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[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN202211651299.8在审
发明人：彭靖婷;傅圣翔;陈心一 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括半导体基板、导电垫、绝缘层与重布线层。半导体基板具有第一表面、背对第一表面的第二表面、贯穿第一表面与第二表面的通孔、及第一表面中的凹孔。导电垫位于半导体基板的第二表面上，且位于通孔中。绝缘层位于半导体基板的第二表面上，且围绕导电垫。重布线层位于半导体基板的第一表面上，且延伸至凹孔中与通孔中的导电垫上。晶片封装体的热可经由重布线层传出，可有效提升晶片封装体的热传导效率。此外，重布线层可作为导电垫的接地导线，提供导电垫接地的功能。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN202310056543.4在审
发明人：郑家明;张恕铭 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括第一半导体晶片、第二半导体晶片、第一封胶层、第二封胶层、第一导通孔电极以及第二导通孔电极。第二半导体晶片叠置于第一半导体晶片上，且第一封胶层及第二封胶层分别包围第一半导体晶片及第二半导体晶片。另外，第一导通孔电极及第二导通孔电极分别贯穿第一封胶层及第二封胶层，且第二导通孔电极电性连接于第二半导体晶片与第一导通孔电极之间。本发明的晶片封装体可有效降低制造成本。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN202211272068.6在审
发明人：郑家明;赖炯霖;张恕铭;刘沧宇 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，所述晶片封装体包括感测元件、支撑层与透光盖板。感测元件的表面具有感测区与导电垫。导电垫邻近此表面的边缘。支撑层位于感测元件的表面上且围绕感测区。支撑层具有本体部与多个记号部。这些记号部分别位于本体部的多个角落中、位于本体部的侧壁中、分别位于感测元件的多个角落上、分别位于本体部的多个内缘上、或分别位于本体部的多个外缘上。透光盖板位于支撑层上。可根据记号部的图案组合对晶片封装体编号，以方便追踪生产过程中的晶片封装体。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN202210583368.X在审
发明人：詹婕;李彦臻 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括半导体结构与重布线层。半导体结构具有基板、第一绝缘层与下接地导电垫。基板具有相对的顶面与底面、贯穿顶面与底面的穿孔及围绕穿孔的侧壁。第一绝缘层位于基板的顶面，且下接地导电垫在穿孔中。重布线层从基板的底面沿侧壁延伸至下接地导电垫。重布线层覆盖整个基板的底面且电性连接下接地导电垫。下接地导电垫不需通过打线方式便可通过重布线层电性连接电路板，可避免对其他功能的导电垫上的打线产生干扰与干涉。
晶片封装及其制造方法

[实用新型]半导体烘烤箱-CN202220759141.1有效
发明人：叶晓岚;卓志宏;蔡政村;李泓哲 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体烘烤箱，其包括壳体、过滤元件、鼓风机及导流元件。壳体具有外壁与内壁。外壁与内壁之间定义出气体流道。内壁围绕出容置空间，且配置容置空间以容纳晶圆。过滤元件位于内壁的第一侧。气体流道经由过滤元件与容置空间连通。鼓风机位于气体流道中。导流元件位于内壁的第二侧。导流元件具有进气口与出气口。进气口邻近且朝向过滤元件，出气口邻近内壁的第三侧且朝向容置空间。当鼓风机运作时，在气体流道中形成气流通过过滤元件进入容置空间及导流元件的进气口。经由以上配置，可有效防止容置空间的角落产生气体停滞区。
半导体烤箱

