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[发明专利]金或金合金蚀刻液组合物及蚀刻方法-CN202280007346.7在审
发明人：柏木艺树;吉田勇喜;井上浩一;川岛伊织 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：使用含碘及碘化物的蚀刻液蚀刻金膜时，为了提升蚀刻液的湿润性、细微加工性及液体寿命等而添加N‑甲基‑2‑吡咯烷酮(NMP)，但近年从是否对人体健康带来不良影响的观点来看，NMP的使用有受管制的课题。本发明提供不含NMP且提升湿润性、细微加工性及液体寿命等的金膜的蚀刻液及蚀刻方法。于金膜的含碘及碘化物的蚀刻液添加特定的有机溶剂，而提供不含NMP且提升湿润性、细微加工性及液体寿命等的金膜的蚀刻液及蚀刻方法。
合金蚀刻组合方法

[发明专利]清洗液组合物-CN201780078862.8有效
发明人：守田菊惠;高中亚铃治;大和田拓央 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供在半导体元件等电子器件的制造工序中的实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗中有用的清洗液组合物。本发明的清洗液组合物是一种用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮杂环式单环芳香族化合物，所述含氮杂环式单环芳香族化合物具有1个以上的羧基或酯基，而具有1个以上的氨基的情况下仅具有与含氮杂环直接结合的氨基。所述清洗液组合物中氢离子浓度(pH)为8～12。
清洗组合

[发明专利]用于同时蚀刻包含氧化锌及银的层压膜的蚀刻液组合物-CN201911380289.3有效
发明人：佐佐木辽;高桥秀树;清水寿和;中村伸宏;増茂邦雄;渡边晓 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。
用于同时蚀刻包含氧化锌层压组合

[发明专利]用于分解过氧化氢的方法及使用该方法的装置-CN201911368807.X有效
发明人：吉田启幸;土屋恵悟;永野寿年;户泽信彦 -专利权人： 关东化学株式会社;日曹工程株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C02F1/58 文献下载
摘要：本发明的目的在于，经济有效地处理包含硫酸及过氧化氢的废液中的过氧化氢。本发明公开包括：向废液添加硫酸钒溶液并进行搅拌的步骤；废液达到峰值温度后，静置规定时间的步骤；以及静置后，进行冷却的步骤的用于分解包含硫酸及过氧化氢的废液中的过氧化氢的方法。并且，公开具有在其中进行分解反应的一个或两个以上分解槽的用于分解包含硫酸及过氧化氢的废液中的过氧化氢的装置，上述分解槽包括：投入用开口部，用于向分解槽内投入废液和/或硫酸钒；搅拌机构，用于在分解槽内的分解反应中搅拌废液；排出用开口部，用于排出通过分解反应产生的氧；温度计，用于测量分解反应中的废液的峰值温度；以及冷却机构，用于冷却分解反应后的废液。
用于分解过氧化氢方法使用装置

[发明专利]抗SARS-CoV-2抗体、使用其检测SARS-CoV-2的方法及包含其的试剂盒-CN202180046743.0在审
发明人：梁明秀;山冈悠太郎;菊池纱也香 -专利权人：公立大学法人横滨市立大学;关东化学株式会社
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C12N15/13 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种用于检测构成SARS‑CoV‑2衍生核壳体的蛋白的手段。通过提供与构成SARS‑CoV‑2衍生核壳体的蛋白结合的抗体或其片段、使用该抗体或其片段检测构成SARS‑CoV‑2衍生核壳体的蛋白的方法及包含该抗体或其片段的用于检测SARS‑CoV‑2衍生核壳体的蛋白的试剂盒等实现上述课题。
sars cov 抗体使用检测方法包含试剂盒

[发明专利]蚀刻液组合物及蚀刻方法-CN201810273822.5有效
发明人：清水寿和;大和田拓央 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够在对Qz基板不造成破坏的情况下对MoSi膜进行选择性的蚀刻的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。一种用于对MoSi膜进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其中，包含少于3.5重量％的氟化合物、水和含碘氧化剂。
蚀刻组合方法

[发明专利]蚀刻液及经蚀刻液加工的光掩模-CN201710080816.3有效
发明人：大和田拓央;石川直树 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明提供在光刻法用光掩模的制造中考精致地控制光掩模具有的半透光部的透光率的蚀刻液、使用该蚀刻液的制造灰度掩模的方法及通过该方法制造的灰度掩模。包含硝酸二铵铈(IV)或硫酸四铈(IV)铵的蚀刻液。
蚀刻加工光掩模

