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[发明专利]形成介电结构的方法以及半导体结构-CN200810005454.2无效
发明人：陈奕伊;蔡方文;吴振诚;包天一;郑双铭;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低介电系数介电层上；以及同时熟化低介电系数介电层及低介电系数帽盖层，以移除第一及第二成孔剂，使产生第一孔隙度于低介电系数介电层中，及第二孔隙度于低介电系数帽盖层中。优选地，低介电系数介电层及低介电系数帽盖层包含一组共同的前趋物及成孔剂，且原位进行。
形成结构方法以及半导体

[发明专利]一种应用于天线振子的低介电改性PPS及其制备方法-CN202211114367.7在审
发明人：邢霞;邓鑫星;刘止林;冉祥鑫;张家豪 -专利权人：山东产研明泉新材料研究院有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C08L81/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于天线振子的低介电改性PPS，包括以下组分：PPS树脂、低介电玻璃纤维、偶联剂、低介电填充料、低介电增韧剂、低介电润滑剂以及抗老化剂。本发明采用上述结构的应用于天线振子的低介电改性PPS，由低介电玻璃纤维、低介电填充料、低介电增韧剂以及低介电润滑剂改性PPS树脂，不仅保留了PPS树脂的固有的耐高温、高尺寸稳定性、低吸水率、高阻燃性能，而且改性后的PPS树脂具有优异的低介电性能，从而更加适用于天线振子中。
一种应用于天线低介电改性 pps 及其制备方法

[发明专利]低介电树脂组合物及应用其的胶片及电路板-CN201710153063.4有效
发明人：苏赐祥;向首睿;徐茂峰;何明展 -专利权人：臻鼎科技股份有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C08L51/06 文献下载
摘要：一种低介电树脂组合物，其包括含酸酐的低介电树脂、环氧树脂、硬质交联剂、软质交联剂及促进剂，该含酸酐的低介电树脂选自马来酸酐接枝改质树脂及含酸酐的聚酰亚胺树脂中的一种或两种，其中，该含酸酐的聚酰亚胺树脂的介电常数小于该低介电树脂组合物采用含酸酐的低介电树脂，该含酸酐的低介电树脂相较于不含酸酐的低介电树脂可以更好的溶解于有机溶剂中，且含酸酐的低介电树脂相较于不含酸酐的低介电树脂与其它有机组分的相容性更好，有助于获得介电常数更低、性能更好的低介电树脂组合物。另，本发明还提供一种应用所述低介电树脂组合物的胶片，一种应用所述低介电树脂组合物制得的电路板。
低介电树脂组合应用胶片电路板

[发明专利]低介电玻璃组成物、低介电玻璃、低介电玻璃纤维及制品-CN202210715031.X在审
发明人：徐文合;陈壁程;张致源;李岳衡;罗伟志 -专利权人：富乔工业股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C03C3/118 文献下载
摘要：本发明提供一种低介电玻璃组成物、一种低介电玻璃、一种低介电玻璃纤维及一种包含该低介电玻璃纤维的制品。该低介电玻璃组成物包含以该低介电玻璃组成物的总量为100wt％计，49wt％至59wt％的SiO2、9.5wt％至14.5wt％的Al2低介电玻璃组成物除具有良好的抽丝成型窗口且无相分离的现象，还兼具低介电常数及低介电正切损耗，且包含该低介电玻璃组成物的低介电玻璃及低介电玻璃纤维具有低介电常数及低介电正切损耗
低介电玻璃组成玻璃纤维制品

[发明专利]一种低介电和低介损玻纤覆铜板及其制备方法-CN201711440298.8有效
发明人：赵恩顺;叶伦学;杨波;黄杰;唐安斌 -专利权人：四川东材科技集团股份有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： B32B17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电和低介损玻纤覆铜板及其制备方法，该板由无碱玻璃纤维布、无机粉体、阻燃不饱和树脂组合物的热固化物和铜箔组成；制备方法是：在环氧树脂、含磷酚醛树脂、不饱和聚酯亚胺树脂、不饱和苯并噁嗪树脂、磷酸酯、引发剂、固化剂、稀释剂和溶剂混合的阻燃不饱和树脂组合物中，加入无机粉体，搅拌均匀，制得低介电和低介损胶粘剂；将无碱玻璃纤维布浸渍低介电和低介损胶粘剂，经上胶机烘道预烘，制得低介电和低介损玻纤预浸料；裁剪，按产品所需厚度将低介电和低介损玻纤预浸料和铜箔混搭重叠在一起，送入热压机中热压成型，即制得低介电和低介损玻纤覆铜板。
一种低介电低介损玻纤覆铜板及其制备方法

