专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多段式芯片标记方法及其装置-CN202110742111.X在审
  • 朱世杰;庄文忠;邱增明 - 佳陞科技有限公司
  • 2021-06-30 - 2021-10-08 - H01L21/67
  • 本发明是关于一种多段式芯片标记方法及其装置,准备一标记装置及一待标记芯片,该标记装置设有一本体、一多段模块及一标记模块,该多段模块设有一加工区及至少两支撑组,该待标记芯片通过其中一支撑组的各支撑臂而移动至该加工区,该加工区及该支撑处共同夹持该待标记芯片,该标记模块对于该待标记芯片未被该支撑组各支撑臂所遮蔽的区域进行标记,完成标记后,该多段模块的另一支撑组的各支撑臂朝该加工区移动并与该待标记芯片相抵靠,原先固定该待标记芯片的支撑组的各支撑臂与该待标记芯片相分离并离开该加工区,对于该待标记芯片进行第二次标记作业,通过该多段模块各支撑组相对该待标记芯片移动的方式,于该待标记芯片上完成标记作业。
  • 段式芯片标记方法及其装置
  • [发明专利]硅光子晶圆的打点标记方法及装置-CN202010493082.3有效
  • 冯朋;肖希;刘敏;吴定益 - 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
  • 2020-06-03 - 2021-12-14 - H01L21/50
  • 本公开是关于一种硅光子晶圆的打点标记方法及装置。该方法包括:确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片;若所述硅光子晶圆中存在失效芯片,根据所述失效芯片的失效模式,通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记。通过本公开实施例利用探针标记方法针对失效芯片的失效模式,对失效芯片进行打点标记,在失效芯片上形成标记失效模式的针痕标记,从而实现通过针痕标记的不同区分出失效芯片不同的失效模式,探针标记操作简单、使用方便,可快速高效的标记出失效芯片的失效模式。
  • 光子打点标记方法装置
  • [发明专利]一种具有高适配性的半导体芯片智能制造系统-CN202210342958.3有效
  • 崔巍;汤智林;宋昊;刘滨 - 法诺信息产业有限公司
  • 2022-04-02 - 2022-11-22 - H01L21/67
  • 本发明提供了一种具有高适配性的半导体芯片智能制造系统,包括数据库、运输模块、采集模块、标记模块、核验模块、筛选模块和处理器,运输模块用于对芯片进行运输,并运送到各个工位中;采集模块用于对芯片的位置进行采集,以采集芯片的当前位置和加工温度;标记模块用对芯片进行打标,并标记芯片的加工数据;核验模块用于对芯片的打标样式和标记的位置进行核验,以调整在不同位置的标记;筛选模块用于对芯片进行筛选,以区分不同规格芯片类型;本发明通过采用夹持构件与标记单元的配合,使得对芯片进行标记的过程中,能对标记内容的位置进行精准的调整,同时,还兼顾芯片的不同姿势调整标记的角度,有效提升芯片标记的可靠性和精准性。
  • 一种具有高适配性半导体芯片智能制造系统
  • [发明专利]对准方法及校准方法-CN201911334523.9有效
  • 黄莉晶 - 上海华力微电子有限公司
  • 2019-12-23 - 2022-07-19 - H01L21/68
  • 本发明提供一种对准方法及校准方法,通过设定一母程式,获取第一标记点和第二标记点对应的晶圆的位置,由此通过第一标记点和所述第二标记点调整晶圆的位置,实现晶圆与电子束检测机台的位置对准。以及通过设定一子程式,在所述子程式中设置第一芯片特征区和第二芯片特征区的位置,进而得到第一芯片标记点和第二芯片标记点;进一步获取所述第一芯片标记点和所述第二芯片标记点的坐标,并通过所述坐标计算出所述芯片的尺寸,然后,比较所述芯片和所述虚拟芯片的尺寸,确定是否校准多个所述虚拟芯片的尺寸,以校准多个所述虚拟芯片的位置,由此校准与多个芯片对应的多个虚拟芯片的位置。
  • 对准方法校准
  • [发明专利]芯片及其制作方法-CN202310062458.9在审
  • 梁莹;项金根;孟铁军 - 深圳量旋科技有限公司
  • 2023-01-17 - 2023-05-16 - H01L21/033
  • 本发明公开了一种芯片的制作方法,其包括:在衬底上制作形成位于标记区的镂空标记和位于电路区的芯片底层电路;在所述镂空标记中制作形成实体标记,以形成套刻标记;以所述套刻标记为对准标记在所述电路区中制作形成芯片上层电路;以所述套刻标记为划片定位标记对所述衬底进行划片,以形成仅包括所述电路区的芯片。本发明还公开了一种由所述制作方法制作形成的芯片。本发明在制作芯片底层电路的同时在标记区形成套刻标记,从而在多次匀胶镀膜后仍可以清晰地为芯片上层电路制作时对准和划片定位所用,进而提高了对准和划片定位精度。
  • 芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种曝光方法-CN201811147172.6有效
  • 兰叶;顾小云 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2018-09-29 - 2020-11-27 - G03F7/20
