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[发明专利]制造复合晶片的方法-CN201280045025.2有效
发明人：秋山昌次;永田和寿 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制造复合晶片的方法，其中可以从一个施体晶片获得至少两个复合晶片，并且可以省略倒角步骤。所提供的制造复合晶片的方法至少包括以下步骤：将至少两个处理晶片的表面与施体晶片的表面键合以获得键合晶片，所述施体晶片的直径大于或等于所述至少两个处理晶片的直径之和，并且所述施体晶片具有通过从所述施体晶片的表面注入氢离子而在施体晶片内部形成的氢离子注入层；在200℃至400℃加热所述键合晶片；以及沿着加热后的键合晶片的氢离子注入层从所述施体晶片分离出膜，以获得具有转移到所述至少两个处理晶片上的所述膜的复合晶片。
制造复合晶片方法

[发明专利]全光谱LED光源-CN201811167727.3在审
发明人：曹成科;李春雷;刘奇;张小刚 -专利权人：郑州森源新能源科技有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种全光谱LED光源，包括基板，所述的基板上设置光源组件，光源组件与基板连接，光源组件包括LED发光晶片及包裹在LED发光晶片外的荧光胶，所述的LED发光晶片为单色红光晶片或者为蓝光晶片与红光晶片的组合，LED发光晶片为单色红光晶片时，包裹在LED发光晶片外的荧光胶为蓝绿荧光胶，LED发光晶片为蓝光晶片与红光晶片的组合时，包裹在LED发光晶片外的荧光胶为绿荧光胶。本发明的结构简单，构思巧妙LED发光晶片为单色红光晶片或者为蓝光晶片与红光晶片的组合，LED发光晶片发出人造光，其电压低、高光效、克服蓝光危害、全光谱、接近有太阳光，可应用于植物生长灯、高端相机补光灯、
单色红光光源组件红光晶片蓝光晶片全光谱荧光胶绿荧光高端基板晶片植物生长灯场所照明基板连接蓝光危害照明灯补光灯电压低高光效人造光太阳光光谱相机博物馆应用

[发明专利]薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置-CN202180007423.4在审
发明人：泉直史 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置，在从薄化晶片分离剩余晶片时，能够尽量不使薄化晶片破损。具备：脆弱层形成工序，形成沿着半导体晶片(WF)的一个面(WFA)的面状的脆弱层(WL)，并以该脆弱层(WL)为界将半导体晶片(WF)划分为薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)；以及分离工序，支撑半导体晶片(WF)中的薄化晶片(WF1)侧和剩余晶片(WF2)侧中的至少一个，使薄化晶片(WF1)与剩余晶片(WF2)分离，在分离工序中，使薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)从半导体晶片(WF)的外缘部的一端部(WFF)朝向该半导体晶片(WF)的外缘部的另一端部(WFR)逐渐分离。
晶片制造方法装置

[发明专利]清洗方法和清洗设备-CN201910773015.4有效
发明人：陈洁;吴仪 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种清洗方法和清洗设备，该方法包括以下步骤：S1，使晶片旋转，向晶片正面喷淋能够去除晶片正面上的氧化膜的第一清洗液，同时向晶片背面喷淋超纯水；S2，保持晶片旋转，并向晶片正面喷淋超纯水，同时在晶片的转速大于或等于预设转速值时，向晶片背面喷淋超纯水；在晶片的转速小于预设转速值时，向晶片背面喷淋保护气体；S3，保持晶片旋转，并向晶片正面喷淋能够减少晶片表面张力的第二清洗液，同时向晶片背面喷淋保护气体；S4，保持晶片旋转，并同时向晶片正面和晶片背面喷淋保护气体本发明提供的清洗方法和清洗设备的技术方案，可以减少晶片表面水痕和颗粒，改善清洗效果，同时可以间接加热清洗药液，提高了工艺安全性。
清洗方法设备

