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[发明专利]设置有插入结构与温补层的体声波谐振器、滤波器和电子设备-CN201911197914.0在审
发明人：杨清瑞;庞慰;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，温补层，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；压电层中设置有沿有效区域的边缘布置的复合插入结构，复合插入结构包括第一插入层和第二插入层，在谐振器的俯视图中，第一插入层的至少一部分与所述有效区域重叠，且在谐振器的俯视图中，第一插入层与第二插入层至少部分重叠；第一插入层为金属材料且第二插入层为空气或介质材料，或者第一插入层为介质材料且第二插入层为空气，在谐振器的俯视图中，温补层的至少一部分位于有效区域内，且温补层的材料为与压电层频率温度系数相反的材料。
设置插入结构温补层声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]用于电子测试系统的宽插入器-CN201510023049.3有效
发明人： R.里扎 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：用于电子测试系统的宽插入器。测试插入器包括配置成接收测试插座的插入器层和附着于插入器层使得插入器层保持在不可改变的形状中的加强层。
用于电子测试系统插入

[发明专利]半导体外延结构及其生长方法-CN201210327147.2有效
发明人：程凯 -专利权人：程凯
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法，该半导体外延结构包括：形成于衬底上的成核层；形成于所述成核层上的氮化物层，所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层；位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层，所述插入层包括第一插入层和位于所述第一插入层上方的第二插入层，所述第一插入层为铝镓氮层，所述第二插入层为氮化硅层。
半导体外延结构及其生长方法

[发明专利]半导体外延结构及其生长方法-CN201210324212.6有效
发明人：程凯 -专利权人：程凯
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体外延结构，包括：形成于硅或者碳化硅衬底上的氮化物成核层、所述氮化物成核层上的氮化物层以及所述氮化物层内的插入层。所述插入层包括第一插入层和及位于所述第一插入层上方的第二插入层，所述第一插入层为铝镓氮层，所述第二插入层为铝镓氮层或氮化铝层，所述第一插入层中铝的平均含量低于所述第二插入层中铝的平均含量。而且，整个外延层生长在高温条件下进行，不需要反复的降温升温过程，降低了工艺的复杂程度。
半导体外延结构及其生长方法

[发明专利]体声波谐振器-CN202110417729.9在审
发明人：李泰京;韩源;李文喆;孙尙郁;李华善 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：谐振器，包括中央部和延伸部，在所述中央部中，第一电极、压电层和第二电极顺序堆叠在基板上，所述延伸部沿着所述中央部的外围设置；以及插入层，在所述延伸部中设置在所述压电层与所述基板之间以升高所述压电层所述插入层包括第一插入层和第二插入层，所述第一插入层的面对所述中央部的侧表面形成为第一倾斜表面，所述第二插入层设置在所述第一插入层与所述压电层之间并且具有相对于所述第一电极的表面延伸的方向与所述第一倾斜表面间隔开的第二倾斜表面所述第一插入层比所述第二插入层薄。
声波谐振器

[发明专利]LED器件、LED结构及其制备方法-CN202080106669.2在审
发明人：刘慰华;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：该LED结构的制备方法包括：在一衬底(1)上生长第一导电类型半导体层(3)；在第一导电类型半导体层(3)上生长有源层(4)，有源层(4)包括层叠设置的势阱层(401)、插入层(402)以及势垒层(403)，插入层(402)包括层叠设置的第一插入层(4021)和第二插入层(4022)，第一插入层(4021)与势阱层(401)之间产生量子限制斯塔克效应；势阱层(401)、第一插入层(4021)以及势垒层(403)的材料均为Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料，第二插入层(4022)的材料包含Si‑N键，用于修复第一插入层(4021)的V型缺陷；在有源层(4)上生长第二导电类型半导体层(5)，第一导电类型半导体层(3)与第二导电类型半导体层
led 器件结构及其制备方法

[发明专利]一种插入层复合结构及其制作方法-CN201410671215.6在审
发明人：汤益丹;申华军;白云;周静涛;杨成樾;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种插入层复合结构及其制作方法，涉及宽禁带材料欧姆接触形成技术领域，解决了现有技术中欧姆接触电阻率测量可重复性差、器件稳定性不强以及在宽禁带半导体材料上欧姆接触形成难、欧姆接触电阻率高的问题所述插入层复合结构位于SiC衬底与金属盖层之间，包括采用特殊材料形成的电流输运层和特定元素组分配比的欧姆接触金属层；所述电流输运层位于SiC衬底之上，所述欧姆接触金属层位于电流输运层之上；所述插入层复合结构由所述欧姆接触金属层通过合金退火方式形成的特定化学成分配比的碳化物和硅化物扩散进入所述电流输运层混合而成
一种插入复合结构及其制作方法