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN202210204372.0在审
发明人：刘沧宇;张恕铭;赖炯霖 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供晶片封装体及其制造方法，上述方法包括提供一基底，基底具有一上表面及一下表面，且具有一晶片区及围绕晶片区的一切割道区，基底的上表面上具有一介电层。形成于一掩膜层于基底上方，以覆盖介电层，其中掩膜层具有一第一开口露出介电层并沿切割道区延伸方向延伸而围绕晶片区。对第一开口正下方的介电层进行一蚀刻制程，以在介电层内形成一第二开口位于第一开口正下方。去除掩膜层以露出具有第二开口的介电层，以及经由第二开口对基底进行一切割制程。由此，可防止预切割制程期间介电层因机械或热应力而产生碎片、破裂或其他类型的缺陷。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体的制造方法-CN202210890658.9在审
发明人：林佳升;吴晖贤;陈建宏;刘沧宇;陈瑰玮 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体的制造方法及晶片封装体，该方法包含：图案化晶圆以形成切割道，其中晶圆下方的透光功能层位于切割道中，透光功能层位于晶圆与载体之间，晶圆具有朝向切割道的外壁面，且外壁面与晶圆朝向透光功能层的表面之间具有第一夹角；沿切割道切割透光功能层与载体，以形成晶片封装体，其中晶片封装体包含晶片、透光功能层与载体；以及图案化晶片以形成定义感测区的开口，其中透光功能层位于开口中，晶片具有围绕开口的内壁面及背对内壁面的外壁面，内壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第二夹角，且第一夹角与第二夹角不同。此制造方法可避免晶片的感测区在执行切割制程时受到损伤，且可应用在不同种类的光学感测器。
晶片封装制造方法

[发明专利]晶片封装体的制造方法及晶片封装体-CN201911045389.0有效
发明人：林佳升;吴晖贤;陈建宏;刘沧宇;陈瑰玮 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体的制造方法及晶片封装体，该方法包含：图案化晶圆以形成切割道，其中晶圆下方的透光功能层位于切割道中，透光功能层位于晶圆与载体之间，晶圆具有朝向切割道的外壁面，且外壁面与晶圆朝向透光功能层的表面之间具有第一夹角；沿切割道切割透光功能层与载体，以形成晶片封装体，其中晶片封装体包含晶片、透光功能层与载体；以及图案化晶片以形成定义感测区的开口，其中透光功能层位于开口中，晶片具有围绕开口的内壁面及背对内壁面的外壁面，内壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第二夹角，且第一夹角与第二夹角不同。此制造方法可避免晶片的感测区在执行切割制程时受到损伤，且可应用在不同种类的光学感测器。
晶片封装制造方法

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201910913729.0有效
发明人：陈瑰玮;郑家明;林佳升 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包括基底、第一导电结构以及电性隔离结构。基底具有第一表面及相对于第一表面的第二表面，且具有具有第一开口及环绕第一开口的第二开口。基底包括感测装置位于其内且邻近于第一表面。第一导电结构包括位于基底的第一开口内的第一导电部以位于基底的第二表面上方的第二导电部。电性隔离结构包括位于基底的第二开口内的第一隔离部以及自第一隔离部延伸于基底的第二表面与第二导电部之间的第二隔离部，其中第一隔离部环绕第一导电部。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构及封装组件-CN202210006904.X在审
发明人：李柏汉;简玮铭 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置结构及封装组件，该半导体装置结构包括：一半导体基底，具有一第一表面及与其相对的一第二表面；一氮化镓基装置层，形成于半导体基底的第一表面上，且具有源极、漏极及栅极接触区；第一、第二及第三通孔电极，贯穿半导体基底，且分别电性连接于源极、漏极及栅极接触区；以及一绝缘衬层，形成于半导体基底的第二表面上，且延伸于半导体基底内并将第二通孔电极及第三通孔电极与半导体基底隔开。本实施例也提供一种具有上述半导体装置结构的封装组件。由此，可简化制程并避免使用高成本的接合线。
半导体装置结构封装组件

