅射槽的溅射面中部沿主体长度方向凸起，使溅射面横截面呈W状，主体下端设有凹或凸的定位槽本实用新型与现有平面结构型的溅射面不同的是：本方案设计有溅射槽以适应溅射不同位置，进而提高溅射靶材的使用效率，进一步增加靶材的使用寿命，而且本方案靶材底部不需要采用胶水粘接，使用操作方便，减少靶材体积，
一种用于提高磁控溅射镀膜利用率

[实用新型]一种设有防溅射结构的陶瓷原材料加工转盘装置-CN202020586242.4有效
发明人：易元波;丁柳 -专利权人：湖南省醴陵市湘强陶瓷制造有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： B28B1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种设有防溅射结构的陶瓷原材料加工转盘装置，包括加工转盘和防溅射机构；本实用新型中，通过在加工转盘外增设了防溅射机构，防溅射机构的设置，用于起到防止浆水溅射的问题，从而避免浆水散落到工作环境中，进而避免后期对工作环境的清洗，从而达到省时省力的效果，具体地，防溅射罩的设置，用于罩设在加工转盘外，用于防止浆水溅射，通过防溅射罩和可拆卸连接管相对固定连接管均可达到可拆卸的功能，从而可以根据实际情况的不同，随意更换不同尺寸的防溅射罩，从而可以适用于不同工作人员的操作。
一种设有溅射结构陶瓷原材料加工转盘装置

[发明专利]溅射靶的部分喷涂翻新-CN201480054142.4有效
发明人： S·A·米勒 -专利权人： H.C.施塔克公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C23C24/00 文献下载
摘要：在各种实施方案中，通过喷涂沉积靶材的颗粒以至少部分填充某些区域(例如，最深侵蚀的区域)而在其他侵蚀区域(例如，更少侵蚀的区域)内没有喷涂沉积来部分地翻新侵蚀溅射靶。在溅射性能(例如，溅射速率)和/或溅射膜的性能没有实质性改变的情况下，部分地翻新的溅射靶可以在部分翻新后溅射。
溅射部分喷涂翻新

[发明专利]一种铜修饰氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法-CN201610151195.9在审
发明人：方峰;张夜雨;陈海洋;张旭海;周雪峰;蒋建清 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜修饰氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，步骤为：第一步，磁控预溅射：采用磁控溅射法和双靶共溅射工艺，Ar气真空环境下，在洁净的衬底材料上，采用Ti和Cu靶进行预溅射；Cu靶与Ti靶的角度为60°～90°；第二步，磁控溅射：预溅射后，通入氧气和氮气的混合气体，真空下，控制Ti靶溅射功率为150W～250W，Cu靶溅射功率为20～50W，起辉后控制溅射气压为0.4～0.8Pa，开始磁控溅射；第三步
一种修饰掺杂氧化薄膜制备方法

[发明专利]等离子溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法-CN201610284934.1在审
发明人：陈磊;陈建民;赵丽萍;钱俊有;张文涛;蔡水占;张会超;王东胜 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及致冷件生产技术领域的设备和方法，名称是等离子溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法，等离子溅射致冷件晶板镀膜装置，包括机架，在机架上具有传送装置，在传送装置上面安装溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘，所述的溅射装置具有溅射喷头，传送装置运行，放置盘在溅射喷头下面运行的时间是2—3 S；将晶板放置在溅射装置下面进行溅射，溅射的耗材是镍、钯或银，可以形成一层镀膜的半导体晶板。这样的致冷件晶板镀膜装置可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜；这样的等离子溅射致冷件晶板镀膜方法具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的优点。
等离子溅射致冷件晶板镀膜装置方法