专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于高周波的沉香压密木-CN202110217585.2在审
  • 王凯;张国勇;张枝荣;小川重幸;小林隆 - 王凯
  • 2021-02-26 - 2021-05-07 - B27D1/04
  • 本发明提供了一种基于高周波的沉香压密木,该沉香压密木包括压密木及内嵌在压密木上的若干沉香,沉香压密木的制备方法包括以下步骤:S1预压:选取木材,将木材通过热压机进行压缩,制得预制压密木;S2压入:选取沉香,放置在步骤S1制得的预制压密木的上表面,通过热压机对预制压密木进行压缩,制得初步压缩压密木;S3压实:将初步压缩压密木用高周波加热,再对初步压缩压密木进行加压处理,再用高周波对初步压缩压密木进行加热固化,用风冷技术处理初步压缩压密木,处理后初步压缩压密木的表面温度低于40℃即得沉香压密木;该基于高周波的沉香压密木,沉香可以牢固地嵌入木材,使该木材具有沉香的属性,可用于室内家具的制作。
  • 一种基于周波沉香压密木
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610149806.6在审
  • 小林隆;林伯融;陈哲霖 - 汉民科技股份有限公司
  • 2016-03-16 - 2016-10-05 - H01L29/778
  • 一种半导体装置包含:一基板、一缓冲层、及一装置层。缓冲层沉积于基板上,且包括至少一氮化镓磊晶层及沉积于氮化镓磊晶层上的至少一插入层,其中一电子捕捉元素被掺杂入氮化镓磊晶层的一区域,该区域是为邻近该氮化镓磊晶层及其上的插入层之间的一介面。装置层则形成于缓冲层之上。借由上述结构,氮化镓磊晶层的电子被捕捉,而降低电子迁移率,并使得来自缓冲层漏电流被抑制,因此半导体装置的性能也就被提升。本发明亦揭露一种制造上述半导体装置的方法。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]储氢容器-CN201280031349.0有效
  • 中村善也;小林隆 - 萱场工业株式会社
  • 2012-06-27 - 2014-03-05 - F17C11/00
  • 一种储氢容器,其使用能够储存氢气的储氢物质来储存氢气,该储氢容器包括:空心状的衬套,其具有引导有氢气的衬套开口部并用于储存氢气;空心状的副箱,其配置于上述衬套的内侧并用于容纳储氢物质;热交换管,其配置于上述副箱的内侧并引导热交换介质;副箱支承部,其用于将上述副箱的端部支承于上述衬套开口部,并且支承上述热交换管的端部;以及热交换介质通路,其以贯穿上述副箱支承部的方式形成,并用于向上述热交换管引导热交换介质。
  • 容器
  • [发明专利]系统连接逆变器装置及其控制方法-CN201010241849.X有效
  • 柳泽实;小林隆 - 山洋电气株式会社
  • 2010-07-29 - 2011-03-23 - H02J3/38
  • 在逆变器电路(2)的输出部,配置由电感器(4)和滤波用电容器(5)构成的LC滤波器电路。由串联电路(该串联电路由限流电阻(7)及第1开关(8)构成)和与该串联电路并联的第2开关(6)构成开关电路(SW)。第1开关(8)和第2开关(6)的开关,受来自控制电路(10)的控制信号(A2及A1)的控制。将第1开关(8)置于接通状态后到第2开关(6)置于接通状态为止,使逆变器电路(2)的输出电流(I)成为零。提供不需要额定功率较大的限流电阻及额定电流较大的开关的系统连接逆变器装置。
  • 系统连接逆变器装置及其控制方法
  • [发明专利]超声波探头及其制造方法及超声波诊断装置-CN200880008931.9有效
  • 佐野秀造;佐光晓史;小林隆;泉美喜雄 - 株式会社日立医药
  • 2008-02-27 - 2010-01-27 - A61B8/00
  • 本发明的超声波探头为如下所述的超声波探头(2),其具备:具有与偏置电压对应改变机电耦合系数或灵敏度的多个振动要件,且发送接收超声波的cMUT芯片(20);设置于所述cMUT芯片(20)的超声波辐射侧的音响透镜(26);设置于所述cMUT芯片(20)的背面侧,且吸收所述超声波的传播的背衬层(22);从所述cMUT芯片(20)的周缘部开始设置于所述背衬层(22)的侧面,且配置有与所述cMUT芯片(20)的电极连接的信号图案的电配线部(挠性基板(72));收容所述cMUT芯片(20)、所述音响透镜(26)、所述背衬层(22)及所述电配线部(挠性基板(72))的框体部(超声波探头罩(25)),在所述cMUT芯片(20)的超声波辐射侧设置有接地电位的接地层(导电膜(76))。
  • 超声波探头及其制造方法诊断装置

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