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[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202110652860.3在审
发明人：竹内淳史;北田亨;中村贯人;五味淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置和成膜方法。不用事先对靶进行加工，就能够判断靶的更换时刻。一种成膜装置，其利用磁控溅射法在基板上形成膜，其中，该成膜装置具有：基板保持部，其保持基板；保持件，其以强磁性材料的靶朝向所述基板保持部的方式保持该靶；磁体单元，其设于所述保持件的与所述基板保持部相反的一侧，向被所述保持件保持的所述靶的所述基板保持部侧泄漏磁场；以及磁场强度测量部件，其测量所述磁场的强度。
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201980090999.4在审
发明人：今北健一;小野一修;北田亨;佐藤圭祐;五味淳;横原宏行;曽根浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：成膜装置具备：处理容器；基板保持部，其在处理容器内保持基板；靶电极，其配置于基板保持部的上方，用于保持由金属构成的靶，并向靶提供来自电源的电力；氧化气体导入机构，其向基板供给氧化气体；以及气体供给部，其向靶配置空间供给非活性气体。从靶发射出该靶的构成金属来作为溅射粒子以在基板上沉积金属膜，通过从氧化气体导入机构导入的氧化气体对金属膜进行氧化来形成金属氧化膜。在氧化气体被导入时，气体供给部向靶配置空间供给非活性气体，使该靶配置空间的压力与处理空间的压力相比成为正压。
装置方法

[发明专利]成膜装置-CN202010429448.0在审
发明人：今北健一;小岛康彦;五味淳;横原宏行;曾根浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置。该成膜装置包括处理容器、在处理容器内保持基片的基片保持部和配置于基片保持部的上方的靶单元。靶单元包括：靶，其具有主体部和其周围的呈环状的凸缘部，能够释放溅射颗粒；具有靶电极且保持靶的靶保持部；将靶的凸缘部夹持在靶保持部的靶夹具；以及防附着遮挡件，其在靶的主体部的周围以覆盖凸缘部、靶夹具和靶保持部的方式设置，以其内侧前端进入靶的主体部与靶夹具之间的凹部的方式配置而形成迷宫结构。本发明能够在同一处理容器内进行金属膜的沉积和沉积的金属氧化膜的氧化处理时，抑制金属靶的氧化。
装置

[发明专利]磁控溅射装置-CN201380029020.5无效
发明人：北田亨;中村贯人;五味淳;宫下哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种在使用由磁性材料构成的靶进行磁控溅射时能够提高装置的生产率的技术。在本发明中，构成的装置包括：由磁性材料构成的作为靶的圆筒体，其在基板的上方以该圆筒体的中心轴线从所述基板的中心轴线向沿着所述基板的面的方向偏移的方式配置；旋转机构，其用于使该圆筒体绕该圆筒体的轴线旋转；磁体排列体，其设在所述圆筒体的空洞部内；电源部，其用于对所述圆筒体施加电压。并且，在所述磁体排列体的与所述圆筒体的轴线正交的截面形状中，与该截面形状的在圆筒体的周向上的两端部相比，该截面形状的在圆筒体的周向上的中央部向该圆筒体的周面侧突出。由此，即使使用厚度比较厚的靶，也能够抑制自靶泄漏的磁场的强度降低，并且能够抑制侵蚀局部进行。
磁控溅射装置

[发明专利]真空处理装置、真空处理方法和存储介质-CN201380028671.2有效
发明人：古川真司;五味淳;宫下哲也;北田亨;中村贯人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-04-30 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。
真空处理装置方法存储介质

[发明专利]磁控溅射装置和磁控溅射方法-CN201210376114.7有效
发明人：水野茂;户岛宏至;五味淳;宫下哲也;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。
磁控溅射装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201180027424.1无效
发明人：石坂忠大;佐久间隆;波多野达夫;横山敦;五味淳;安室千晃;福岛利彦;户岛宏至;川又诚也;水泽宁;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。
方法装置

