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[发明专利]形成有吸管插入用孔的容器的密封体及其制造方法-CN201380056124.5在审
发明人：韦世万 -专利权人：韦世万
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B65D41/14 文献下载
摘要：本发明涉及形成有容易插入吸管的孔的容器的密封体及其制造方法，上述本发明的形成有吸管插入用孔的容器的密封体为气密地密封容器的高频感应加热密封体，上述形成有吸管插入用孔的容器的密封体的特征在于，上述形成有吸管插入用孔的容器的密封体具有以下多个层依次层叠的层叠结构，多个层具体为：表面层，位于上述形成有吸管插入用孔的容器的密封体的上端部，并包含没有热封性的材料；层压层，由规定厚度的热塑性树脂或聚烯烃发泡剂层压于上述表面层的下侧；发热层，位于上述层压层的下端，由铝箔形成，当进行高频感应加热时，上述发热层产生热量；以及密封粘结层，位于上述发热层的下侧，包含热封性塑料树脂或粘结剂，上述密封粘结层粘结于容器，上述层压层的下侧部分通过树脂粘结层与上述发热层的上侧部分相接合，在上述表面层和层压层以规定间隔冲孔而成的孔具有可插入使用吸管的规定的直径在以如上方式构成的本发明的形成有吸管插入用孔的容器的密封体及其制造方法中，形成特定的层结构和上层吸管插入用孔，因而可容易插入一般的吸管来摄取内容物，因此无需剥离密封体，从而防止手与容器的入口相接触，进而没有异物附着于容器的入口的担忧
形成吸管插入容器密封及其制造方法

[发明专利]磁阻效应元件、磁头、感应器、高频滤波器和振荡元件-CN201810686463.6在审
发明人：犬伏和海;中田胜之;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：所述磁阻效应元件其特征在于，磁阻效应元件(MR)具备作为磁化固定层的第一铁磁性层(4)、作为磁化自由层的第二铁磁性层(6)、以及设置于第一铁磁性层(4)和第二铁磁性层(6)之间的非磁性间隔层(5)，所述非磁性间隔层(5)具有设置于非磁性间隔层(5)的下表面的第一插入层(5A)和设置于非磁性间隔层(5)的上表面的第二插入层(5C)中的至少一个，第一插入层(5A)和第二插入层(5C)是Fe₂TiSi
磁阻效应元件非磁性间隔层铁磁性层插入层磁头磁化固定层磁化自由层高频滤波器磁阻效应振荡元件感应器上表面下表面

[发明专利]一种具有Si掺杂插入层的AlN复合薄膜及其外延生长方法-CN202011052869.2在审
发明人：张骏;岳金顺;梁仁瓅 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有Si掺杂插入层的AlN复合薄膜及其外延生长方法，该方法的步骤包括：在蓝宝石衬底上外延生长低温AlN缓冲层；对所述低温AlN缓冲层依次进行退火和氮化处理；在所述低温AlN缓冲层上外延生长Si掺杂插入层；在所述Si掺杂插入层上外延生长高温AlN本征层。本发明通过在低温AlN缓冲层和高温AlN本征层之间引入Si掺杂插入层，可以有效过滤来源于异质外延生长初期的失配位错，并释放生长过程中积累的热应力，提高AlN薄膜的晶体质量，防止AlN薄膜开裂。
一种具有 si 掺杂插入 aln 复合薄膜及其外延生长方法

[实用新型]一种用于智慧水利的防洪截渗墙-CN201921633446.2有效
发明人：章和盛;刘海辉;蔡桂斌;余健波 -专利权人：中科星图（深圳）数字技术产业研发中心有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： E02B3/16 文献下载
摘要：本实用新型的技术方案是：该截渗墙包括斜墙、截渗层、稳固层和渗透层，所述斜墙底部插入河床中，斜墙顶端与截渗层的顶端连接，所述截渗层底部插入河床中，所述截渗层插入河床的深度比斜墙插入河床的深度深，所述稳固层设置在截渗层的左右两侧，所述渗透层设置在河床上方，且左右两侧分别与斜墙和截渗层连接。
一种用于智慧水利防洪截渗墙