[发明专利]垂直沟槽功率器件中的氧插入的Si层-CN201910729102.X在审
发明人： R.哈瑟;T.菲尔;B.格勒;R.K.约希;S.里奥曼;M.波茨尔;M.罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：垂直沟槽功率器件中的氧插入的Si层。延伸到Si衬底中并且填充有导电材料的接触沟槽，该导电材料接触在接触沟槽的侧壁处的源区和在接触沟槽的底部处的高掺杂本体接触区；沿着栅沟槽的侧壁形成的扩散阻挡结构，该扩散阻挡结构包括Si和氧掺杂Si的交替层以及在Si和氧掺杂Si的交替层上的Si覆盖层；以及形成在Si覆盖层中并且沿着栅沟槽的侧壁垂直延伸的沟道区。
垂直沟槽功率器件中的插入 si

[发明专利]一种具有打孔橡胶插入层的夹层结构-CN202111472834.9在审
发明人：康鲁迪;刘碧龙;孙成溥;李新;安峰岩 -专利权人：青岛理工大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B32B5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种具有打孔橡胶插入层的夹层结构，所述夹层结构包括上面板、下面板、轻质厚芯层以及打孔橡胶插入层。
一种具有打孔橡胶插入夹层结构

[发明专利]具有摩擦增强插入层的风力涡轮变桨轴承-CN202111279314.6在审
发明人： G·I·马登;C·G·小布沙尔;E·M·胡德 -专利权人：通用电气可再生能源西班牙有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： F03D80/70 文献下载
摘要：一层摩擦增强材料被插入/设置在相对的内环形面之间，该摩擦增强材料包含研磨颗粒组分，该研磨颗粒组分增大摩擦系数以最小化第一和第二环部件之间的滑移。
具有摩擦增强插入风力涡轮轴承

[实用新型]一种插入拉紧式易更换叠层筛网-CN202220369106.9有效
发明人：陆伟定 -专利权人：绍兴柯桥钱清筛网有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B07B1/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种插入拉紧式易更换叠层筛网，包括底座、第一筛网架、筛网主体、第二筛网架和滑杆，底座顶部一侧固定连接有第一筛网架，第一筛网架内部可拆卸连接有筛网主体，第一筛网架内部螺纹连接有紧固螺栓，紧固螺栓底部转动连接有锥齿板
一种插入拉紧更换筛网

[发明专利]用于厚膜电致发光显示器的插入层-CN02803838.X有效
发明人：李午;辛永保;迈克尔R·韦斯科特 -专利权人：伊菲雷技术有限公司
申请日： 2002-01-10 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：通过在显示器中置入厚膜介电层和薄膜荧光体结构间的非孔层来提高厚膜电致发光显示器的性能和稳定性。插入层便于增加亮度、增加能量效率以及提高工作稳定性。
用于电致发光显示器插入

[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法-CN201910085692.7有效
发明人：陶章峰;程金连;曹阳;乔楠;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述氮化镓基发光二极管外延片的多量子阱层包括多个周期的超晶格结构，每个超晶格结构均包括依次层叠的量子阱层、插入层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，所述量子垒层为GaN层，所述插入层包括依次层叠在所述量子阱层上的第一插入层和第二插入层，所述第一插入层为BAlInN层，所述第二插入层为BAlN层。通过设置插入层可以改善量子阱层与量子垒层之间由于晶格失配产生极化电场，造成多量子阱层的能带发生倾斜的情况，从而可以提高电子和空穴的波函数的交叠程度，最终提高LED的内量子效率。
氮化发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201810272759.3有效
发明人：姚振;从颖;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，低温P型层的生长温度为720～790℃，低温P型层与有源层之间设有第一插入层，第一插入层为周期为n的Al‑GaN/GaN超晶格结构，2≤n≤10，第一插入层的生长温度与低温P型层的生长温度相同；低温P型层与电子阻挡层之间设有第二插入层，第二插入层为掺Al的GaN结构，第二插入层的生长温度比低温P型层的生长温度高10～50℃。通过设置第一插入层和第二插入层，既能减少缺陷的产生，又能提高发光二极管的发光效率。
插入层发光二极管外延生长电子阻挡层衬底源层半导体技术领域超晶格结构低温缓冲层发光二极管高温缓冲层发光效率依次层叠制造

[发明专利]元素插入方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质-CN201810809333.7有效
发明人：黄腾霄 -专利权人：广州视源电子科技股份有限公司;广州视睿电子科技有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G06F3/0481 文献下载
摘要：本发明公开了一种元素插入方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，其中元素插入方法包括：响应于目标元素的插入指令，确定目标元素在显示层中的显示位置；获取所述显示层与漫游层的相对位置关系；根据所述相对位置关系，计算所述显示位置对应在所述漫游层中的插入位置；根据所述插入位置在所述漫游层中插入所述目标元素。本发明能够将目标元素在显示层的理想显示位置转换成在漫游层的插入位置，使得目标元素按照漫游层的插入位置插入后，用户可以在显示层的理想显示位置看到目标元素，实现目标元素以适合的位置和尺寸向用户显示，便于用户对目标元素进行操作并满足用户的观看体验
元素插入方法装置电子设备计算机可读存储介质