“晶圆量测”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2134976个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体晶圆的量测装置及其方法、系统-CN202211056033.9在审
发明人：蒋雷勇 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体晶圆的量测装置及其方法、系统。所述半导体晶圆的量测装置，包括：机械手，用于抓取晶圆；所述机械手上设有第一检测模块，所述第一检测模块用于检测晶圆的尺寸；量测载台，具有多个不同尺寸的测试位，所述不同尺寸的测试位用于放置不同尺寸的所述晶圆；量测模块，用于对所述测试位上的所述晶圆进行量测；控制模块，连接所述机械手以及所述量测模块，用于获取所述晶圆的尺寸，且根据所述晶圆的尺寸控制所述机械手将所述晶圆放置于相应的所述测试位，且控制所述量测模块对所述晶圆进行量测通过控制模块抓取并量测不同尺寸的半导体晶圆，提高了量测的效率，降低了半导体制造成本，提高晶圆的交期。
半导体装置及其方法系统

[发明专利]套刻偏差的量测方法-CN202110913637.X在审
发明人：张海;杨晓松;吴怡旻 -专利权人：中芯南方集成电路制造有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种套刻偏差的量测方法，包括：提供若干批次待测晶圆；在若干批次待测晶圆中获取若干样品晶圆；采用第一光照剂量对样品晶圆进行第一套刻偏差量测，获取第一量测值组；采用第二光照剂量对样品晶圆进行第二套刻偏差量测，获取第二量测值组，所述第一光照剂量高于所述第二光照剂量；获取所述第一量测值组和所述第二量测值组的平均偏差值组；在所述若干批次待测晶圆中获取实测晶圆；采用所述第二光照剂量或所述第一光照剂量对实测晶圆的所有区域点进行第三套刻偏差量测，获取实测晶圆的第三量测值组；采用所述平均偏差值组对所述第三量测值组点对点进行校准，获取实测晶圆的套刻偏差值组。从而，在保证量测精度的同时可以提高量测效率。
偏差方法

[发明专利]量测装置、量测补偿系统、量测方法及量测补偿方法-CN202110769250.1在审
发明人：李想 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种量测装置、量测补偿系统、量测方法及量测补偿方法，量测装置包括治具晶圆，治具晶圆包括：晶圆；测距传感器，设置于晶圆的正面，用于在治具晶圆置于反应腔室的晶圆吸盘上后量测治具晶圆与位于反应腔室顶部的上电极之间的距离；水平传感器，设置于晶圆的正面，水平传感器用于在治具晶圆置于晶圆吸盘上后量测晶圆吸盘的水平状况；数据传送装置，与测距传感器及水平传感器相连接，用于传送测距传感器量测的数据及水平传感器量测的数据。本申请中的量测装置避免了人工测量产生的误差，准确性较高；无需打开反应腔室即可实时地获取晶圆吸盘的水平状况，能够提升反应腔室工作的安全性和可靠性。
装置补偿系统方法

[发明专利]半导体量测设备及清洁方法-CN202011453148.2在审
发明人：金炳喆;卢一泓;李琳;胡艳鹏;张月;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本申请属于半导体量测技术领域，具体涉及一种半导体量测设备及其清洁方法，所述半导体量测设备包括：晶圆装载端口，所述晶圆装载端口用于存放晶圆；晶圆量测装置，所述晶圆量测装置用于测量所述晶圆的参数；EFEM模块，所述晶圆转送装置用于将晶圆在所述量测设备各个模块之间传送；清洁模块，所述清洁模块用于在所述半导体量测设备运行时清洁所述晶圆装载端口、EFEM模块和晶圆量测装置。根据本申请的半导体量测设备，通过在半导体量测设备中设置清洁模块，使半导体量测设备在不停机的状态下，即可对晶圆装载端口、EFEM模块和晶圆量测装置等进行周期性清洁，从而提高半导体量测设备的生产效率。
半导体设备清洁方法

