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- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200510080241.2有效
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长谷部一秀;周保华
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东京毅力科创株式会社
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2005-06-28
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2006-01-04
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H01L21/205
- 本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过CVD在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供给第一和第二处理气体。在第二工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。在第三工序中，在向处理区域供给第二处理气体的同时，停止向处理区域供给第一处理气体。在第四工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。
- 方法装置
- [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201711278236.1有效
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山田龙藏;太田淳;浅利伸;斋藤一也
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株式会社爱发科
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2017-12-06
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2021-05-04
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C23C16/503
- 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。将成膜对象物设置为具有立体形状并且在成膜对象物的外表面凹陷地设置有沿着一个方向延伸的凹孔，在成膜对象物的至少凹孔的内表面形成高分子膜，所述成膜装置具有：向配置有成膜对象物的真空室内导入原料单体的原料单体导入单元；以及具有电极和交流电源且通过向电极施加交流电力而在真空室内使等离子体产生的等离子体产生单元；使由等离子体使原料单体分解并聚合而生成的离子以及自由基附着并堆积来形成高分子膜；所述电极由有底的筒状体构成，凹孔的孔轴设置为与有底筒状体的底壁正交的姿势，在使成膜对象物被底壁支撑而容纳在筒状体内的状态下使等离子体产生时，在等离子体与凹孔的内表面之间形成离子鞘层。
- 装置方法
- [发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201710260622.1有效
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饭塚和孝
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丰田自动车株式会社
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2017-04-20
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2019-12-17
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C23C16/44
- 本发明提供成膜方法及成膜装置。成膜装置具备：成膜容器，具有第一模具和第二模具，所述第一模具具有第一凹陷部和配置于第一凹陷部的周围的第一平面部，且在第一凹陷部的底部具备排气口，所述第二模具与第一模具对向而配置；密封部件，配置于第一模具的第一平面部与第二模具之间，保持成膜容器内的气密；及排气装置，连接于排气口，工件从第一平面部分离，且工件的成膜对象部分在成膜容器关闭的状态下朝向第一凹陷部内的空间，方法具备：工序(a)，通过成膜装置对工件的一部分进行成膜；工序(b)，在工序(a)之后，将成膜容器打开；及工序(c)，在工序(b)开始时，通过排气装置经由排气口对成膜容器内进行排气。
- 方法装置
- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201910695080.X有效
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高藤哲也;藤永元毅;渡边幸夫
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东京毅力科创株式会社
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2019-07-30
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2021-08-24
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C23C16/34
- 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于在形成氧化物半导体的保护膜时减少等离子体对氧化物半导体给予的损伤。成膜方法包括：第一成膜工序，使用第一高频电力来生成含有含氧气体、SiF4气体以及SiCl4气体、且SiCl4气体与SiF4气体的流量比为第一流量比的混合气体的等离子体，并在氧化物半导体上形成第一氧化硅膜；以及第二成膜工序，使用第二高频电力来生成含有含氧气体4气体、且SiCl4气体与SiF4气体的流量比为第二流量比的混合气体的等离子体，并在第一氧化硅膜上形成第二氧化硅膜
- 方法装置
- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201910629781.3有效
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门田太一
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东京毅力科创株式会社
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2019-07-12
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2021-10-01
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C23C16/34
- 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。一边从平衡气体供给通路向处理容器内的基板供给平衡气体，一边经由反应气体供给通路向该基板依次供给彼此发生反应的多种反应气体，来层叠反应生成物并形成薄膜，包括：成膜工序，一边连续地供给平衡气体，一边针对多种反应气体中的各种气体依次进行以下动作：将反应气体贮存到贮存部中使其升压，从贮存部向处理容器内喷出该反应气体；吹扫工序，将以下动作反复进行多次：将吹扫气体贮存到贮存部中来使其升压至比成膜工序中的对应的贮存部的升压时的压力高的压力，从贮存部向处理容器内喷出该吹扫气体，其中，在吹扫工序中向处理容器内供给的平衡气体的流量小于在成膜工序中向处理容器内供给的平衡气体的流量。
- 方法装置
- [发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201910783797.X有效
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桑田拓岳;布重裕;藤井康
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东京毅力科创株式会社
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2019-08-23
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2022-04-12
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C23C16/455
- 本公开涉及成膜装置和成膜方法。在对多个基板进行成膜处理时，抑制基板间的膜厚的变动。本公开的成膜装置具备：载置部，其用于在真空容器内载置基板并且对该基板进行加热；喷淋头，其具备与载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出口，该喷淋头用于从多个气体喷出口向基板供给成膜气体来对该基板进行成膜；清洗气体供给部，在向多个基板分别供给成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于真空容器时，该清洗气体供给部供给用于对该真空容器内进行清洗的清洗气体；以及无孔质的覆盖膜，其至少在相向部覆盖构成喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各基板供给成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和。
- 装置方法
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