[发明专利]发光二极管外延片的制备方法-CN201910604905.2在审
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在多量子阱层的InGaN阱层与GaN垒层之间插入包括n个子层的GaN插入层。并控制GaN插入层中与InGaN阱层相接的一个子层的生长温度大于或等于InGaN阱层的生长温度，与GaN垒层相接的一个子层的生长温度小于GaN垒层的生长温度，低温可避免GaN插入层在InGaN阱层上生长时，InGaN阱层的表面出现较大的In析出现象，InGaN阱层中In的留存较为均匀，InGaN阱层中In的留存与分布较为均匀，二极管的发光均匀度有提高。析出的In进入GaN插入层而不是GaN垒层，可提高GaN垒层的质量。n个子层的生长温度沿n个子层的层叠方向逐渐升高，最后发光二极管的整体质量仍较好，发光二极管整体发光均匀度得到提高。
垒层插入层生长发光二极管发光均匀度析出子层发光二极管外延多量子阱层层叠方向二极管制备升高制作

[实用新型]一种方便更换的传送带衬套-CN202220786779.4有效
发明人：朱锁华;刘汉忠;钱国庆;刘娜 -专利权人：常州华中机械有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： F16C33/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方便更换的传送带衬套，包括衬套本体，所述衬套本体的两侧均设置有插入固定块，所述衬套本体的表面设置有防护层，所述防护层包括增强层，所述增强层的表面设置有隔热层，所述隔热层的表面设置有耐候层，所述耐候层的表面设置有防锈层，所述防锈层的表面设置有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层的表面设置有耐磨层，所述插入固定块的材料为橡胶，所述插入固定块的表面开设有穿过通孔。本实用新型通过衬套本体、插入固定块、防护层、增强层、隔热层、耐候层、防锈层、耐腐蚀层与耐磨层的配合使用，能够快速拆装衬套本体，并且提高了衬套本体的耐候、防锈蚀、耐腐蚀与耐磨损性能，延长衬套本体的使用寿命
一种方便更换传送带衬套

[实用新型]一种带有多重阻燃的功能性电缆-CN202320023671.4有效
发明人：熊贤银;贾宁宁 -专利权人：福建展惠科技有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01B7/295 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有多重阻燃的功能性电缆，其结构包括外层、内置安装层、抗拉绳、电缆，所述外层包裹住内置安装层，所述抗拉绳与电缆分别插入内置安装层，其内置安装层中部具有供抗拉绳插入的孔，且在该孔的外侧设有若干个环形分布的供电缆插入的安装孔，其供抗拉绳插入的孔与供电缆插入的安装孔相连通，通过外层对电缆进行阻燃保护，并利用内置安装层起到良好的抗压保护，且在利用抗拉绳分担布线时电缆产生的拉力，起到抗拉保护。
一种带有多重阻燃功能电缆

[发明专利]具有整体多孔膜的泡沫敷料-CN201180058937.9有效
发明人：蒂莫西·马克·罗宾逊;保罗·斯莱克;克里斯多佛·布赖恩·洛克 -专利权人：凯希特许有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： A61F13/00 文献下载
摘要：在此提供了包括多孔膜层和至少一个通道的伤口敷料和伤口插入物、包括多孔膜层和至少一个通道的形成伤口插入物的伤口插入物、以及伤口处理伤口插入物。
具有整体多孔泡沫敷料

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制作方法-CN201611179282.1有效
发明人：吉亚莉;万林;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、插入层、P型层，插入层为交替层叠的MgN层和P型掺杂的GaN层组成的超晶格结构。本发明通过在电子阻挡层和P型层之间设置插入层，插入层为交替层叠的MgN层和P型掺杂的GaN层组成的超晶格结构，MgN层对P型层进行表面处理，获得粗糙表面，使光在粗糙的半导体表面和空气界面发生散射，满足全反射定律的光改变方向
插入层外延片超晶格结构电子阻挡层发光二极管蓝宝石交替层叠衬底半导体技术领域未掺杂GaN层半导体表面多量子阱层全反射定律外量子效率出光效率粗糙表面改变方向空气界面依次层叠成核层缓冲层全反射散射透射制作粗糙

