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[发明专利]半导体器件-CN201911021012.1在审
发明人：李炳训;朴钟昊;金完敦;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：所述覆盖图案包括第一金属氮化物层和第二金属氮化物层，所述第一金属氮化物层包括第一金属元素，所述第二金属氮化物层包括功函数大于所述第一金属元素的功函数的第二金属元素。所述第一金属氮化物层设置在所述第二金属氮化物层与所述多个半导体图案之间。所述第一金属氮化物层比所述第二金属氮化物层薄。
半导体器件

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN200710111828.4有效
发明人：小河淳 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，在该氮化物半导体发光元件中，第一导电型的氮化物半导体层、有源层和第二导电型的氮化物半导体层按序叠置。所述制造方法包括以下步骤：在第一导电型的氮化物半导体层的表面处形成凹凸；在第二导电型的氮化物半导体层的表面处形成凹凸；以及在第一导电型的氮化物半导体层的一侧上形成第一电极和在第二导电型的氮化物半导体层的一侧上形成第二电极，使得第一和第二电极互相面对安置而有源层介于其间。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN200410038588.6有效
发明人：崔锡范;吴邦元;崔熙石 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2004-05-08 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在此公开了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件包括衬底上的n－型氮化物半导体层，在n－型氮化物层上形成的有源层，以致部分n－型氮化物半导体层被露出。在有源层上形成的p－型氮化物半导体层，p－型氮化物半导体层上的高－浓度掺杂剂区，高－浓度掺杂剂区上的反掺杂区，在n－型氮化物半导体层露出的部分上形成的n－侧电极，以及在反掺杂区上形成的p－侧电极。
氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管的PN结及其制造方法-CN201310438745.1无效
发明人：李世彬;张婷 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造发光二极管的PN结方法，包括：获取基底材料；在基底材料上形成硅掺杂氮化物层；在硅掺杂氮化物层上形成镁掺杂金属氮化物层，其中镁掺杂金属氮化物层中金属组分含量从靠近硅掺杂氮化物层的部分到远离硅掺杂氮化物层的部分从零开始线性增加本发明实施例的方法中，镁掺杂金属氮化物层中金属组分的含量从零开始线性增大，使得镁掺杂在镁掺杂金属氮化物层中激活效率得到很大提高，有效增加了空穴的浓度，从而提高了LED的发光强度及发光效率。
一种发光二极管 pn 及其制造方法

[发明专利]氮化物系化合物半导体元件-CN201310278096.3无效
发明人：岩见正之;古川拓也 -专利权人：先进动力设备技术研究协会
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种漏电流低、且减少了电流崩塌现象的氮化物系化合物半导体元件。其具备：基板；在所述基板上隔着缓冲层而形成的第1氮化物系化合物半导体层；形成于所述第1氮化物系化合物半导体层上的、具有比该第1氮化物系化合物半导体的带隙大的带隙的第2氮化物系化合物半导体层；形成于所述第2氮化物系化合物半导体层上的电极。所述第2氮化物系化合物半导体层在表面附近具有掺杂了碳的区域。
氮化物化合物半导体元件

[发明专利]氮化物功率器件及其制备方法-CN202010786618.0在审
发明人：刘成;田野;何俊蕾;赵杰;郭德霄;刘洋;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域。氮化物功率器件，包括：衬底，以及依次形成于衬底上的沟道层和势垒层，势垒层上局部形成有P型氮化物层，P型氮化物层上设有栅极，势垒层上设有源极和漏极，源极和漏极分别位于P型氮化物层的相对两侧，且分别与P型氮化物层间隔设置，沟道层内形成有离子注入区，且离子注入区位于P型氮化物层与漏极之间的间隔区域在沟道层上的正投影内，离子注入区内注入有负离子。本发明的目的在于提供一种氮化物功率器件及其制备方法，该氮化物功率器件具有较高击穿电压的同时，能够避免引入表面缺陷以及引入寄生电容，从而具有良好的动态特性和功率增益。
氮化物功率器件及其制备方法

[发明专利]用于制造氮化物化合物半导体器件的方法-CN201680025612.3有效
发明人：约阿希姆·赫特功;洛伦佐·齐尼;亚历山大·弗里 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：‑将第一氮化物化合物半导体层(1)生长到生长衬底(10)上；‑沉积掩模层(11)；‑在掩模层(11)上方生长第二氮化物化合物半导体层(2)；‑生长第三氮化物化合物半导体层(3)，使得所述第三氮化物化合物半导体层具有非平坦的结构(3a)；‑生长第四氮化物化合物半导体层(4)，使得所述第四氮化物化合物半导体层具有基本上平坦的表面；‑生长氮化物化合物半导体器件的功能层序列(8)；‑将功能层序列(8)与载体(13)连接；‑剥离生长衬底(10)，并且‑通过刻蚀工艺产生耦合输出结构(14)，其中至少部分地剥离第一、第二和第三氮化物化合物半导体层(1，2，3)。
用于制造氮化物化合物半导体器件方法