[发明专利]晶片封装体与电源模组-CN201911029931.3有效
发明人：刘沧宇;李柏汉;简玮铭 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体与电源模组，该晶片封装体包含耐高压基板与装置晶片。耐高压基板具有本体、功能层与接地层。本体具有相对的顶面与底面、贯穿顶面与底面的通孔及围绕通孔的侧壁。功能层位于顶面上。接地层覆盖底面与侧壁。装置晶片位于功能层上，且具有朝向本体的接地垫。接地垫电性连接通孔中的接地层。由此，当晶片封装体设置于电路板的接地区上时，接地层可与电路板的接地区接触而彼此电性连接，如此一来，晶片封装体的装置晶片的接地垫便可通过耐高压基板的接地层与电路板的接地区达到接地的效果，不仅可降低阻值减少噪声，且因接地垫无需打线，接地垫不用被限制在装置晶片的顶面，可降低导线的材料与制造成本。
晶片封装电源模组

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201910712843.7有效
发明人：张恕铭;刘沧宇 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：基底、第一滤光层以及重布线层。基底具有上表面、下表面及位于基底边缘的侧壁表面。基底包括感测装置，位于基底内且邻近于基底的上表面，以感测光源。第一滤光层设置于基底的上表面上方，以遮蔽该光源。第一滤光层具有开口，使第一滤光层经由开口而围绕感测装置。重布线层设置于基底的下表面上。由此，可解决或改善光串音效应的问题，进而改善或维持具有感测晶片的封装体的影像品质。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体-CN201910561380.9有效
发明人：赖炯霖;刘沧宇 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体，其包含晶片、绝缘层、重布线层与有机功能层。晶片具有焊垫、主体部与延伸部。主体部的背面高于延伸部的背面。主体部的正面与延伸部的正面大致齐平。延伸部具有通孔。焊垫位于通孔中。主体部具有倾斜侧壁，且此倾斜侧壁邻接主体部的背面与延伸部的背面。绝缘层覆盖主体部的背面、倾斜侧壁、延伸部的背面与通孔的壁面。重布线层位于绝缘层上与焊垫上。有机功能层位于主体部的背面上、倾斜侧壁上与延伸部的背面上。有机功能层的一部分位于重布线层与绝缘层之间，或重布线层位于有机功能层的一部分与绝缘层之间。如此一来，有机功能层可作为无机绝缘层与有机防焊层之间的缓冲层或作为覆盖重布线层与绝缘层的钝化层。
晶片封装

[发明专利]晶片封装体-CN201811169457.X有效
发明人：陈瑰玮;郑家明 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种晶片封装体，包含基板、第一介电层、第一金属层、第二介电层、第二金属层与多个第一导电通道。第一介电层位于基板的下表面上。第一金属层位于第一介电层的下表面上。第一金属层具有多个第一区段，且第一区段的相邻两者之间有间隙。第二介电层位于第一金属层的下表面上与第一介电层的下表面上。第二金属层位于第二介电层的下表面上。第二金属层具有多个第二区段，第二区段分别对齐间隙，且每一第二区段的两侧缘分别与第一区段的相邻两者重叠。第一导电通道位于第二介电层中，且每一第一导电通道电性接触第一区段其中之一与第二区段其中之一。本发明的晶片封装体可利用第一区段与第二区段同时电性接触重布线层，以提升重布线层的稳固性。
晶片封装

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201910407970.6有效
发明人：郑家明;李柏汉;杨惟中;吴冠荣;张恕铭 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其制造方法。在所述晶片封装体中，第一接合结构位于第一重布线层上。第一晶片包括邻近一主动面的一感测区及一导电垫。第一晶片通过第一接合结构接合于第一重布线层上，且第一接合结构位于导电垫与第一重布线层之间。模塑料层覆盖第一重布线层且环绕第一晶片。第二重布线层位于模塑料层及第一晶片上，且第二重布线层电性连接至第一重布线层。第二晶片堆叠于第一晶片的非主动面上，且第二晶片通过第二重布线层、第一重布线层及第一接合结构电性连接至第一晶片。本发明能够简化制程步骤、减少制造时间且大幅降低制造成本。
晶片封装及其制造方法

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