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[发明专利]一种生物质碳基金属修饰自掺杂富缺陷氧化锡纳米复合光催化材料的制备方法-CN201811093626.6在审
发明人：杨柳青 -专利权人：平顶山学院
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：一种生物质碳基金属修饰自掺杂富缺陷氧化锡纳米复合材料的制备方法，将金属修饰的自掺杂富缺陷氧化锡半导体异质结通过化学键络合的形式负载分散于生物质碳基得到复合光催化剂材料；自掺杂富缺陷氧化锡选自Sn掺杂的非化学计量比或混合价态富氧缺陷的氧化锡；金属修饰的自掺杂富缺陷氧化锡是将具有等离子共振效应的金属纳米粒子负载于自掺杂富缺陷氧化锡纳米颗粒上。本发明利用自掺杂富缺陷氧化锡的可见光光催化氧化还原特性、金属纳米粒子的等离子共振效应、生物质碳基材料的导电性以及三个组分之间具有化学键合的异质结结构，充分提高其光催化反应中的光生电子‑空穴分离率，从而有利于提高其光催化氧化还原降解污染物和光催化分解水产氢的性能
自掺杂生物质碳氧化锡氧化锡纳米金属纳米粒子等离子共振金属修饰基金属修饰制备复合光催化材料非化学计量比复合光催化剂氧化锡半导体导电性化学键空穴光催化反应光催化分解光催化氧化降解污染物异质结结构催化氧化光生电子化学键合还原特性混合价态形式负载复合材料掺杂的基材料异质结富氧络合还原水产

[发明专利]磷自掺杂型生物质碳量子点缓蚀剂与制备方法及其应用-CN202310806771.9在审
发明人：廖秀芬;赖俊翔;侯保荣;孙丛涛 -专利权人：广西科学院
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷自掺杂型生物质碳量子点缓蚀剂与制备方法及其应用，该法以生物质组分植酸为原料，在反应釜中进行一步水热反应，得磷自掺杂型碳量子点粗产品；粗产品用氨水调节pH使磷自掺杂型碳量子点沉淀，反复离心清洗得到纯净的磷自掺杂型碳量子点生物质组分植酸富含P原子，以其同时作为碳源和磷源，无需外加其他试剂便可实现杂原子磷对碳量子点的掺杂。所述磷自掺杂型碳量子点分散均匀，粒径1.2‑4.3nm，平均粒径2.1nm，富含sp2型共轭碳和杂原子磷，可与金属离子发生配位反应，在金属表面形成纳米保护膜，阻止腐蚀物质对金属的腐蚀从而达到缓蚀的效果本发明提供的磷自掺杂型碳量子点具有良好的水溶性、绿色环保、制备简单、成本低廉。
掺杂生物量子点缓蚀剂制备方法及其应用

[发明专利]在线监控锗硅工艺中自掺杂硼浓度的方法-CN201410162698.7在审
发明人：周建华;刘巍 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种在线监控锗硅工艺中自掺杂硼浓度的方法，包括：进行PNP型双极型晶体管的版图设计，其发射极为P型重掺杂锗硅，并且自掺杂硼；进行所述PNP型双极型晶体管的制作；测量所述PNP型双极型晶体管的电流，并计算电流放大系数；根据所述电流放大系数判断自掺杂硼锗硅工艺中硼的实际用量，在线检测硼的实际用量是否出现异常，从而快速判断工艺是否正常，及时发现自掺杂硼锗硅工艺中出现的异常。
在线监控工艺掺杂浓度方法