[发明专利]晶圆检测方法-CN201910012475.5在审
发明人：王通 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆检测方法，包括如下步骤：建立量测程式，依据量测程式对晶圆的表面进行量测，以得到晶圆的表面与量测镜头之间的实际距离；获取量测过程中晶圆多个不同区域的焦距，并依据获取的多个焦距及晶圆的表面与量测镜头之间的实际距离得到晶圆的表面与量测镜头之间的虚拟距离；获取晶圆的表面与检测镜头之间的实际距离；调整检测镜头，使得检测镜头与晶圆的表面之间的实际距离等于虚拟距离，并使用检测镜头对晶圆的表面进行检测。本发明的晶圆检测方法可以有效避免由于晶圆表面的高度差带来的nuisance的影响，从而确保检测的精度。
检测方法

[实用新型]晶圆量测机台-CN201720249961.5有效
发明人：任维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆量测机台，所述晶圆量测机台包括放置晶圆的托盘以及位于托盘上方的晶圆量测探针，其中所述托盘上开有一卡槽。所述卡槽内安装有陶瓷片，所述陶瓷片用于打磨晶圆量测探针。本实用新型提供的晶圆量测机台中，通过在所述托盘上开有卡槽，使陶瓷片置于卡槽中，将陶瓷片和托盘合为一体，在晶圆量测机台正常量测时，晶圆会覆盖住陶瓷片，并不会影响到正常量测，在需要打磨晶圆量测探针时，直接将托盘上的晶圆取走，可以直接调用晶圆量测机台中的打磨程序对晶圆量测探针进行打磨，省去了之前每次打磨晶圆量测探针前需要人为放置陶瓷片的环节，使用非常便捷。
晶圆量测机台

[实用新型]量测机台的承载平台-CN202222808993.8有效
发明人：韩家才;杨李君;任吉达 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供一种量测机台的承载平台，涉及半导体衬底的技术领域，其包括衬底，衬底上设有承载槽，承载槽用于供工件嵌入，以配合衬底将工件转移至大尺寸量测机台进行量测。通过衬底以及承载槽，将小尺寸的晶圆转移至大尺寸晶圆的量测机台上，可以实现更多的量测项目，提高产品的质量，同时即使小尺寸晶圆的量测机台出现停机，也可以将小尺寸晶圆通过衬底以及承载槽转移至大尺寸的量测机台继续进行量测，进而能够在小尺寸晶圆的量测机台停机期间，继续在大尺寸晶圆的量测机台上进行小尺寸晶圆的量测，提高生产效率。
机台承载平台

[发明专利]一种化学机械抛光系统-CN202310500740.0在审
发明人：窦华成;田芳馨;王同庆 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光系统，包括：前置单元，其内部储存有晶圆；设备主体，用于对晶圆进行抛光作业；机械手，在所述前置单元与所述设备主体之间进行交互以传递晶圆；前值量测单元，用于在晶圆传递过程中对抛光前的晶圆的厚度进行量测；后值量测单元，用于在晶圆传递过程中对抛光后的晶圆的厚度进行量测。本发明将晶圆厚度量测模块集成于化学机械抛光系统中，在晶圆传输过程中即可实现抛光前后晶圆表面的膜层厚度的实时量测，依据历史晶圆抛光前后表面沉积层厚度的变化关系以及下一片来料初始厚度对抛光工艺进行调整。
一种化学机械抛光系统

[发明专利]晶圆量测方法、装置及计算机可读存储介质-CN202010206801.9有效
发明人：曹盛宗 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种晶圆量测方法、装置及计算机可读存储介质，包括：获取待量测晶圆的待量测图像和预设量测点，并获取所述待量测图像内的异常区域；若所述预设量测点位于所述异常区域内，根据所述异常区域，在所述异常区域外获取目标量测点；通过所述目标量测点对所述待量测晶圆进行量测。与现有技术相比，本发明实施方式所提供的晶圆量测方法、装置及计算机可读存储介质具有提升晶圆量测结果准确性的优点。
晶圆量测方法装置计算机可读存储介质

[实用新型]一种化学机械抛光系统-CN202321060845.0有效
发明人：窦华成;田芳馨;王同庆 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种化学机械抛光系统，包括：前置单元，其内部储存有晶圆；设备主体，用于对晶圆进行抛光作业；机械手，在所述前置单元与所述设备主体之间进行交互以传递晶圆；前值量测单元，用于在晶圆传递过程中对抛光前的晶圆的厚度进行量测；后值量测单元，用于在晶圆传递过程中对抛光后的晶圆的厚度进行量测。本实用新型将晶圆厚度量测模块集成于化学机械抛光系统中，在晶圆传输过程中即可实现抛光前后晶圆表面的膜层厚度的实时量测，依据历史晶圆抛光前后表面沉积层厚度的变化关系以及下一片来料初始厚度对抛光工艺进行调整。
一种化学机械抛光系统

