“溅射”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果35044个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]球罩导电环加工方法-CN202310654642.2在审
发明人：戴辉;刘克武;王奎;王星星;尹士平 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种球罩导电环加工方法包括步骤：步骤一，在真空溅射镀膜机的真空室内，用球罩固定工装将球罩固定，以形成中空空间以及形成使球罩的内球面的一部分露出的镀膜间隙；步骤二，将溅射靶安装在真空溅射镀膜机的靶材基座上，溅射靶具有能够环形溅射的溅射面；步骤三，使球罩固定工装和溅射靶相对彼此运动，以使溅射靶的溅射部伸入球罩固定工装的中空空间中；步骤四，关闭真空室，对真空室抽真空；步骤五，启动溅射电源和溅射气体，溅射气体轰击溅射靶的溅射面以使从溅射面被轰击处的溅射靶的粒子在镀膜间隙进行沉积镀膜以形成导电环
导电加工方法

[发明专利]一种超高透高性能低辐射膜的制备方法-CN201310567790.7有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，包括：A、直流溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、直流溅射Nb平面靶，在Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；F、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；G、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；H、交流溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种超高性能辐射制备方法

[发明专利]溅射靶的加工方法、溅射靶的加工装置、溅射靶及溅射靶制品的制造方法-CN201880010776.8有效
发明人：藤田昌宏;西冈宏司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供溅射靶的加工方法，其是对包含溅射面、前述溅射面的相反侧的相对面、和前述溅射面与前述相对面之间的外周面的溅射靶进行加工的方法，所述溅射靶的加工方法具备：将前述溅射靶的前述溅射面或前述相对面设置于固定台，从而将前述溅射靶固定于前述固定台的工序；和，一边使切削工具沿前述溅射靶的前述外周面的周向旋转，一边利用前述切削工具切削前述溅射靶的前述外周面的工序。
溅射加工方法装置制品制造

[实用新型]磁控溅射环装置及磁控溅射反应器-CN201220750453.2有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;汪涛 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种磁控溅射环装置及磁控溅射反应器。其中磁控溅射环装置包括：磁控溅射环，包括内环侧壁和外环侧壁；定位销，设置在所述磁控溅射环的外环侧壁上，磁控溅射环通过定位销固定在磁控溅射腔室的侧壁上，所述定位销的表面具有膜层，所说膜层具有图案。应用本实用新型的磁控溅射环装置可以减少附着在磁控溅射环装置表面的溅射材料原子掉落至基板上，从而影响基片成膜质量。另外，提高磁控溅射环的使用寿命。
磁控溅射装置反应器

[实用新型]磁控溅射环装置及磁控溅射反应器-CN201220750585.5有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;汪涛 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种磁控溅射环装置及磁控溅射反应器。其中磁控溅射环装置包括：磁控溅射环，包括内环侧壁和外环侧壁；定位销，设置在所述磁控溅射环的外环侧壁上，磁控溅射环通过定位销固定在磁控溅射腔室的侧壁上，所述定位销的表面具有膜层，所述膜层上具有喷砂图案。应用本实用新型的磁控溅射环装置可以减少附着在磁控溅射环装置表面的溅射材料原子掉落至基板上，从而影响基片成膜质量。另外，提高磁控溅射环的使用寿命。
磁控溅射装置反应器

[发明专利]一种磁控溅射设备-CN201410184891.0在审
发明人：宋太伟;高伟波 -专利权人：上海建冶环保科技股份有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁控溅射设备，包括磁控溅射室，其左、右侧壁设置一个进气口和抽气口；溅射靶、靶材，位于磁控溅射室内下部；磁铁，位于磁控溅射室内溅射靶底部；可移动基板台，位于磁控溅射室内上部，在其与溅射靶的相对面上设置有基片；保护罩，位于磁控溅射室内，放置在靶材和可移动基板台之间；高频电源，位于磁控溅射室外，其正负极分别与基板台和溅射靶连接；通电线圈，垂直放置在基板台和溅射靶之间，用于产生变化的磁场。本发明的实施可以增加了电子与沉积粒子的碰撞机率，达到控制粒子大小和沉积速度的目的，实现纳米级薄膜的磁控溅射沉积。
一种磁控溅射设备

[发明专利]地面电推进试验用的双层防溅射分子沉结构及其冷却方法-CN201810031041.5在审
发明人：翁惠焱;苏杨;贺碧蛟;凌桂龙;蔡国飙 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： G01M99/00 文献下载
摘要：本发明提供了地面电推进试验用的双层防溅射分子沉结构，双层防溅射分子沉结构的制冷方法，涉及等离子体空间环境模拟试验设备技术领域。其中，地面电推进试验用的双层防溅射分子沉结构，包括次端防溅射分子沉和端部防溅射分子沉，端部防溅射分子沉和次端防溅射分子沉沿筒体轴向排列，端部防溅射分子沉位于筒体的底端，次端防溅射分子沉位于筒体的内部，筒体用于安装端部防溅射分子沉和次端防溅射分子沉该发明能够解决现有技术中存在的地面电推进试验的防溅射结构的防溅射能力差的技术问题。
地面推进试验双层溅射分子结构及其冷却方法