[发明专利]单层膜或层叠膜的蚀刻组合物或者使用所述组合物的蚀刻方法-CN201710262809.5有效
发明人：高桥秀树 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明的课题是提供用于蚀刻金属单层膜或金属层叠膜的蚀刻组合物，该组合物实现比以往更好的蚀刻速率，容易控制侧面蚀刻、圆锥角、剖面形状、图案形状，且在保持性能稳定性的同时具有更长的溶液寿命。一种蚀刻组合物，它是用于蚀刻由选自铜、钛、钼和镍的金属或它们的氮化物形成的单层膜，由含有选自铜、钛、钼和镍的1种或2种以上的合金形成的单层膜，或者含1层或2层以上的所述单层膜的层叠膜的蚀刻组合物，其中，包含唑、硝酸、过氧化物和水溶性有机溶剂。
单层层叠蚀刻组合或者使用方法

[发明专利]过氧化氢分解抑制剂-CN202080043042.7在审
发明人：高桥秀树;荻原艾琳娜;廖本男;吴柏衡;李懿 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明以提供抑制氮化钛用蚀刻液组合物中所含的过氧化氢的分解的分解抑制剂为课题。本发明涉及一种用于抑制氮化钛用蚀刻液组合物中所含的过氧化氢的分解的分解抑制剂，其中，包含选自唑类化合物、氨基羧酸类化合物和膦酸类化合物的至少1种化合物作为有效成分。
过氧化氢分解抑制剂

[发明专利]氮化硅蚀刻液组合物-CN202080019469.3在审
发明人：大和田拓央;持田耕平;吉田勇喜 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明以提供在3D非易失性存储器单元的制造中，以相对于SiO2的实用性的蚀刻选择比对Si3N4进行选择性蚀刻后，可抑制SiO2再生长，且能够抑制SiO2膜的图案坍塌的氮化硅蚀刻液组合物为课题。一种用于制造3D非易失性存储器单元的氮化硅蚀刻液组合物，其中，包含磷酸、1种或2种以上的硅烷偶联剂和水，不含铵离子。
氮化蚀刻组合

[发明专利]无电解镀金用组合物-CN202110240282.2在审
发明人：津田贵大;德久智明;森田智之;清水寿和 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23C18/42 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供可使金在硅半导体的表面析出的速度降低的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等。通过提供包含金离子源、氟化合物和乙腈的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物、包含金离子源以及六氟硅酸和/或四氟硼酸的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等，解决了上述课题。
电解镀金组合

[发明专利]多能干细胞用未分化维持培养基-CN201980079805.0在审
发明人：渡边刚広;泽口智哉;山崎萌 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C12N5/0735 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供培养基中不含血清或白蛋白且显示高增殖性的多能干细胞的贴壁培养用培养基以及使用所述培养基的通用性高的多能干细胞的贴壁培养的方法。一直以来，通过向培养基中添加已知抑制细胞对细胞培养基材表面的粘附的亲水性聚合物，提高多能干细胞对细胞培养基材表面的粘附性，从而在多能干细胞的贴壁培养中不含血清或白蛋白的情况下，赋予高增殖性。此外，通过将抗氧化物质与所述聚合物添加至培养基中，在多能干细胞的贴壁培养中，赋予极高的增殖性。
多能干细胞分化维持培养基

[发明专利]钌除去用组合物-CN201980074709.7在审
发明人：柏木一树;大和田拓央 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种可充分除去残存于基板的Ru，并且能够抑制RuO4气体的产生的除去用组合物。一种残存于基板的钌的除去用组合物，其中，25℃时的pH为8以上，包含1种或2种以上的pH缓冲成分。
除去组合

[发明专利]由多能干细胞制作肠细胞的方法-CN201980058929.0在审
发明人：粂昭苑;白木伸明;前田和哉;楠原洋之;石川晶也;渡边辉彦 -专利权人：国立大学法人东京工业大学;国立大学法人东京大学;关东化学株式会社
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C12N5/071 文献下载
摘要：作为制作显示与实际的肠细胞接近的功能的多能干细胞来源的肠细胞的方法，提供肠细胞的制作方法，其中，使用以包含GSK3抑制剂、和选自肝细胞生长因子受体的激活剂、肾上腺皮质激素、钙三醇、和二甲基亚砜中的至少1种为特征的肠细胞分化用培养基。
多能干细胞制作细胞方法

[发明专利]清洗液组合物-CN201980054513.1在审
发明人：高中亚铃治 -专利权人： 关东化学株式会社
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C11D7/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供短时间内有效地去除在具有Co接触插头或Co布线的半导体基板中的来源于浆料的有机残留物或磨粒的清洗液。本发明涉及包含一种或两种以上的还原剂及水的用于清洗具有Co接触插头和/或Co布线的基板的清洗液组合物。并且，本发明涉及包含一种或两种以上的还原剂及水，pH为3以上且小于12的用于清洗具有Co且不具有Cu的基板的清洗液组合物。
清洗组合

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