[发明专利]晶圆量测方法、装置、介质和电子设备-CN202110047543.9在审
发明人：朱贺 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种晶圆量测方法、装置、介质和电子设备，所述量测方法包括：获取晶圆量测区域图像；识别所述晶圆量测区域图像中的特征标记；确定所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的实际位置；根据所述特征标记的实际位置与所述特征标记的标准位置确定所述特征标记的偏移量；根据所述特征标记的偏移量确定所述晶圆量测区域图像中量测点的偏移量。本发明方案能够实时判别并发现量测点位的偏移问题，有利于及时调整量测位置，从而保证量测结果的准确性。
晶圆量测方法装置介质电子设备

[发明专利]晶圆薄膜量测方法及装置-CN201811323885.3在审
发明人：李贤铭;陈国庆 -专利权人：万润科技股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆薄膜量测方法及装置，该晶圆薄膜量测方法包括以下步骤：以一量测装置对一个薄膜厚度已知的晶圆成品的标准品进行光学量测，取得一第一光学数据；以该量测装置对一晶圆待测品执行量测，以取得一第二光学数据；将该第二光学数据导入依该第一光学数据所建立的参数模型，以取得该晶圆待测品的薄膜厚度。
光学数据量测薄膜量测装置待测品晶圆参数模型晶圆薄膜晶圆成品标准品光学量种晶

[发明专利]一种精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法-CN201910530012.8有效
发明人：汪浩;张立;赖朝荣 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法，包括：将晶圆置于RS机台的量测卡盘上；在晶圆表面上取四点并量测其JPV信号；提供JPV信号与晶圆表面量测位置曲线关系，将得到的四点的JPV信号代入曲线关系，得出该四点对应的坐标值；利用得到的所述四点的坐标值计算出晶圆位置的偏移量；若该偏移量超出标准偏移量的范围，则在量测卡盘上重置晶圆；若该偏移量在标准偏移量范围内，则对RS实际测试值作矫正。本发明通过建立JPV信号与位置的相关曲线数据库，每次量测前先量测与晶圆边缘距离相同的四个位置的JPV信号，算出晶圆圆心与原点的偏移量，对晶圆位置偏离做修正，得到该位置的真实RS值，从而达到监测并提高RS量测稳定性。
一种精确监控改善方块电阻稳定性方法

[发明专利]晶圆量测系统-CN202211274280.6在审
发明人：许敢;张和君;霍阔;吴清文;王健强;王群波 -专利权人：深圳市中图仪器股份有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明描述一种晶圆量测系统，包括储料设备、定位设备、检测设备、以及在储料设备、定位设备、以及检测设备之间转运晶圆的搬运设备，储料设备用于放置晶圆，晶圆具有第一定位标识和第二定位标识；搬运设备将晶圆搬运至定位设备，并且定位设备基于第一定位标识对晶圆进行姿态定位；搬运设备将经姿态定位的晶圆转运至检测设备，检测设备基于第二定位标识对经姿态定位的晶圆进行精确定位并对经精确定位的晶圆进行量测。由此，本发明能够提供一种晶圆量测系统，能够快速、精准地对晶圆进行量测。
晶圆量测系统

[发明专利]一种对准误差的量测方法及系统-CN202210565869.5有效
发明人：杨学人 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种对准误差的量测方法及系统，所述对准误差的量测方法包括：选取多个待测晶圆，且所述待测晶圆上设置有多个对准标记；依据至所述待测晶圆中心的距离，将每个所述晶圆划分为多个待测区域；在每个所述待测区域内选取至少一个待测曝光区域；在每个所述待测曝光区域内选取多个量测点，且每个所述量测点在所述待测晶圆上对应设置有所述对准标记；以及获取每个所述量测点与所述对准标记的误差为所述对准误差。通过本发明提供的对准误差的量测方法及系统，可提高半导体器件的性能和产能。
一种对准误差方法系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条