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[发明专利]真空多元溅射镀膜方法-CN01133487.8无效
发明人：李会斌 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2001-11-20 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及对溅射镀膜方法的改进。按镀膜材料选择交流电源,将交流电源与两组靶连接,使两组靶处于正负电位交替变化的状态;镀膜材料分别放置在两组靶上,根据的需要调节每个靶的功率调节器,靶上的镀膜材料在真空气体放电的环境下发生溅射,被溅射的镀膜材料沉积到衬基上本发明采用单电源多靶进行多种镀膜材料的溅射,溅射出混合材料的薄膜,还可溅射出无边界的连续的多层膜;溅射的稳定性高;用磁控溅射方式提高溅射速率,降低溅射电压,成本低,提高使用的安全性。本发明是能制备混合物薄膜和多种元素的化合物薄膜、应用范围大的真空多元溅射镀膜方法。
真空多元溅射镀膜方法

[发明专利]改善物理溅射工艺稳定性的方法-CN200710093841.1无效
发明人：王海军;方精训;谢煊;季芝慧 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善物理溅射工艺稳定性的方法，在去水蒸气化腔之后通过运送腔连接多个溅射腔，进行溅射工艺的芯片在所述去水蒸气化腔内进行去水蒸气工艺，之后进入所述运送腔，所述运送腔按照先进先出的原则依次将所述运送腔中的晶片运送至空闲的溅射腔中，之后由溅射腔对晶片进行溅射工艺；去水蒸气工艺时间为A，从去水蒸气工艺结束到运送至溅射腔的时间为B，溅射工艺的时间为C，从溅射工艺结束到运送至冷却腔的时间为D，所述溅射腔的数量为n，则需要满足n×(A+本发明避免了晶片进入溅射腔之前等待时间过长而造成晶片不能满足工艺要求而导致报废的情况的发生，大大提高了晶片生产的合格率，降低了生产的成本。
改善物理溅射工艺稳定性方法

[实用新型]一种新型磁控轴瓦溅镀机-CN201420349402.8有效
发明人：木俭朴 -专利权人：山东大丰轴瓦有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型磁控轴瓦溅镀机，涉及溅渡装置技术领域，包括溅渡壳体，溅渡壳体内设有溅渡腔，溅渡腔设有溅射靶支撑架和轴瓦支撑架，溅渡壳体底部设有底座，溅射靶支撑架和轴瓦支撑架设置在溅渡壳体底部底座上，溅射靶支撑架中间设有溅射靶架轴，溅射靶架轴底部设有旋转环，旋转环通过连接杆与溅射靶架轴一侧的溅射靶支撑架边缘连接，溅渡壳体最下方设有电机，旋转环与电机输出轴相连接，溅射靶架轴两侧的溅射靶支撑架各活动设有一块溅射靶，溅射靶的双面设有凹槽，正面凹槽的底面为镍靶、背面凹槽的底面合金靶，通过两面靶，解决以往受降温以及更换靶材等步骤制约，增加了工作产量、提高了效率。
一种新型轴瓦溅镀机

[实用新型]ICP增强多靶磁控溅射装置-CN201620802147.7有效
发明人：杨佳奇;胡一波;金成刚;吴雪梅;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种ICP增强多靶磁控溅射装置，包括真空室、设于真空室顶部的三个溅射靶、设于真空室内的ICP线圈和基片台以及与真空室相连通的泵机组，三个溅射靶的直径均为60mm，三个溅射靶的轴线与水平面之间的夹角均为20°‑50°，三个溅射靶沿周向均匀间隔分布，三个溅射靶均聚焦于基片台的中心，三个溅射靶分别与第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源相连接，ICP线圈设于溅射靶与基片台之间，ICP线圈连接有第四射频电源本实用新型拥有三个溅射靶，三个溅射靶靶位中心聚焦于基片台中心，实现了共聚焦磁控溅射，可获得均匀、较大面积的薄膜，制备出的薄膜致密、纯度高。
icp 增强磁控溅射装置