[发明专利]一种用于TGG晶片检测的光学检测系统-CN202210388738.4有效
发明人：罗毅;龚瑞;吴行宝;王丽 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于TGG晶片检测的光学检测系统，属于TGG晶片检测技术领域，包括晶片光性库、规划模块、检测模块和服务器；所述晶片光性库用于进行TGG晶片的光学特性数据储存；所述规划模块用于进行TGG晶片的光学检测规划，设置TGG晶片检测方案，获取TGG晶片检测区，并根据获得的TGG晶片检测方案在TGG晶片检测区布设相应的检测设备；所述检测模块用于进行TGG晶片的光学检测，通过设置规划模块，为企业设置TGG晶片检测方案，根据设置的TGG晶片检测方案进行检测设备的布设和后续TGG晶片的检测，实现TGG晶片的自动化和智能化检测，大大提高TGG晶片的检测效率。
一种用于 tgg 晶片检测光学系统

[发明专利]曝光设备以及装置制造方法-CN201080043371.8无效
发明人：一之濑刚 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：使用以非接触方式从上方保持晶片(W)的吸盘构件(102)将晶片(W)装载到晶片载台(WST1)上以及从晶片载台(WST1)卸载晶片。因此，不必设置将晶片(W)装载到晶片载台(WST1)上或将晶片(W)从晶片载台(WST1)卸载的构件等，其可以避免载台尺寸和重量的增加。此外，通过使用以非接触方式从上方保持晶片(W)的吸盘构件(102)，薄的、柔性的晶片可以没有任何问题地装载到晶片载台(WST1)上以及从晶片载台(WST1)卸载晶片。
曝光设备以及装置制造方法

[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201110102543.0有效
发明人：陈秉翔;陈键辉;张恕铭;刘沧宇;何彦仕 -专利权人：精材科技股份有限公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一晶片；一第二晶片，设置于该第一晶片之上，其中该第二晶片的一侧面为一化学蚀刻表面；以及一连结块体，设置于该第一晶片与该第二晶片之间而使该第一晶片与该第二晶片彼此连结本发明可使晶片封装体具有较佳的可靠度，并可减轻封装制程中对晶片的损坏风险。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]接合晶片计量-CN201780070558.9有效
发明人： K·沙赫;T·克拉;李诗芳;H·艾森巴赫;M·施特林 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在可具有顶部晶片及载体晶片的接合晶片周围的位置处分析晶片边缘剖面图像。基于所述晶片边缘剖面图像产生偏移曲线。基于所述偏移曲线确定所述顶部晶片到所述载体晶片的位移。可在所述晶片周围的多个位置处产生所述晶片边缘剖面图像。所述晶片边缘剖面图像可为轮廓剪影照片图像。用以确定所述顶部晶片到所述载体晶片的位移的系统可包含与控制器连接的成像系统。
接合晶片计量

[发明专利]晶片传送方法及装置-CN201010263311.9无效
发明人：毕磊 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶片传送方法及装置，该方法包括如下步骤：检测晶片是否偏离指定位置；晶片偏离指定位置时，停止传送晶片。本发明传送晶片之前，检测晶片是否偏离指定位置，当晶片偏离指定位置时，使晶片存储升降装置停止传送晶片，从而避免了晶片偏离指定位置继续传送造成晶片破片的问题，提高了晶片传送的稳定性和安全性，降低了破片率，大大节约了成本
晶片传送方法装置

[发明专利]晶片处理方法-CN200410032114.0无效
发明人：菅野诚一郎;川原博宣;末広满;金井三郎;增田俊夫 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种晶片处理方法，配置用于对半导体晶片进行等离子处理的处理腔、用于在处理腔中产生等离子的装置和用于在其上承载半导体晶片以便对半导体晶片进行等离子处理的晶片平台，其中给晶片平台施加用于给半导体晶片施加偏置电压的高频电压和用于在半导体晶片和晶片平台之间产生电压差的直流电压，其中晶片平台可以改变为具有不同功能的晶片平台，以便处理半导体晶片。
晶片处理方法