[发明专利]成膜装置-CN201180007205.7有效
发明人：原正道;山本薰;五味淳;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：使用包括有机金属化合物的原料气体形成薄膜的成膜装置具备：内部能够真空排气的处理容器（22）；载置被处理体（W），并且设置有对被处理体（W）进行加热的加热器（34）的载置台（28）；在载置台（28）的上方与载置台（28）相对设置，向着载置台（28）上的被处理体（W）外周端更外侧的区域导入原料气体的气体导入机构（80）；包围载置台（28）的上方的处理空间（S），划分处理空间的内外，并且以其下端部接近载置台（28）的方式设置，在下端部与载置台（28）的周边部之间形成气体出口（92）的内部划分壁（90）；在内部划分壁（90）的下端部，向着载置台（28）的半径方向的内方延伸设置，在与载置台（28）的周边部之间形成与气体出口（92）连通的孔口部（98）的孔口形成部件（96）。
装置

[发明专利]Cu配线的形成方法-CN201080018603.4无效
发明人： 五味淳;水泽宁;波多野达夫;横山敦;石坂忠大;安室千晃;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填埋沟槽和/或孔的方式形成Cu膜的工序；在Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理的工序；研磨Cu膜仅使Cu膜的对应于沟槽和/或孔的部分残留的工序；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线的工序。
cu 形成方法

[发明专利]CVD-Ru膜的形成方法和半导体装置的制造方法-CN201080011219.1无效
发明人：加藤多佳良;水泽宁;波多野达夫;五味淳;安室千晃;横山敦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：通过使用含有有机金属化合物的成膜原料并通过CVD在基板上形成Ru膜的工序和对形成有上述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序，形成CVD-Ru膜。
cvd ru 形成方法半导体装置制造

[发明专利]载置台结构、成膜装置和原料回收方法-CN201080010695.1无效
发明人： 五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;多贺敏;安室千晃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及为了在能够真空排气的处理容器内，使用包含有机金属化合物的原料的原料气体在被处理体的表面形成薄膜而载置该被处理体的载置台结构。根据本发明的载置台结构，其特征在于，具备：载置台主体，载置被处理体并且在内部设置有加热器；和基台，以包围上述载置台主体的侧面和底面的状态支撑上述载置台主体，并且在内部设置有流通致冷剂的致冷剂通路，维持在低于原料气体的分解温度且在原料气体的凝固温度或液化温度以上的温度范围。
载置台结构装置原料回收方法

[发明专利]金属回收方法、金属回收装置、排气系统及使用其的成膜装置-CN200980130242.X无效
发明人：原正道;五味淳;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B01D53/64 文献下载
摘要：一种金属回收装置(66)，其从用由有机金属化合物原料形成的原料气体而在被处理体的表面上形成薄膜的处理容器(10)所排出的排气气体中回收金属成分，将排气气体进行除害。金属回收装置具有：捕集单元(80)，其具有捕集部件，所述捕集部件构成为，加热所述排气气体，使排气气体中含有的未反应的原料气体热分解，将原料气体中含有的金属成分附着；除害单元(82)，其具有氧化通过捕集单元的排气气体中含有的有害气体成分而进行除害的催化剂(100)。
金属回收方法装置排气系统使用

[发明专利]原料回收方法及用于原料回收的收集机构-CN200980130137.6无效
发明人： 五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;安室千晃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种原料回收方法，该原料回收方法从由处理容器排出的排出气体中回收原料，在处理容器中，使用使相对于特定的制冷剂不分解而具有稳定的特性的有机金属化合物的原料气化而得到的原料气体，在被处理体的表面上形成金属膜的薄膜，其特征在于，该原料回收方法具有：凝固工序，通过使上述排出气体与上述制冷剂接触而进行冷却，使未反应的原料气体凝固，并再次析出上述原料；回收工序，其从上述制冷剂中分离并回收在上述凝固工序中再次析出的上述原料。
原料回收方法用于收集机构

[发明专利]载置台构造-CN200980129915.X无效
发明人： 五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。
载置台构造

[发明专利]成膜方法及成膜装置、计算机可读存储介质-CN200980110270.5有效
发明人：原正道;水泽宁;多贺敏;五味淳;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。
方法装置计算机可读存储介质

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