[实用新型]一种连续式磁控溅射装置-CN201721674593.5有效
发明人：毛华云;梁礼渭 -专利权人：江西金力永磁科技股份有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种连续式磁控溅射装置，包括含有真空腔室、磁控溅射腔室和冷却腔室的磁控溅射炉；所述真空腔室设置在所述磁控溅射腔室的一侧，所述真空腔室和磁控溅射腔室之间用第一可活动装置隔开；所述冷却腔室设置在所述磁控溅射腔室的另一侧，所述冷却腔室和磁控溅射腔室之间用第二可活动装置隔开；所述真空腔室设置于所述磁控溅射炉的入口处，所述冷却腔室设置于述磁控溅射炉的出口处。本实用新型提供了一种连续式磁控溅射装置，具有连续的三个腔室，按工作顺序分别为真空腔室、磁控溅射腔室、冷却腔室。
磁控溅射腔室冷却腔室真空腔室磁控溅射装置磁控溅射炉可活动装置连续式隔开本实用新型三个腔室互不干扰生产效率抽真空入口处冷却生产

[实用新型]一种磁控溅射实验装置-CN201721721641.1有效
发明人：穆键;李金成;常昱;郭爽 -专利权人：上海北玻镀膜技术工业有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：一种磁控溅射实验装置，包括机架和机架上相连通的进口室和溅射室，溅射室由隔板分隔形成七个依次直线排列的工艺井位，沿工艺方向，第一工艺井位到第三工艺井位为第一组，第四工艺井位到第六工艺井位为第二组，同一组内的工艺井位尺寸相同，第二组大于第一组的尺寸；进口室和每个工艺井位内分别设有输送方向一致的输送辊道，在第二工艺井位和第五工艺井位的顶部各设有两个溅射阴极，并在溅射阴极和下方的输送辊道之间设有溅射挡板，溅射挡板和输送辊道之间留有供玻璃基片通过的通道，溅射室的第四工艺井位和第七工艺井位均设有加热装置；溅射室和供气系统连接，并在溅射室内设有冷却系统。本实用新型可以满足大规模生产对磁控溅射设备的要求。
井位溅射室输送辊道溅射磁控溅射溅射阴极实验装置挡板进口室隔板磁控溅射设备本实用新型玻璃基片方向一致工艺方向供气系统加热装置冷却系统直线排列分隔连通室内

[实用新型]一种溅射靶材打磨夹具-CN201822152599.7有效
发明人：张扬;卢建栋 -专利权人：东曹（上海）电子材料有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种溅射靶材打磨夹具，涉及夹具领域，包括磨床，磨床上固定连接有3个以上的垫块，垫块上放置有溅射靶材，垫块抵接溅射靶材靠近地面的一面，磨床上固定连接有1个以上的固定底座；固定底座上固定连接有抵接块，固定底座上活动连接有定位块，固定底座上还设置有调节件，调节件用于调节抵接块与定位块之间的相对位置，当抵接块和定位块抵紧溅射靶材的两侧时，溅射靶材与固定底座的相对位置固定。抵接块与定位块减少溅射靶材在打磨过程中产生的振动，垫块能够托住溅射靶材，避免溅射靶材受压弯曲，导致溅射靶材的表面不能够完全打磨到，对溅射靶材表面的光洁度和平面度都有所提升，降低了溅射靶材磨削的废品率。
溅射靶材固定底座抵接块定位块垫块夹具磨床打磨光洁度溅射靶材表面相对位置固定本实用新型活动连接有抵接抵紧面度磨削受压托住

[发明专利]双面及多层FPC用基板及其加工方法-CN202110198311.3在审
发明人：蔡水河 -专利权人：常州欣盛半导体技术股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明涉及基板加工技术领域，尤其涉及一种双面及多层FPC用基板及其加工方法，包括：基材，基材上开设有多个沿厚度方向贯穿的斜孔；溅射层，溅射层附着在基材和斜孔的表面；导电部，导电部设于斜孔内，并与溅射层相连；多个线路铜层，多个线路铜层位于基材的上下表面，并与溅射层相连，多个线路铜层之间通过导电部相连。本发明能够降低生产成本，降低钻孔难度、方便孔内表面溅射并使得溅射离子溅射在孔内表面，避免溅射到对向的辊轮上。
双面多层 fpc 用基板及其加工方法

[发明专利]一种高功率双极脉冲磁控溅射方法-CN201410418382.X有效
发明人：王浪平;林铁贵;王小峰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种高功率双极脉冲磁控溅射方法，涉及一种双极脉冲磁控溅射方法。本发明的目的是为了解决现有的高功率单级磁控溅射电荷积累而产生的打火的技术问题。本发明的一种高功率双极脉冲磁控溅射方法是按以下步骤进行：一、安装设备；二、设置电源参数；三、预溅射；四、溅射。本发明优点：本发明方法即可有效的抑制靶的打火现象，提高溅射效率，又可获得高致密性和高结合力的薄膜。本发明应用于磁控溅射领域。
一种功率脉冲磁控溅射方法