[实用新型]冷却塔喷头-CN201921336944.0有效
发明人：吕小彬 -专利权人：厦门创机冷却塔配件有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： F28F25/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了冷却塔喷头，包括连接管、支撑条和溅射盘，所述连接管外侧成型有所述支撑条，所述支撑条下端成型有所述溅射盘，所述连接管上端成型有螺纹槽，所述溅射盘中心设置有溅射头。有益效果在于：本实用新型通过设置的溅射座、螺钉盘和溅射头，使得溅射头可以根据实际溅射效果进行更换，保证喷头的溅射效果。
冷却塔喷头

[实用新型]溅射靶-CN202321405658.1有效
发明人：戴辉;李长东;王奎;王星星;尹士平 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶包括溅射部，溅射部为上大下小的圆台形的回转体，溅射部的母线与溅射靶的轴线的夹角为17.5‑22.5°，溅射部的母线形成的曲面用作溅射面；溅射部用于伸入待镀膜的产品的内腔内以对产品的内表面进行溅射镀膜
溅射

[发明专利]靶材的剩余溅射时间的获得方法-CN201410520148.8有效
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;喻洁;钱红兵 -专利权人：合肥江丰电子材料有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种靶材的剩余溅射时间的获得方法，包括：提供一个已知初始厚度的靶材；将所述靶材进行部分溅射，并记录溅射时间；测量部分溅射后的靶材的剩余厚度获得最小剩余厚度，并根据所述最小剩余厚度获得最大溅射厚度；根据所述初始厚度与所述溅射时间的乘积、所述乘积与所述最大溅射厚度的比值来获得靶材的剩余溅射时间。采用本发明中的靶材的剩余溅射时间的获得方法，可以降低磁控溅射成本。
剩余溅射时间获得方法

[发明专利]磁控溅射制备导电薄膜的方法-CN201410039632.9有效
发明人：郑芳平;张迅;易伟华 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射制备导电薄膜的方法。该方法包括提供基板，将所述基板放入磁控溅射腔室中；提供阴极和靶材，将所述阴极和靶材放入所述磁控溅射腔室中；以及在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜的步骤。这种方法同时采用溅射直流溅射镀膜和射频溅射在基板上溅射镀膜。经实验表明，该方法能够在较低的电压下镀膜，能够避免直流磁控溅射镀膜存在的电阻率高和透射率低的问题。
磁控溅射制备导电薄膜方法

[发明专利]一种具有五靶头的磁控共溅射设备-CN201410020952.X有效
发明人：杨晓阳;陈伯良;李向阳;贾嘉 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有五靶头的磁控共溅射设备，本发明磁控溅射设备在腔体内设置有三个溅射靶、基片台、基片台支架、基片台挡板。所述的三个溅射靶包括两个单靶头溅射靶和一个三靶头溅射靶，可通过旋转安装于所述的腔体外侧的转轮把手选择溅射靶材。所述的基片台支架用于支撑基片台，所述的基片台挡板安装在基片台上方。本发明提供的磁控溅射设备，可实现五种溅射靶材料单独溅射或三靶共聚焦溅射功能。
一种具有五靶头磁控共溅射设备

[实用新型]具有五靶头的磁控共溅射设备-CN201420028382.4有效
发明人：杨晓阳;陈伯良;李向阳;贾嘉 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本专利公开了一种具有五靶头的磁控共溅射设备，本专利磁控溅射设备在腔体内设置有三个溅射靶、基片台、基片台支架、基片台挡板。所述的三个溅射靶包括两个单靶头溅射靶和一个三靶头溅射靶，可通过旋转安装于所述的腔体外侧的转轮把手选择溅射靶材。所述的基片台支架用于支撑基片台，所述的基片台挡板安装在基片台上方。本专利提供的磁控溅射设备，可实现五种溅射靶材料单独溅射或三靶共聚焦溅射功能。
具有五靶头磁控共溅射设备

[实用新型]防干扰柔性磁控溅射装置-CN201620546641.1有效
发明人：王鲁南;李锺允;朴勝一;全武贤;朴翰镇;王建华;窦立峰 -专利权人：南京汇金锦元光电材料有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本技术解决了因各溅射腔内输入的气流流量不同而导致相邻溅射腔相互干扰，影响各溅射腔的沉积效果的问题，提供了一种相邻溅射腔互不干扰的防干扰柔性磁控溅射装置。它是在一个真空腔体内设置有多个磁控溅射阴极，每个磁控溅射阴极具有一个阴极屏蔽罩所形成的溅射腔体，阴极靶材位于各溅射腔内，各溅射腔体均与输入工作气体、反应气体的输入装置相通，各溅射腔均通过一个可以调节开度的阀门与真空泵相连
干扰柔性磁控溅射装置

[发明专利]使用溅射装置的溅射方法-CN201210417924.2有效
发明人：李在春 -专利权人：海蒂斯技术有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用溅射装置的溅射方法，更详细地涉及一种设定从溅射靶材的一侧到另一侧的整个扫描区间，并使磁体沿着所述整个扫描区间做正向和反向的连续多次往返运动，以扫描所述溅射靶材的溅射装置的溅射方法。其特征在于，将所述整个扫描区间分割为n个部分，并且为了将溅射靶材均匀侵蚀，使磁体在被分割成n个部分的所述整个扫描区间的部分区间移动。由此，提供一种通过溅射靶材的均匀的侵蚀，能够提高溅射靶材的使用效率，且延长溅射靶材的更换周期，并可降低溅射工艺的制造成本的使用溅射装置的溅射方法。
使用溅射装置方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top