  • 包括:提供一芯片芯片上设有第一标记、第二标记、以及待曝光的光刻胶;将芯片放置在卡盘上,卡盘内填充有调节温度的液体;将掩膜版与芯片相对设置,掩膜版上与第一标记对应的区域在芯片上的投影和第一标记重合;当掩膜版上与第二标记对应的区域在芯片上的投影位于第一标记和第二标记之间时,降低卡盘内填充的液体的温度;当第二标记位于第一标记和掩膜版上与第二标记对应的区域在芯片上的投影之间时,升高卡盘内填充的液体的温度;当掩膜版上与第二标记对应的区域在芯片上的投影和第二标记重合时,透过掩膜版对光刻胶进行曝光
  • 一种曝光方法
  • [发明专利]攻击防护方法、装置、设备及可读存储介质-CN202110866218.5在审
  • 苏昆;董逢华;何涛;周杰;肖灵;胡瑞璟 - 武汉天喻信息产业股份有限公司
  • 2021-07-29 - 2021-10-29 - G06F21/55
  • 本发明提供一种攻击防护方法、装置、设备及可读存储介质,攻击防护方法包括:检测芯片是否受到外部随机攻击;若检测到芯片受到外部随机攻击,则读取存储器中芯片已被随机攻击次数的数值;若所述数值小于阈值,则更新已被随机攻击次数的值为原值加1后的值;若所述数值大于或等于阈值,则设置芯片的安全策略标记为恶意攻击标记值,当检测到芯片的安全策略标记为恶意攻击标记时,清除芯片重要数据,将芯片锁定;当芯片运行的程序结束,若芯片的安全策略标记为初始值,则设置结束标记为备份标记值。本发明通过程序正常结束与程序被异常攻击都有写标记操作,外部无法区分写操作是否识别到了外部攻击从而不对芯片下电,无法重复攻击芯片
  • 攻击防护方法装置设备可读存储介质
  • [发明专利]一种三维集成电路、三维集成电路对准工艺及设备-CN202080092397.5在审
  • 许俊豪;朱伟骅;张日清 - 华为技术有限公司
  • 2020-03-12 - 2022-08-19 - H01L21/60
  • 本申请公开了一种三维集成电路、三维集成电路对准工艺及设备,该三维集成电路至少包括叠置的两个芯片。上述三维集成电路包括叠置的第一芯片与第二芯片,上述第一芯片具有第一磁性对准标记,第二芯片具有第二磁性对准标记。上述第一磁性对准标记和第二磁性对准标记由磁性材料制备。因此,第一磁性对准标记和第二磁性对准标记在磁场中能够被磁化产生磁场。上述第一磁性对准标记与第二磁性对准标记相对,即在第一芯片靠近第二芯片的表面上的投影,上述第一磁性对准标记的投影与第二磁性对准标记的投影至少部分重叠,具体的,上述投影的方向垂直于上述第一芯片靠近第二芯片的表面上
  • 一种三维集成电路对准工艺设备
  • [发明专利]显示模块制作方法-CN202210168016.8在审
  • 卢敬权 - 东莞市中麒光电技术有限公司
  • 2022-02-23 - 2022-06-07 - G09F9/33
  • 本发明提供一种显示模块制作方法,包括:1)提供多个芯片,获取各芯片标记值;2)基于标记值,将所述多个芯片按设定阵列排布于一基板上,所述设定阵列包括至少一个子阵列,所述设定阵列中各行芯片标记值之和、各列芯片标记值之和以及各子阵列芯片标记值之和相等,设定阵列中各行芯片的数量、设定阵列中各列芯片的数量以及所述各子阵列芯片的数量相等;3)重复执行步骤2)。本发明的显示模块制作方法,基于标记值按设定阵列将芯片排布于一基板上,标记值可以反映芯片的发光特性,可以使光特性参数在设定的公差范围内的芯片打散并混排于同一基板上,确保了于基板上以设定阵列为单位的亮度和/
  • 显示模块制作方法
  • [发明专利]检测芯片短路位置的方法和装置以及系统-CN202010090080.X在审
  • 刘冠;任明 - 欧菲影像技术(广州)有限公司
  • 2020-02-13 - 2021-08-13 - G01R31/28
  • 本发明公开了一种检测芯片短路位置的方法和装置以及系统,所述检测芯片短路位置的方法,包括:对芯片模组的输出端子所在回路供电,以在所述回路的短路位置形成短路标记,其中,所述短路标记为所述芯片模组短路位置的输出端子处填充物受热黑化形成;将形成短路标记芯片模组进行分离处理,以获得所述芯片模组中的芯片单元;获取所述芯片单元分离面的图像信息,并根据所述图像信息识别所述短路标记,以及所述短路标记所在位置确定为所述芯片单元的短路位置。该方法可以对芯片模组的短路位置进行标记,利于实现对短路位置的精确检测。
  • 检测芯片短路位置方法装置以及系统
  • [发明专利]芯片芯片复位方法及耗材容器-CN201711438943.2有效
  • 请求不公布姓名;段维虎;王波;毛宏程 - 广州众诺微电子有限公司
  • 2017-12-27 - 2023-09-26 - G06F11/07
  • 本发明涉及一种芯片芯片复位方法及耗材容器,所述芯片包括集成电路及用于与成像设备通信的通信端子;所述通信端子与集成电路电性连接;所述集成电路包括存储单元及复位单元;所述存储单元包括数据存储模块及标记存储模块;所述数据存储模块用于存储成像盒数据;所述标记存储模块用于存储判断芯片是否异常的标记;所述复位单元用于根据标记存储模块中存储的标记执行复位操作。本发明通过对芯片的存储单元中存储的异常标记进行恢复为非异常标记,避免因成像设备根据异常标记将已经恢复过的芯片仍然认为是已经使用完毕的芯片的情况,从而提高芯片的恢复效率。
  • 芯片复位方法耗材容器

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