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[发明专利]一种层间复合聚合物介质膜及其制备方法和应用-CN201910060299.2在审
发明人：赵月涛;周榆久 -专利权人：成都斯托瑞科技有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明复合膜包括低介电聚合物层以及高介电聚合物层；其中，所述低介电聚合物层包括：双向拉伸聚合物膜；所述高介电聚合物层包括：高介电聚合物流延成型膜。本发明层间复合聚合物介质膜既具备低介电聚合物层优异的绝缘性能和耐压性能，也类似高介电聚合物层具备较高的介电常数，同时具备较高的储能密度和较高的充放电效率，并且介电损耗也较低，是一种性能优异的有机薄膜电容器介质膜
高介电聚合物低介电聚合物介质膜制备方法和应用复合聚合物种层有机薄膜电容器充放电效率聚合物介质层间复合介电常数介电损耗聚合物膜绝缘性能流延成型耐压性能双向拉伸复合膜储能

[发明专利]一种高介电环氧塑封料及其制备方法和应用-CN201610657329.4有效
发明人：孙蓉;朱朋莉;李刚;黄良;赵涛 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C08L63/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电环氧塑封料及其制备方法和应用。以该高介电环氧塑封料的总重量为100％计，该高介电环氧塑封料的原料组成包括：高介电填料5％‑50％、低介电填料10％‑80％、环氧树脂10％‑50％、酚醛树脂10％‑50％、固化剂10％‑20％、促进剂该高介电环氧塑封料不仅具有传统塑封料的低膨胀系数、低应力特点，而且介电常数高、介电损耗较小、介电性能频率稳定性好，可用于指纹传感器封装领域。
高介电环氧塑封料制备方法和应用环氧树脂低膨胀系数频率稳定性应力吸收剂指纹传感器酚醛树脂介电常数介电损耗介电性能原料组成促进剂低应力分散剂固化剂塑封料脱模剂阻燃剂低介可用封装

[发明专利]一种高介电性能钛酸锶钡、其制备方法及采用其制备的介电陶瓷-CN201611159230.8有效
发明人：陈艳平;李强;杨晓峰;李启寿;唐贤臣;谢金华;蔡勇军 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电性能钛酸锶钡、其制备方法及采用其制备的介电陶瓷，目的在于解决现有介电陶瓷材料，介电常数越高，耐电强度越低，且其温度稳定性和电场稳定性也越差的问题。本发明从ABO3型钙钛矿晶体结构、介电微观机制出发，优化了高介电性能钛酸锶钡陶瓷的成分设计，通过改进原料粉末的制备方法、陶瓷试样的显微组织调控与性能优化，实现了制备的原料粉末均质、细晶，具备了较高的烧结活性本发明提供兼具高的介电常数、低的介质损耗的BST介电陶瓷及其制备方法，其制备工艺简单，成本较低，周期短，适合大批量生产，能够满足工业化应用的需求，其提供的材料能够用于高功率微波器件系统中，满足实际应用需要
一种高介电性能钛酸锶钡制备方法采用陶瓷

[发明专利]低介电非晶质二氧化硅粉体及其制造方法、浆料、树脂组合物、预浸料、印刷布线板-CN202310079578.X在审
发明人：糸川肇;田口雄亮;野村龙之介;浦中宗圣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供介电损耗角正切非常小的低介电非晶质二氧化硅粉体、表面处理低介电二氧化硅粉体；凝聚少的二氧化硅浆料；能够兼顾拉伸强度和介电损耗角正切的含二氧化硅的树脂组合物；以及含二氧化硅的预浸料和印刷布线板。低介电非晶质二氧化硅粉体，其为使用VMC二氧化硅的低介电非晶质二氧化硅粉体，其中，平均粒径为0.1～1.5μm，比表面积为1.5～20m2/g，碱金属和碱土类金属的合计含量为700ppm以下，硅烷醇量为100ppm以下，比重为2.2，介电损耗角正切在10GHz下为0.0007以下，(40GHz的介电损耗角正切)/(10GHz下的介电损耗角正切)为2.0以下。
低介电非晶质二氧化硅及其制造方法浆料树脂组合预浸料印刷布线

[发明专利]集成电路结构-CN200810173965.5有效
发明人：陈宪伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：金属化层包括导线、低介电常数区域，邻接该导线，且与该导线在水平方向相隔一空间、以及填充介电材料，填充至少部分该空间，其中该填充介电材料与该低介电常数区域由不同材料组成。上述的集成电路结构可进一步包含盖层，邻接填充介电材料与低介电常数区域，并位于填充介电材料与低介电常数区域上。填充介电材料的介电常数小于该盖层的介电常数。本发明的优点在于降低寄生电容，减少电迁移，改善时间相依介电击穿，以及增加校准偏差容忍度。
集成电路结构