[发明专利]一种通过对二维金属碳化物晶体进行部分氯化制备金属自掺杂石墨烯的方法-CN201611209424.4有效
发明人：木士春;孟天;寇宗魁;郭贝贝 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过对二维金属碳化物进行部分氯化制备金属自掺杂石墨烯的方法。一种通过对二维金属碳化物晶体进行部分氯化制备金属自掺杂石墨烯的方法，其特征在于：在一定温度下向二维金属碳化物晶体中引入氯气，经氯气刻蚀反应得到金属原子自掺杂石墨烯材料，反应过程中通入的氯气量低于碳化物中金属原子完全转化为金属氯化物所需的氯气量该方法可实现金属原子均匀可控掺杂的金属自掺杂石墨烯，掺杂量和掺杂金属种类均可控，金属掺杂量可控制在0.1at％‑12at％。本发明人首次通过二维金属碳化物晶体进行部分氯化成功地合成具有金属自掺杂的单层石墨烯材料及少层石墨烯材料。
一种通过二维金属碳化物晶体进行部分氯化制备掺杂石墨方法

[发明专利]可降低外延时自掺杂的外延片衬底、外延片及半导体器件-CN201110295470.1无效
发明人：顾昱;钟旻远;林志鑫;陈斌 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可降低外延时自掺杂的外延片衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面具有二氧化硅层。使用本发明中的可降低外延时自掺杂的外延片衬底生产的外延层，其电阻率均匀性数值可以做到＜1.5％。相比于未使用本发明的可降低外延时自掺杂的外延片衬底生产的外延层，可大幅提高外延层电阻均匀性。使用本发明中的可降低外延时自掺杂的外延片衬底，可降低后续生产成本，提高产品品质。
降低外延掺杂衬底半导体器件

[发明专利]一种聚吡咯/自掺杂富缺陷氧化锡异质结纳米复合光催化材料的制备方法-CN201811093602.0在审
发明人：杨柳青;白青;曹可生;李青彬;韩永军 -专利权人：平顶山学院
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： B01J31/26 文献下载
摘要：一种聚吡咯/自掺杂富缺陷氧化锡异质结纳米复合光催化材料的制备方法，将自掺杂富缺陷氧化锡异质结材料通过化学键络合的形式负载分散于Ppy而得到的纳米复合材料；自掺杂富缺陷氧化锡选自Sn掺杂的非化学计量比或混合价态锡氧化物组成的富缺陷氧化锡本发明利用自掺杂富缺陷氧化锡异质结材料可见光响应的氧化还原能力、聚吡咯的导电性和光传导特性，以及不同组分间具有化学键合的异质结结构，从而有利于电子空穴分离，获得优异的光催化性能。同时，聚吡咯易塑型的特点能有效避免粉体材料的回收困难问题，因而，本发明制得的聚吡咯/自掺杂富缺陷氧化锡纳米复合材料是一种便于回收的新型环保光催化材料。
氧化锡自掺杂聚吡咯复合光催化材料异质结材料异质结制备非化学计量比纳米复合材料导电性化学键光催化材料光催化性能可见光响应氧化锡纳米异质结结构电子空穴粉体材料化学键合混合价态困难问题锡氧化物新型环保形式负载氧化还原回收复合材料掺杂的光传导络合塑型

[发明专利]新型水溶性自掺杂聚苯胺接枝共聚物-CN03826835.3有效
发明人：曺元镐;朴然钦;金建亨;裵佑镇 -专利权人：（财）国立首尔大学校产学协力财团;第一毛织(株)
申请日： 2003-09-01 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及新型水溶性自掺杂聚苯胺接枝共聚物及其制备，其中将苯胺接枝到聚(苯乙烯磺酸－共聚－氨基苯乙烯)上。本发明的水溶性自掺杂导电聚苯胺接枝共聚物的优点在于不参与自掺杂的水溶性骨架部分(磺酸基团)能够使聚合物可以溶于水或诸如二甲基亚砜(DMSO)等极性有机溶剂。聚合掺杂剂(聚(苯乙烯磺酸)骨架)的结构在很宽的pH范围内如此稳定以致能够防止因掺杂剂迁移导致的宏观相分离并且掺杂/去掺杂是可逆的。本发明的水溶性自掺杂导电聚苯胺接枝共聚物将可以用于诸如电极、EMI屏蔽、防静电、金属防腐、电致变色材料、传感器、功能膜和预防海洋污着等高级应用。
新型水溶性掺杂苯胺接枝共聚物

