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- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202011385908.0在审
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内田敏治;松本行生
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佳能特机株式会社
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2020-12-01
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2021-06-18
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C23C14/34
- 本发明提供一种在形成有凸部和凹部的基板表面上形成薄膜时能够一边保持凹凸表面形状一边以规定的膜厚包覆表面的成膜方法和成膜装置。一种成膜方法，在沿着与第1方向交叉的第2方向交替地形成有沿所述第1方向延伸的凸部和沿所述第1方向延伸的凹部的基板(10)上进行成膜，其特征在于，所述成膜方法包括：成膜工序，向基板(10)照射成膜材料，形成薄膜；以及蚀刻工序，向形成有所述薄膜的基板(10)照射蚀刻用射束，进行蚀刻，照射所述成膜材料的方向和照射所述蚀刻用射束的方向相对于基板(10)的成膜面的法线倾斜，且两者的照射角度设定为相同。
- 方法装置
- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202110041720.2在审
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窪田真树;佐藤吉宏;佐藤正律
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东京毅力科创株式会社
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2021-01-13
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2021-07-23
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H01L21/02
- 本发明提供成膜方法和成膜装置，能够降低在同一处理容器内对基片连续地反复进行多层膜的成膜的情况下处理容器内的清洁的频次。成膜方法是在同一处理容器内在基片形成包含不同的膜的多层膜的成膜方法，包括第1工序、第2工序、第3工序、第4工序、第5工序和第6工序。第1工序将基片送入处理容器内。第2工序在基片形成第1膜。第3工序在第2工序后的基片形成第2膜。第4工序将第3工序后的基片从处理容器送出。第5工序在第4工序后用第1气体的等离子体将形成第2膜时沉积在处理容器内的第1沉积物除去。第6工序在反复执行了从第1工序至第5工序为止的工序后，用第2气体的等离子体将形成第1膜时沉积在处理容器内的第2沉积物除去。
- 方法装置
- [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202010716476.0在审
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大潭笃史
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株式会社斯库林集团
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2020-07-23
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2021-03-26
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C23C14/34
- 提供一种获得能够以更高的膜厚精度形成薄膜的成膜对象物的运送速度的技术。成膜方法以横穿靶的方式相对于靶相对地运送成膜对象物，并通过对靶进行溅射的连续溅射，在成膜对象物上形成膜。成膜方法具有测量工序、保存工序、速度确定工序以及成膜工序。在测量工序中，预先测量成膜对象物的运送速度的倒数与成膜对象物上形成的膜的膜厚之间的对应关系。在保存工序中，保存对应关系。在速度确定工序中，根据膜厚的目标值与该对应关系，确定运送速度。在成膜工序中，以在速度确定工序中确定的运送速度运送成膜对象物，并通过连续溅射在成膜对象物上形成膜。
- 装置方法
- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202011002086.3在审
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高木聪;北村和也;蔡秀林
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东京毅力科创株式会社
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2020-09-22
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2021-03-30
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H01L21/02
- 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够将半导体膜选择性地形成于氮化膜和氧化膜中的氮化膜。成膜方法包括以下工序：对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟形成于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜，使所述氮化膜的表面相对于所述氧化膜的表面凹陷来在所述氧化膜的侧面形成台阶面；以及在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之后，对所述基板供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜选择性地形成于所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜。
- 方法装置
- [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201980043051.3在审
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矢岛贵浩;中村文生;加藤裕子;植喜信;小仓祥吾
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株式会社爱发科
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2019-09-10
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2021-02-26
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C23C14/00
- 本发明的一个方式涉及的成膜装置具有腔室、工作台、光源单元、气体供给部以及清洗单元。所述腔室具有：腔室主体，其具有成膜室；顶板，其安装在所述腔室主体，具有窗部。所述工作台配置在所述成膜室，具有支承基板的支承面。所述光源单元设置在所述顶板，具有经由所述窗部向所述支承面照射能量束的照射源。所述气体供给部将原料气体供给至所述成膜室，所述原料气体包含受所述能量束的照射而固化的能量束固化树脂。所述清洗单元连接至所述腔室，向所述成膜室导入清洗气体，所述清洗气体去除附着在所述顶板、腔室的所述能量束固化树脂。
- 装置方法
- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010811945.7在审
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小川淳;吹上纪明
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东京毅力科创株式会社
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2020-08-13
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2021-02-26
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C23C16/34
- 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，能够在以在形成于基板的表面的凹部中埋入氮化硅膜的方式进行成膜时抑制生产率的下降，并且抑制在进行该氮化硅膜的成膜后进行的不必要的蚀刻。所述成膜方法实施以下工序：在旋转台以第一转速进行旋转的期间，对第一区域进行原料气体的供给并且以第一流量对第二区域进行所述氨气的供给，来在凹部内进行第一氮化硅膜的成膜；以及在旋转台以比第一转速低的第二转速旋转的期间，对第一区域供给原料气体并且以比第一流量小的第二流量对第二区域进行的所述氨气的供给，来在凹部内以层叠于第一氮化硅膜的方式进行第二氮化硅膜的成膜。
- 方法装置
- [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202010842303.3在审
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小川淳
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东京毅力科创株式会社
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2020-08-20
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2021-03-05
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C23C16/455
- 本发明涉及成膜装置及成膜方法。本发明的课题是：在以填充形成于基板的表面的凹部图案的方式成膜为硅氮化膜时，无间隙地填充凹部图案。在表面形成有凹部图案的基板上成膜为硅氮化膜的成膜方法中，包括如下工序：向存储前述基板的处理容器内分别供给包含硅的原料气体和对前述原料气体进行氮化的氮化气体，沿着前述基板的表面形成保形的硅氮化膜的工序；在停止向前述处理容器内供给硅原料气体的状态下，向前述基板供给用于对前述硅氮化膜进行整形的等离子体化的整形用气体，以使前述硅氮化膜的膜厚自凹部图案的底部侧向上部侧变薄的方式使前述硅氮化膜收缩的工序；和，交替地重复进行形成前述硅氮化膜的工序与使前述硅氮化膜收缩的工序，将硅氮化膜嵌入于前述凹部图案的工序。
- 装置方法
- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010788135.4在审
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羽根秀臣;小山峻史;大槻志门;向山廉;吹上纪明;小川淳
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东京毅力科创株式会社
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2020-08-07
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2021-02-23
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C23C16/455
- 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
- 方法装置
- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010789975.2在审
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羽根秀臣;大槻志门;小山峻史;向山廉;小川淳;吹上纪明
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东京毅力科创株式会社
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2020-08-07
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2021-02-23
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C23C16/34
- 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
- 方法装置
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