[发明专利]一种含氟低介电氰酸酯改性树脂及其制备方法-CN201610880331.8有效
发明人：顾军渭;董文彩;唐玉生;孔杰;徐爽 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氟低介电氰酸酯改性树脂及其制备方法，以间三氟甲基苯酚mTFMP和环氧氯丙烷ECH为原料，通过烷基化反应制备低介电含氟化合物2‑((3‑(三氟甲基)苯氧基)甲基)环氧乙烷mTFMPMO，并将其加入到双酚A型氰酸酯BADCy树脂基体中，经均匀混合、排除气泡后，倒入预热好的模具中，浇注成型制备mTFMPMO‑co‑BADCy改性树脂。本发明的mTFMPMO‑co‑BADCy改性树脂具有极优的介电性能、突出的力学性能和优异的耐热性能等优点。
制备氰酸酯改性改性树脂树脂低介含氟间三氟甲基苯酚双酚A型氰酸酯含氟化合物环氧氯丙烷烷基化反应制备低介电环氧乙烷浇注成型介电性能力学性能耐热性能三氟甲基树脂基体苯氧基预热模具

[发明专利]一种无卤高Tg低介电型覆铜箔板的制备方法-CN201811408586.X在审
发明人：何川;粟俊华;席奎东 -专利权人：南亚新材料科技股份有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种无卤高Tg低介电型覆铜箔板的制备方法，由改性环氧树脂及功能助剂配合调制成粘合剂涂覆于玻璃纤维布上，再覆上铜箔经热压制备获得无卤高Tg低介电型覆铜箔板。与现有技术相比，本发明制备的环氧玻璃布基覆铜箔板Tg>180℃；Z轴CTE＜3.0％；耐热性方面：TD≥360℃，T288＞60min；电性能方面：介电常数(5GHZ)≤4.1；介电损耗(5GHZ)＜0.007
无卤覆铜箔板低介制备环氧玻璃布基覆铜箔板耐热性改性环氧树脂机械加工性能玻璃纤维布高频高速功能助剂介电常数介电损耗粘合剂电性能多层板热压制吸水率铜箔涂覆无铅制程阻燃配合生产

[发明专利]复合低介电常数的介电结构-CN200410048960.1无效
发明人： A·考利;M·瑙约克;金善渡 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-06-09 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于形成一复合金属间介电结构的方法系加以提供。一起始金属间介电结构系加以提供，且其系包含一第一介电层以及二导线，而该二导线乃位于该第一介电层之中，接着，该第一介电层在该二导线间的部分系加以移除，以形成一沟渠，而该沟渠则被一第二介电材质所填充，并且，该第二介电材质系为一介电常数较该第一介电层之介电常数为低的一低k介电质。
复合介电常数结构

[发明专利]本征型低介质损耗因数聚酰亚胺薄膜及其制备方法-CN202011361830.9有效
发明人：姬亚宁;青双桂;易春晴;蒋耿杰 -专利权人：桂林电器科学研究院有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征型低介质损耗因数聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于聚酰亚胺材料技术领域。本发明所述聚酰亚胺薄膜在组成上含有占比为5～30mol％的式(I)表示的重复单元及余量的低极性聚酰亚胺聚合物，其中双酯键单体TAHQ的使用有效降低聚酰亚胺体系的介质损耗因数，而采用式(I)所示结构的聚合物与低极性聚酰亚胺聚合物通过嵌段聚合而成的聚酰亚胺薄膜无需涂覆热塑性层即可满足行业标准中对剥离强度的要求，且介电损耗因数≤0.006、介电常数≤3.0(10GHz)，满足高频条件下的信号传输要求。
征型低介质损耗因数聚酰亚胺薄膜及其制备方法

[发明专利]半导体装置中的结构形成-CN202210145052.2在审
发明人：郑光伟;倪其聪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置可以包含一或多个低介电常数(低κ)层，其在衬底上。所述半导体装置可以包含介电层，其在所述一或多个低κ层上。所述半导体装置可以包含结构，其穿过所述衬底、所述一或多个低κ层和所述介电层。所述半导体装置可以包含衬层，其在所述结构和所述衬底之间、在所述结构和所述一或多个低κ层之间以及在所述结构和所述介电层之间。所述半导体装置可以包含覆盖层，其在所述衬层和所述介电层之间以及所述衬层和所述一或多个低κ层之间。
半导体装置中的结构形成