[实用新型]可降低外延时自掺杂的外延片衬底、外延片及半导体器件-CN201120381612.1有效
发明人：顾昱;钟旻远;林志鑫;陈斌 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可降低外延时自掺杂的外延片衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面具有二氧化硅层。使用本实用新型中的可降低外延时自掺杂的外延片衬底生产的外延层，其电阻率均匀性数值可以做到＜1.5％。相比于未使用本实用新型的可降低外延时自掺杂的外延片衬底生产的外延层，可大幅提高外延层电阻均匀性。使用本实用新型中的可降低外延时自掺杂的外延片衬底，可降低后续生产成本，提高产品品质。
降低外延掺杂衬底半导体器件

[发明专利]外延自掺杂评价的方法-CN200810043916.X无效
发明人：缪燕;谢煊 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延自掺杂评价的方法。包括以下步骤：步骤一、在硅片上注入所需评价的埋层，所述埋层为P型或N型，埋层图形在硅片面内周期分布；步骤二、进行外延生长；步骤三、外延生长后测试扩展电阻或四探针方块电阻来评价自掺杂。本发明简单易用，成本较低，耗时较少，能够模拟出埋层对外延自掺杂的影响。
外延掺杂评价方法

[发明专利]一种自掺杂二氧化钛纳米棒的制备方法-CN201310191496.0有效
发明人：周小松;金蓓;徐旭耀 -专利权人：湛江师范学院
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明提供一种自掺杂二氧化钛纳米棒的制备方法，包括把钛酸丁酯（Ti(OC4H9)4）加入到肼（N2H4·H2O）和乙二醇（C2H6O2）溶液中，强力搅拌，然后转移到内衬四聚氟乙烯反应釜中200℃恒温保持12-24h，自然冷却到室温，经过滤、洗涤、干燥，制得本发明的自掺杂二氧化钛纳米棒。本发明不经过热还原处理，在液相中直接还原得到自掺杂二氧化钛，制备工艺简单，制备出的自掺杂TiO2纳米棒尺寸可控、大小均匀，平均长度在50-80nm，平均直径在8-15nm。采用本发明方法制备出的自掺杂TiO2纳米棒有望在光解水制氢、降解有机污染物等领域获得广泛的应用。
一种掺杂氧化纳米制备方法

[发明专利]基于废轮胎制备Zn-SAs/S,N自掺杂CM催化剂的方法及应用-CN202210156502.8有效
发明人：戴罡;葛飞;李春梅;董红军;宋宁;李军 -专利权人：大全集团有限公司;江苏大学;镇江市电器设备厂有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C25B11/065 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于废轮胎制备Zn‑SAs/S,N自掺杂CM催化剂的方法和应用，属于催化剂合成技术领域；通过简单快速的碱性熔盐法合成Zn‑SAs/S,N自掺杂CM催化剂，S/N元素的双掺杂效应以及Zn单原子为催化反应提供了更为丰富的活性位点，更加良好的导电性；所述Zn‑SAs/S,N自掺杂CM催化剂能够用于电催化分解水制氢。
基于轮胎制备 zn sas 掺杂 cm 催化剂方法应用