[发明专利]深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310319632.3有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述深紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、第一插入层、多量子阱层、第二插入层、电子阻挡层、P型AlGaN层和欧姆接触层；所述第一插入层包括依次层叠于所述N型AlGaN层上的第一MgN三维层、N型三维合并层和N型缺陷愈合层，所述第二插入层包括依次层叠于所述多量子阱层上的第二MgN三维层、P型三维合并层和P型缺陷愈合层。
深紫发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]体声波谐振器-CN201910548840.4在审
发明人：丁大勳;金成昱;孙尚郁;韩相宪;韩源 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；膜层，与所述基板形成腔；下电极，设置在所述膜层上；插入层，设置为覆盖所述下电极的至少一部分；压电层，设置在所述下电极上以覆盖所述插入层；以及上电极，至少部分地设置在所述压电层上，其中，所述上电极包括设置在所述插入层上的反射凹槽。
声波谐振器

[发明专利]半导体封装-CN02108727.X无效
发明人：大井田充;福田昌利;小塩康弘;舩仓宽 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种导体封装包括(a)插入物;(b)布线层,其包含相邻间距不造成导体之间的短路的多个导体,该布线层覆盖插入物的给定区域,以阻挡光线通过该给定区域;(c)遮光层,其覆盖该插入物的没有被布线层所覆盖的非布线区域,以阻挡光线通过该非布线区域;(d)电连接到布线层的半导体芯片;以及(e)密封该布线层、遮光层和芯片的树脂模。
半导体封装

[发明专利]一种层板组件-CN202211137942.5在审
发明人：蔡明;蔡兴国;王庆彦;雷长城;吕青 -专利权人：博洛尼智能科技（青岛）有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： F16B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种层板组件，包括层板和至少一个与层板连接的层板托；层板托包括与层板连接的底板；底板上设置有连接柱；层板上设有与连接柱一一对应的连接柱插入孔；连接柱插入对应的连接柱插入孔内，连接柱和连接柱插入孔为过盈配合；连接柱包括与底板连接的中心杆和与中心杆连接的多条筋条；每条筋条沿中心杆的轴向延伸，多条筋条沿中心杆的周向均匀分布；中心杆为圆台状，靠近底板的一侧直径大于远离底板的一侧直径；在垂直于连接柱插入孔轴向的方向上，中心杆的半径与贴合在其周向侧壁上的一条筋条的宽度相加之和等于连接柱插入孔的半径。本发明增加了层板托与层板的接触面积，可以提高层板和层板托连接的牢固性。
一种组件

[实用新型]一种层板组件-CN202222474477.6有效
发明人：蔡明;蔡兴国;王庆彦;雷长城;吕青 -专利权人：博洛尼智能科技（青岛）有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： F16B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种层板组件，包括层板和至少一个与层板连接的层板托；层板托包括与层板连接的底板；底板上设置有连接柱；层板上设有与连接柱一一对应的连接柱插入孔；连接柱插入对应的连接柱插入孔内，连接柱和连接柱插入孔为过盈配合；连接柱包括与底板连接的中心杆和与中心杆连接的多条筋条；每条筋条沿中心杆的轴向延伸，多条筋条沿中心杆的周向均匀分布；中心杆为圆台状，靠近底板的一侧直径大于远离底板的一侧直径；在垂直于连接柱插入孔轴向的方向上，中心杆的半径与贴合在其周向侧壁上的一条筋条的宽度相加之和等于连接柱插入孔的半径。本实用新型增加了层板托与层板的接触面积，可以提高层板和层板托连接的牢固性。
一种组件

[发明专利]一种含有氮化钒纳米插入层的高硬度TiSiN涂层及其制备方法-CN201410044739.2有效
发明人：李伟;薛增辉;刘平;马凤仓;刘新宽;陈小红;何代华 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种含有VN纳米插入层的高硬度TiSiN涂层及制备方法。所述含有VN纳米插入层的高硬度TiSiN涂层由VN层和TiSiN层交替沉积在基体上而形成的，靠近基体的一层为VN层，最上层也为VN层，含有VN纳米插入层的高硬度TiSiN涂层厚度为1.8-3.0μm，每一TiSiN层的厚度为5.0nm，每一VN层的厚度为0.3～0.8nm。其制备方法首先将基体表面抛光处理，经超声波清洗和离子清洗后，再采用反应溅射法在基体上交替溅射VN层和TiSiN层，最终得到最大硬度可达40.2GPa的含有VN纳米插入层的TiSiN涂层。
一种含有氮化纳米插入硬度 tisin 涂层及其制备方法