[发明专利]用于大直径晶片运输的方法和设备-CN200980106577.8有效
发明人：巴里·格雷格尔森;迈克尔·肖恩·亚当斯;詹森·托德·斯蒂芬斯 -专利权人：诚实公司
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：一种用于大直径晶片的前部开口半导体晶片容器，其包括容器部和门。所述容器部包括左闭合侧、右闭合侧、闭合后部、开放前部以及开放内部，所述开放内部包括用于接收和容纳晶片的多个缝。所述容器部包括用于容置大直径晶片、特别是450mm晶片的装置。提供了优化的下垂度控制以及加强的结构刚性和晶片安置特性。
用于直径晶片运输方法设备

[发明专利]晶片处理装置、晶片处理方法、和半导体衬底制备方法-CN98105320.3无效
发明人：上原二三男;坂口清文;柳田一隆;原田贤一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-02-20 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：超声槽(30)置于晶片处理槽(10)的下面。将超声波从超声槽(30)传送到晶片处理槽(10)的同时处理晶片(40)。在将晶片(40)完全浸入晶片处理槽(10)，通过使用晶片旋转连杆(53)同时垂直提升晶片底部来旋转和垂直移动晶片的同时来处理晶片(40)。
晶片处理装置方法半导体衬底制备

[发明专利]一种碲锌镉晶片加工方法-CN202210758590.9在审
发明人：廖和杰;马金峰;周铁军;宋向荣;唐林峰;刘火阳 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶片加工方法，包括如下步骤：将晶棒切成晶片；将晶片表面腐蚀出单晶区域；将晶片腐蚀出来的单晶区域划出单晶片；将单晶片与对应剩下的多晶片一同采用胶接固定复原并进行抛光。在本方案中，先将晶棒切成晶片，然后将晶片表面腐蚀出单晶区域，再将晶片的单晶区域切割出单晶片，最后将单晶片与其对应剩下的多晶片一同采用胶接固定复原后进行抛光，即将之前切割对应剩下的多晶片采用胶接固定在单晶片的周围复原后进行抛光，以使得在单晶片的边缘粘附多晶陪片，以便于缓解所需晶片边缘抛光受到的剪切力，从而有助于使得抛光出的晶片平整度更好，无明显崩边，有利于缓解碲锌镉晶片在抛光过程中塌边现象，提高了成品率。
一种碲锌镉晶片加工方法

[实用新型]一种移送非晶片的装置-CN201320011131.0有效
发明人：张伟;曹向阳;黄兆威;刘建荣;尹小进 -专利权人：杭州思创安防科技有限公司
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： B65H3/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种移送非晶片的装置，它包括非晶片盘机械手机构和非晶片机械手机构，非晶片盘机械手机构来往于取非晶片盘工位和放非晶片工位，非晶片机械手机构来往于取非晶片工位和放非晶片工位，取非晶片盘工位、放非晶片工位和取非晶片工位直线等距设置；所述非晶片盘机械手机构和非晶片机械手机构在左右方向上由同一动力驱动而联动同步运动进行所述工位之间的来往，所述非晶片盘机械手机构和非晶片机械手机构均为可升降的机构。本实用新型能够利用较简单的结构完成机械化运送非晶片的动作，且动作简单，控制方便，实现非晶片的批量运送，满足批量性非晶片的供料需求，提高软标签式防盗装置的生产效率。
一种移送晶片装置

[发明专利]工厂自动化系统以及相关方法-CN200710142783.7有效
发明人：黄志伟;陈蕙怡;游仁祈;游志源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-08-23 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：工厂自动化系统包括一制造执行系统、一物料控制系统、一自动化物料搬运系统以及一实时派发系统；制造执行系统用以提供晶片批次信息；物料控制系统用以提供动态流量信息；自动化物料搬运系统用以提供静态路径信息；实时派发系统依据一传送请求，选取一晶片载具的一目的地以及到该选取目的地的一路径。本发明提供的工厂自动化系统以及相关方法可以安排批次和/或减少流量，以确保制造过程的机台和/或阶段间的超级热批以及高优先批次的及时地运输。
工厂自动化系统以及相关方法