[发明专利]溅射靶材的表面处理方法-CN200910211713.1有效
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;汪涛;刘庆 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： B23P17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射靶材的表面处理方法，包括：提供溅射靶材，所述溅射靶材为铝或铝合金；对所述溅射靶材的表面进行车床加工，并在车屑过程中采用酒精冷却；采用抛光件对车屑后的溅射靶材进行抛光。与现有技术相比，本发明可以及时冷却车床加工过程中产生的热量，使得车床加工时较少或不产生积屑，避免了积屑对溅射靶材表面造成损伤，提高了溅射靶材表面的平整度和光洁度，制作出符合工艺要求的溅射靶材产品。
溅射表面处理方法

[发明专利]在基底表面上沉积纳米点阵的方法-CN201210042886.7有效
发明人：马平;孙平;陈松林;蒲云体;朱基亮 -专利权人：成都精密光学工程研究中心;四川大学
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：该方法是将清洗好的基片放入溅射仪中，再将溅射靶材安装于溅射仪中；抽真空，控制溅射气压、溅射电流、溅射功率、以及控制溅射时间，即可在所述基片上沉积所需纳米点阵。本发明方法是根据薄膜的岛状生长模式，利用溅射仪在基片的表面上沉积纳米点阵；无需掩膜板、其制备工艺简单、制备快捷、可控性高；沉积的纳米点阵质量高；适用于纳米电子和纳米光电子领域；具有较大的应用价值。
基底表面上沉积纳米点阵方法

[实用新型]向上成膜磁控溅射装置-CN201220074712.4有效
发明人：王进东 -专利权人：江苏宇天港玻新材料有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种向上成膜磁控溅射装置，包括镀膜室，其中，所述镀膜室中具有上部腔体、下部腔体、溅射靶材和基片，所述溅射靶材位于所述上部腔体和所述下部腔体之间并靠近所述下部腔体的一侧，所述基片位于所述溅射靶材与所述上部腔体之间，所述溅射靶材材料被溅射后向上成膜于所述基片的靠近所述溅射靶材的一侧。本实用新型的向上成膜磁控溅射装置，能有效避免装置中的残渣对产品的污染、提高良率、节省成本的同时提高生产效率。
向上磁控溅射装置

[实用新型]离子溅射仪-CN201821721176.6有效
发明人：李乐华;张志阳;张亮 -专利权人：欣旺达电子股份有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种离子溅射仪，包括离子溅射仪本体和设置于离子溅射仪本体内的自动旋转样品架，自动旋转样品架用于在离子溅射仪本体对样品进行溅射镀膜时支撑并旋转样品。本实用新型提供的离子溅射仪，通过在离子溅射仪本体上设置自动旋转样品架，实现离子溅射仪对样品进行喷镀的同时，对样品进行旋转，进而实现对样品进行全面地、均匀地喷镀，避免了因喷镀不均匀或局部喷镀不到位，而需进行重复喷镀
离子溅射仪喷镀自动旋转样品架本实用新型溅射镀膜不均匀对靶体内消耗支撑重复

[实用新型]双面及多层FPC用基板-CN202120390502.5有效
发明人：蔡水河 -专利权人：常州欣盛半导体技术股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本实用新型涉及基板加工技术领域，尤其涉及一种双面及多层FPC用基板，包括：基材，基材上开设有多个沿厚度方向贯穿的斜孔；溅射层，溅射层附着在基材和斜孔的表面；导电部，导电部设于斜孔内，并与溅射层相连；多个线路铜层，多个线路铜层位于基材的上下表面，并与溅射层相连，多个线路铜层之间通过导电部相连。本实用新型能够降低生产成本，降低钻孔难度、方便孔内表面溅射并使得溅射离子溅射在孔内表面，避免溅射到对向的辊轮上。
双面多层 fpc 用基板

[实用新型]溅射阴极装置-CN202222263209.X有效
发明人：靳伟;何云鹏 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及溅射镀膜技术领域，尤其涉及一种溅射阴极装置，包括阴极安装法兰、溅射阴极外护罩、靶管和磁棒，阴极安装法兰和溅射阴极外护罩形成容置腔，靶管和磁棒均可转动设置在容置腔内，溅射阴极外护罩上贯穿开设有溅射孔，靶管对应溅射孔设置。该溅射阴极装置在受到大气污染或其他靶材物质的污染时，可转动磁棒并对靶管进行清洗，并使清洗下来的污染物朝向容置腔内部扩散，以保证镀膜初期的镀膜质量。
溅射阴极装置