[发明专利]一种自掺杂锐钛矿型二氧化钛薄膜的制备方法-CN201710355237.5在审
发明人：靳映霞;穆歌;钟明星;朱忠其;张瑾;柳清菊 -专利权人：云南大学
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明涉及一种自掺杂锐钛矿型二氧化钛薄膜的制备方法，是在之前课题组申请两种制备锐钛矿型二氧化钛发明专利（专利申请号为201603151133150和201701200140860）基础上的进一步的推进。本发明是一种在溶胶凝胶法和溶剂热法基础上利用金属离子还原Ti4+成Ti3+制备自掺杂Ti3+‑TiO2的方法，利用所制备自掺杂锐钛矿型二氧化钛溶胶和以（101）面为主要暴露面自掺杂锐钛矿型二氧化钛分散液均相分散后获得的Ti3+‑TiO2溶液通过旋涂工艺制备薄膜后在还原氛围下烧结自掺杂二氧化钛薄膜。本发明提供方法简便，制备的自掺杂二氧化钛薄膜在结晶性、化学稳定性，颗粒尺寸和均匀性和光吸收范围方面有较好突破。所制备溶液可直接在各种材料基底成膜，也作为可见光激发的光催化环保涂料。
一种掺杂锐钛矿型二氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种聚3;4-乙撑二氧噻吩/自掺杂富缺陷氧化锡纳米复合光催化材料的制备方法-CN201811093641.0在审
发明人：杨柳青;白青;曹可生;田正山;韩永军;李青彬;赵干卿 -专利权人：平顶山学院
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： B01J31/26 文献下载
摘要：一种聚3,4‑乙撑二氧噻吩/自掺杂富缺陷氧化锡纳米复合光催化材料的制备方法，本发明将自掺杂富缺陷氧化锡异质结材料通过化学键络合的形式负载分散于PETOT而得到的纳米复合材料；自掺杂富缺陷氧化锡选自Sn掺杂的非化学计量比或混合价态锡氧化物组成的富缺陷氧化锡本发明利用自掺杂富缺陷氧化锡异质结材料可见光响应的氧化还原能力、PETOT的导电性和空穴传输能力，以及不同组分间具有化学键合的异质结结构，从而有利于电子空穴分离，获得优异的光催化性能。同时，聚吡咯易塑型的特点能有效避免粉体材料的回收困难问题，因而，本发明制得的聚3,4‑乙撑二氧噻吩/自掺杂富缺陷氧化锡异质结纳米复合材料是一种便于回收的新型环保光催化材料。
自掺杂氧化锡乙撑二氧噻吩复合光催化材料纳米复合材料氧化锡纳米异质结材料制备非化学计量比空穴传输能力导电性化学键光催化材料光催化性能可见光响应异质结结构电子空穴粉体材料化学键合混合价态困难问题锡氧化物新型环保形式负载氧化还原回收掺杂的聚吡咯异质结络合塑型

[发明专利]含有三价钛离子自掺杂二氧化钛的材料及其制备方法和储能设备-CN201910503908.7在审
发明人：杨应昌;廖世佳;邢明明;郭雷;石维 -专利权人：铜仁学院
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有三价钛离子自掺杂二氧化钛的材料及其制备方法和储能设备，涉及储能材料的技术领域，含有三价钛离子自掺杂二氧化钛的材料的制备方法包括：以钛金属为工作电极，以惰性电极为对电极，将所述工作电极的至少一部分和所述对电极的至少一部分置于电解液中，反复交替对钛金属进行阳极氧化和阴极极化，得到所述含有Ti³⁺自掺杂TiO₂的材料。该方法操作简单、方便，易于实现，生产成本低，可以快速将钛金属转化为含有Ti³⁺自掺杂TiO₂，且易于控制制备条件。
自掺杂三价钛离子二氧化钛钛金属制备储能设备工作电极对电极生产成本低储能材料阳极氧化阴极极化制备条件电解液转化

[发明专利]交联的自掺杂型导电聚合物、其制造方法、用该聚合物涂布的产品和电子器件-CN200580008929.8无效
发明人：齐田义弘;大久保隆 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2005-03-23 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01B1/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含异硫茚或噻吩骨架的自掺杂型导电聚合物，其中聚合物链优选如右式(2)或(5)所示通过砜键交联，使其产生耐水性和耐溶剂性；涉及其制造方法；涉及通过在基材上涂布含有自掺杂型导电聚合物的组合物并将其加热而获得的导电组合物膜；涉及使用该组合物涂布的产品；还涉及含有该自掺杂型导电聚合物的电子器件(其中符号如说明书中所述)。
交联掺杂导电聚合物制造方法产品电子器件

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