[发明专利]一种介电复合材料、其制备方法及平板型电容器-CN201910274943.6在审
发明人：于淑会;徐鹏鹏;罗遂斌;孙蓉 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： D01D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电复合材料、其制备方法及平板型电容器，该介电复合材料的制备方法包括：S1、将具有钙钛矿结构或类钙钛矿结构的陶瓷纤维、导电粒子和聚合物用溶剂溶解，得到混合物；S2、混合物经静电纺丝工艺后得到介电复合材料本发明还公开了一种介电复合材料，其包括聚合物和填充在聚合物中的导电粒子和陶瓷纤维。本发明还公开了基于介电复合材料的平板型电容器，其具有金属电极‑介电复合材料‑金属电极的三明治结构。本发明克服了现有技术中复合材料的介电常数低、介电损耗高、在电子元器件智能化、小型化的应用领域受到限制的缺陷，提供了具有高介电常数、低介电损耗的复合材料，并将其应用于平板型电容器中。
介电复合材料平板型电容器聚合物制备导电粒子金属电极陶瓷纤维复合材料类钙钛矿结构得到混合物低介电损耗电子元器件钙钛矿结构高介电常数三明治结构介电常数介电损耗静电纺丝混合物用溶剂智能化填充溶解应用

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201811305399.9有效
发明人：廖书翎;柯忠祁;高琬贻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本文描述了具有介电部件的半导体器件结构和形成介电部件的方法。在一些实例中，通过ALD工艺以及随后的变温退火工艺来形成介电部件。介电部件可以具有高密度、低碳浓度和低k值。根据本发明形成的介电部件在随后的工艺中具有改进的抗蚀刻化学性、抗等离子体损害性和抗物理轰击性，同时保持用于目标电容效率的低k值。本发明实施例涉及一种半导体结构及其形成方法。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利]低介电、低损耗天线罩、用于制备低介电、低损耗天线罩的材料和方法-CN202211212445.7在审
发明人： D·S·麦克拜恩;N·A·格林 -专利权人：天津莱尔德电子材料有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：低介电、低损耗天线罩、用于制备低介电、低损耗天线罩的材料和方法。示例性实施方式公开了低介电、低损耗天线罩。还公开了用于制备低介电、低损耗天线罩的材料和方法。在示例性实施方式中，用于低介电、低损耗天线罩的材料包括在高达90GHz的频率下具有小于2.3的介电常数和多个闭孔的泡沫热塑性塑料，在至少一些闭孔内截留有气体；或者具有多个闭孔的泡沫树脂，在至少一些闭孔内截留有气体
低介电损耗天线罩用于制备材料方法

[发明专利]一种用于铜互连的化学机械抛光液及工艺-CN201210584545.2有效
发明人：张建;荆建芬;蔡鑫元;王雨春;姚颖;周文婷 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C23F3/06 文献下载
摘要：一种用于铜互连抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜化学机械抛光液去除铜并停在阻挡层表面；步骤B：用阻挡层化学机械抛光液去除阻挡层、二氧化硅覆盖层(Cap layer)和部分铜；步骤C：用低介电材料抛光液去除部分低介电材料和部分铜该工艺方法通过改变抛光工艺流程（1步去除铜+2步去除阻挡层/介电层），产能得到提高，通过在第三步抛光时使用低研磨颗粒含量的抛光液，可降低低介电材料(BD)的去除速率，使抛光能较好的停在低介电材料上，同时铜抛光后的碟形凹陷小且无金属残留
一种用于互连化学机械抛光工艺

[发明专利]用于制作半导体器件的方法-CN201010245435.4有效
发明人：孙武;尹晓明;张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制作半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有前端器件结构，并且在所述前端器件结构上形成有低介电常数介电层；在所述低介电常数介电层上形成具有图案的掩蔽层；以所述掩蔽层作为掩膜，蚀刻所述低介电常数介电层，以露出所述低介电常数介电层的至少一部分侧壁；用气体对所述至少一部分侧壁进行吹扫；以及去除所述掩蔽层。根据本发明的方法能够减小在等离子灰化工艺过程中对低介电常数介电层造成的损伤，从而能够改善其中形成的沟槽的剖面形貌，并且提高半导体器件的整体电学性能。
用于制作半导体器件方法