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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]阴极组件和成膜装置-CN202110177569.5有效
发明人： 品田正人;E·N·阿瓦拉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种阴极组件和成膜装置。阴极组件具有：能够发射出溅射粒子的靶材；具有与靶材接合的金属制的冷却板的靶材冷却部；和对靶材进行供电的电源，靶材在溅射成膜时形成有相对高温的高温区域，冷却板具有：供冷却介质流通的冷却介质流通空间；以及在厚度方向上界定冷却介质流通空间的第1壁部和第2壁部，在冷却介质流通空间中，由与第1壁部和第2壁部结合在一起的第1分隔板以及仅与第1壁部和第2壁部的任一者结合在一起的第2分隔板形成冷却介质的流路，在冷却介质流通空间的与高温区域对应的部分不存在第1分隔板。根据本发明，能够抑制溅射时被加热的靶材的热膨胀所引起的剥离。
阴极组件装置

[发明专利]PVD装置-CN202180030110.0在审
发明人：清野拓哉;小田岛保志;渡边直树;户岛宏至;品田正人;宫下哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及PVD装置。PVD装置具备：腔室、多个载置台、第一靶保持部、电力供给机构以及屏蔽件。多个载置台设置在腔室内，并分别能够在上表面载置至少一个基板。第一靶保持部能够保持靶，该靶暴露在腔室内的空间，并针对一个载置台设置至少一个。电力供给机构经由第一靶保持部向靶供给电力。屏蔽件设置于腔室内，一部分配置在多个载置台中的第一载置台与第二载置台之间、以及第一载置台上的第一处理空间与第二载置台上的第二处理空间之间。
pvd 装置

[发明专利]载置台构造、基板处理装置以及基板处理装置的控制方法-CN202210014544.8在审
发明人：山形基;曽根浩;品田正人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及载置台构造、基板处理装置以及基板处理装置的控制方法。提高基板的冷却效率。提供一种载置台构造，其具有：载置基板的载置台、冷却基板的冷冻机构、使所述载置台或所述冷冻机构升降的升降驱动部、以及设于所述冷冻机构与所述载置台的相对位置的触头，构成为能够利用由所述升降驱动部进行的所述载置台或所述冷冻机构的升降并隔着所述触头来使所述冷冻机构与所述载置台接触。
载置台构造处理装置以及控制方法

[发明专利]成膜系统和成膜方法-CN202111499892.0在审
发明人： 品田正人;户岛宏至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
系统方法

[发明专利]成膜系统和成膜方法-CN202111498049.0在审
发明人： 品田正人;户岛宏至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
系统方法

[发明专利]溅射装置和成膜方法-CN202110848822.5在审
发明人： E·N·阿瓦拉;户岛宏至;石桥翔太;岩下浩之;平泽达郎;品田正人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供能够提高溅射颗粒的入射角的控制性，且提高膜的均匀性的溅射装置和成膜方法。溅射装置包括：释放溅射颗粒的第一靶材和第二靶材；支承基片的基片支承部；以及隙缝板，其配置在上述靶材与上述基片之间，具有供上述溅射颗粒通过的隙缝部，上述隙缝部具有上述靶材侧的第一隙缝和上述基片侧的第二隙缝，上述第二隙缝具有向该第二隙缝内突出的第一突出部和第二突出部，配置成当从上述第一靶材观察上述隙缝部时，上述第一突出部被遮挡，配置成当从上述第二靶材观察上述隙缝部时，上述第二突出部被遮挡。
溅射装置方法

[发明专利]进行溅射处理的装置和方法-CN202110805272.9在审
发明人： 品田正人;E·N·阿瓦拉;户岛宏至;石桥翔太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供限制靶材颗粒相对于基片入射的角度，控制靶材颗粒的指向性的进行溅射处理的装置和方法。在进行由形成于处理容器内的等离子体，从靶材使靶材颗粒释放而使其附着到载置于载置台的基片的溅射处理的装置中，利用磁体移动机构使设置于靶材的背面侧的磁体移动。在载置台与靶材之间设置彼此相对的2个限制板，根据磁体的移动，利用配置位置调节机构调节配置上述限制板的位置。利用上述限制板，能够限制从靶材释放出的靶材颗粒相对于载置在载置台的基片入射的角度，能够控制靶材颗粒的指向性。
进行溅射处理装置方法

[发明专利]膜厚测量装置、膜厚测量方法、成膜系统和成膜方法-CN202110224635.X在审
发明人： 品田正人;竹山环;小野一修;铃木直行;千早宏昭;E·N·阿瓦拉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以in‑situ的方式测量成膜后的非常薄的膜的膜厚的膜厚测量装置、膜厚测量方法、成膜系统和成膜方法。膜厚测量装置是在成膜系统中以in‑situ的方式测量形成在基片上的膜的膜厚的膜厚测量装置。该膜厚测量装置包括：能够载置形成有膜的基片的载置台；测量光射出/检测单元，其具有向载置台上的基片射出膜厚测量用的光的光射出部，和接收光在基片反射后的反射光的受光传感器；使光在基片上的照射点移动的移动机构；测量受光传感器与基片上的照射点之间的距离的测距仪；和调节受光传感器与基片上的照射点之间的距离的距离调节机构。
测量装置测量方法系统方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201980027716.1在审
发明人： 品田正人;户岛宏至;爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：成膜装置具有：在处理腔室内的处理空间保持用于发射溅射粒子的靶的靶保持部、从靶发射溅射粒子的溅射粒子发射单元、具有供溅射粒子穿过的穿过孔的溅射粒子遮蔽板、设为能够遮蔽穿过孔的遮蔽构件、使遮蔽构件沿水平方向移动的移动机构、以及控制部。控制部一边将在遮蔽构件的载置部载置有基板的遮蔽构件控制为沿水平方向的一个方向移动，一边从靶发射溅射粒子。穿过了穿过孔的溅射粒子沉积在基板。
装置方法

[发明专利]成膜装置、成膜系统以及成膜方法-CN201910733755.5在审
发明人： 品田正人;户岛宏至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜的成膜装置、成膜系统以及成膜方法。成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
装置系统以及方法

[发明专利]溅射设备-CN201380071644.3有效
发明人： 品田正人;上田启介 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效率的磁控溅射设备，其中由磁体得到的接地遮蔽件布置于靶的外周，能够减少阴极与接地遮蔽件之间的不期望的放电。本发明的实施方式的溅射设备设置有：垫板(7)，垫板(7)连接到电源并具有靶安装面；磁体(8)，磁体(8)布置于垫板的背面；接地遮蔽件(14)，接地遮蔽件(14)围绕靶安装面的外周并包括磁性材料；和固定部(13)，固定部(13)是位于靶安装面的外周的在垫板与遮蔽件之间的磁性构件。从而减少了穿过遮蔽件与固定部之间的空间的磁力线。
溅射设备

[发明专利]磁头组件-CN200710096714.7无效
发明人： 品田正人;山口巨树 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G11B5/60 文献下载
摘要：本发明得到以简单工序将滑块的电极焊盘和挠性布线基板的电极焊盘牢固地接合的磁头组件。在滑块表面露出的磁阻效应元件用的电极焊盘、和连接磁阻效应元件和外部电路的挠性布线基板的电极焊盘被焊锡接合的磁头组件中，滑块的电极焊盘形成在与磁阻效应元件连接的电布线层上，具有在焊锡接触面露出的Au表面保护层及夹在该Au表面保护层和电布线层之间的Cu粘接层，并规定为该Cu粘接层的焊锡接合前的厚度在焊锡接合后成为0.05μm以上。
磁头组件

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