专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种卫星的测运控系统-CN202021520004.X有效
  • 施浩 - 浙江时空道宇科技有限公司
  • 2020-07-28 - 2021-04-23 - H04B7/185
  • 本申请公开了一种卫星的测运控系统,包括站控中心,地面测运控设备、星地链路、多个卫星和星间链路,多个卫星通过星间链路连接,多个卫星和地面测运控设备通过星地链路连接,在任一时刻,地面测运控设备通过星地链路和多个卫星中的任一卫星通信连接,地面测运控设备能够基于多个卫星生成作业任务,并基于作业任务向多个卫星收发数据,站控中心和地面测运控设备连接,用来接收来自地面测运控设备发送的卫星数据。通过在任一时刻,星座中只会存在一个卫星和地面测运控设备通信,因此,可以在不提高建设成本的前提下解决任务调度冲突问题。
  • 一种卫星测运控系统
  • [发明专利]一种磁悬浮列车用排的连结结构-CN201210541691.7有效
  • 姬生永;江代更;李元才 - 姬生永
  • 2012-12-14 - 2013-03-13 - E01B25/30
  • 本发明的磁悬浮列车用排的连结结构,磁悬浮列车用排包括依次间隔设置并首尾相连接的主F和副F,特征在于:连接结构包括设置于副F端部的副F连接端面、内腹凹槽和外腹凹槽,以及设置于主F端部的主F连接端面、内腹凸台和外腹凸台;所述内腹凸台、外腹凸台上均开设有连接孔,内腹凹槽、外腹凹槽的上方均开设有与连接孔相配合的连接槽。本发明的连结结构,实现了主F与副F的牢固连接,在保证了主、副F随温度变化自由地伸缩的同时,使得排的连接结构变得极为简洁,便于加工制作,降低了成产成本。
  • 一种磁悬浮列车用轨排连结结构
  • [实用新型]一种磁悬浮列车用排的连结结构-CN201220690133.2有效
  • 姬生永;江代更;李元才 - 姬生永
  • 2012-12-14 - 2013-06-12 - E01B25/30
  • 本实用新型的磁悬浮列车用排的连结结构,磁悬浮列车用排包括依次间隔设置并首尾相连接的主F和副F,特征在于:连接结构包括设置于副F端部的副F连接端面、内腹凹槽和外腹凹槽,以及设置于主F端部的主F连接端面、内腹凸台和外腹凸台;所述内腹凸台、外腹凸台上均开设有连接孔,内腹凹槽、外腹凹槽的上方均开设有与连接孔相配合的连接槽。本实用新型的连结结构,实现了主F与副F的牢固连接,在保证了主、副F随温度变化自由地伸缩的同时,使得排的连接结构变得极为简洁,便于加工制作,降低了成产成本。
  • 一种磁悬浮列车用轨排连结结构
  • [发明专利]一种发光二管的在性能退化预测方法-CN201810139234.2有效
  • 李兴冀;杨剑群;刘超铭;刘勇 - 哈尔滨工业大学
  • 2018-02-09 - 2021-06-15 - G06F30/20
  • 一种发光二管的在性能退化预测方法,属于器件在性能退化预测领域,解决了现有发光二管的在性能退化预测方法不具备普适性的问题。所述方法包括通过对发光二管进行地面辐照试验,获得具有普适性的发光二管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线的步骤、根据预定航天器轨道和航天器设计在寿命,确定发光二管的在位移吸收剂量的步骤和根据具有普适性的发光二管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线以及发光二管的在位移吸收剂量,获得发光二管的在性能退化数据的步骤。本发明所述发光二管的在性能退化预测方法特别适用于对发光二管进行在性能退化预测。
  • 一种发光二极管性能退化预测方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201710140199.1有效
  • 范妮婉;陈胜雄;黄正仪;杨荣展;曾祥仁;卢麒友 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2017-03-10 - 2022-11-11 - H01L27/02
  • 一种半导体装置包括第一晶体管及第二晶体管、一对第一源/漏区、一对第二源/漏区以及单元。所述第一源/漏区中的每一者对应于所述第一晶体管及所述第二晶体管中相应一者的第一源/漏极端子。所述第二源/漏区中的每一者对应于所述第一晶体管及所述第二晶体管中相应一者的第二源/漏极端子。所述单元包括第一电压、一对第二电压以及单元电路。所述第一电压耦接至所述第一源/漏区。所述第二电压中的每一者耦接至所述第二源/漏区中相应的一者且用以耦接至所述第一电压。所述单元电路耦接至所述第二电压中的一者。
  • 半导体装置

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