[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN200980157760.0无效
发明人：杉本雅裕;副岛成雅;上杉勉;树神雅人;石井荣子 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制漏电流的产生的纵型的氮化物半导体装置以及该氮化物半导体装置的制造方法。氮化物半导体装置(100)为纵型的HEMT，其具有：n-型的GaN的第一氮化物半导体层(2)；p+型的GaN的第二氮化物半导体层(6a、6b)；n-型的GaN的第三氮化物半导体层(9)；与第三氮化物半导体层(9)的表面异质接合的、n-型的AlGaN的第四氮化物半导体层(8)。在从第三氮化物半导体层(9)的边缘隔开的位置处设置有开口(11a、11b)，所述开口(11a、11b)贯穿第三氮化物半导体层(9)并到达第二氮化物半导体层(6a、6b)的表面。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体激光元件及其制造方法-CN03802320.2无效
发明人：菅原岳;长谷川义晃;石桥明彦;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-01-20 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：一种氮化物半导体激光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基底(101)上形成半导体叠层体，该半导体叠层体至少有n型氮化物半导体层(102)、活性层(105)及p型氮化物半导体层(108)；第二步骤，通过选择性蚀刻上述半导体叠层体，使n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的表面分别在不同高度的位置露出；第三步骤，通过绝缘膜(109)来覆盖包含n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的露出面的上述半导体叠层体的表面，该绝缘膜具有比n型氮化物半导体层(102)的露出面和p型氮化物半导体层(108)的露出面之间产生的台阶大的膜厚；第四步骤，将绝缘膜(109)表面平坦化；以及第五步骤，贯通绝缘膜(109)并分别形成与n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)电连接的n型电极(111)及p型电极(110)。根据该制造方法，可以获得可靠性高、并且具有良好散热特性的氮化物半导体激光元件。
氮化物半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]电子装置-CN202111365337.9有效
发明人：张安邦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、表面状态补偿层以及介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。源极电极、漏极电极以及栅极电极安置在所述第二氮化物半导体层上。表面状态补偿层直接安置在所述第二氮化物半导体层上。介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中介电层与表面状态补偿层相比，介电层具有较低的介电常数。
电子装置

[发明专利]氮化物半导体模板及其制造方法、以及外延片-CN201680012474.5有效
发明人：根本秀圣;今野泰一郎;藤仓序章 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的一实施方式中，提供氮化物半导体模板，其具有：异质衬底；由氮化物半导体形成的第一氮化物半导体层13，所述第一氮化物半导体层形成于异质衬底11的面11a上，且面内厚度偏差为4.0％以下；和由所述氮化物半导体形成的第二氮化物半导体层15，所述第二氮化物半导体层形成于异质衬底11的面11b的包括外周在内的环状区域上，且厚度为1μm以上。
氮化物半导体模板及其制造方法以及外延

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201280059896.X有效
发明人：柏原博之;冈田成仁;只友一行;泷口治久 -专利权人：夏普株式会社;国立大学法人山口大学
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其由n型氮化物半导体层(13)、触发层(14)、V形坑扩大层(15)、发光层(16)、p型氮化物半导体层(17)按照此顺序依次设置而构成。发光层(16)中形成有V形坑(31)。触发层(14)由晶格常数不同于构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料的氮化物半导体材料构成。V形坑扩大层(15)由晶格常数与构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料实质上相同的氮化物半导体材料构成，其厚度在5nm以上、5000nm以下。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN200810184420.4无效
发明人：盐泽胜臣;金本恭三;大石敏之;樽井阳一郎;德田安纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。本发明提供能够降低在P型电极与氮化物半导体层的界面的接触电阻的氮化物半导体装置。该氮化物半导体装置(10)包括：P型氮化物半导体层(1)；和形成于P型氮化物半导体层(1)上的P型电极(3)，P型电极(3)通过在P型氮化物半导体层(1)上依次层叠由功函数为5.1eV以上的金属构成的金属层(3a)；由钯(Pd)构成的Pd层(3b)；和由钽(Ta)构成的Ta层(3c)而被形成。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN200910132659.1有效
发明人：孙孝根;李昔宪 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2005-10-06 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明披露了一种氮化物半导体发光器件，包括：一个或多个AlInN层；形成在该AlInN层上方的In掺杂的氮化物半导体层；形成在该In掺杂的氮化物半导体层上方的第一电极接触层；形成在该第一电极接触层上方的有源层；以及形成在该有源层上方的p型氮化物半导体层。根据所述氮化物半导体发光器件，有源层的晶体缺陷被抑制，使得氮化物半导体发光器件的可靠性增加，并使得光输出增大。
氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201110349704.6无效
发明人：驹田聪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供一种氮化物半导体发光元件，其包括：在基板上形成的n型氮化物半导体层、在该n型氮化物半导体层上形成的发光层、以及在该发光层上形成的p型氮化物半导体层；n型氮化物半导体层为一层或两层以上层叠而成的结构；构成n型氮化物半导体层的至少一层含有作为n型掺杂剂的Si和Sn，并且含有作为等电子掺杂剂的In。
氮化物半导体发光元件