[发明专利]低k值介电材料沉积设备部件的清洗装置及清洗方法-CN201010022573.6无效
发明人：李景伦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种低k值介电材料沉积设备部件清洗装置及清洗方法，其中低k值介电材料沉积设备部件清洗方法包括：提供多次沉积低k值介电材料后的低k值介电材料沉积设备部件；采用上述的清洗装置对所述低k值介电材料沉积设备部件加热并采用紫外光线处理；对所述低k值介电材料沉积设备部件采用稀释的氢氟酸清洗；对所述低k值介电材料沉积设备部件采用去离子水清洗；烘干所述低k值介电材料沉积设备部件。本发明能够完全去除低k值介电材料的堆积，并且对沉积低介电材料设备的有降低成本及环保再利用效果。
值介电材料沉积设备部件清洗装置方法

[发明专利]低介电材料-CN201910318441.9在审
发明人：鄞盟松;陈礼君 -专利权人：联茂(无锡)电子科技有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明有关一种低介电材料，包含：(i)5‑50重量份的聚苯醚，数目平均分子量(Mn)＝1000‑4000，重量平均分子量(Mw)＝1000‑7000，及Mw/Mn＝1.0‑1.8；(ii)10‑90重量份的具有烯丙基的液晶高分子，Mn＝1000‑4000，Mw＝1000‑5000，Mw/Mn＝1.0‑1.8；(iii)0.01‑15重量份的双马来酰亚胺树脂；及(iV)0.01‑10重量份的高分子添加剂，其中该低介电材料Dk值:该低介电材料可应用于半固化胶片或电路基板绝缘层，且具有高Tg、低热膨胀系数、低吸水率及优异介电性能例如介电常数(Dk)及介电损耗(Df)的特性。
低介电材料重量份双马来酰亚胺树脂电路基板绝缘层数目平均分子量重量平均分子量低热膨胀系数高分子添加剂半固化胶片液晶高分子低吸水率介电常数介电损耗介电性能聚苯醚烯丙基应用

[发明专利]低介电材料-CN201610167700.9有效
发明人：鄞盟松;陈礼君 -专利权人：联茂电子股份有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明有关一种低介电材料，包含：(i)5‑50重量份的聚苯醚，数目平均分子量（Mn）=1000‑4000，重量平均分子量（Mw）=1000‑7000，及Mw/Mn=1.0‑1.8；及(ii)10‑90重量份的具有烯丙基的液晶高分子，Mn=1000‑4000，Mw=1000‑5000，Mw/Mn=1.0‑1.8，其中该低介电材料Dk值:3.4‑4.0，Df值:0.0025‑0.0050。该低介电材料可应用于半固化胶片或电路基板绝缘层，且具有高Tg、低热膨胀系数、低吸水率及优异介电性能例如介电常数(Dk)及介电损耗（Df）的特性。
低介电材料

[发明专利]用于互连工艺的半导体结构及其制造方法-CN201010110556.8有效
发明人：孙武;李若园 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于互连工艺中的半导体器件，包括：前端器件层；在前端器件层上形成的通孔停止层；在通孔停止层上形成的第一低k值介电层；在第一低k值介电层上形成的超低k值介电层；在超低k值介电层上形成的第二低k值介电层，其中第二低k值介电层和超低k值介电层对于等离子体刻蚀具有不同的蚀刻速率；在第二低k值介电层形成的钝化层；透过钝化层、第二低k值介电层、超低k值介电层和第一低k值介电层蚀刻至通孔停止层的通孔；以及透过钝化层、第二低k值介电层蚀刻至超低k值介电层的沟槽。本发明的半导体器件能产生均匀的薄层电阻Rs，并使得介电层保持为低k值，具有改进的电学特性。
用于互连工艺半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202210152098.7在审
发明人：潘谊纹;柯忠祁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包含基板、晶体管、第一介电质层、金属接触、第一低k介电质层、第二介电质层、第一金属特征。晶体管位于基板上方。第一介电质层位于晶体管上方。金属接触位于第一介电质层内并与晶体管电连接。第一低k介电质层位于第一介电质层上方。第二介电质层位于第一低k介电质层且第二介电质层的一介电常数高于第一低k介电质层的一介电常数。第一金属特征延伸穿越第二介电质层和第一低k介电质层至金属接触。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201110193343.0在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成低κ介电层；固化所述低κ介电层；对所述低κ介电层实施碳注入。根据本发明，注入的碳可以减小低κ介电层内部孔隙相互连通的概率，从而降低孔隙吸收空气中的水分导致低κ介电层内部结构遭到破坏的风险，以维持低κ介电层的介电常数。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]避免低介电常数介电层劣化的方法-CN02140253.1有效
发明人：张鼎张;刘柏村;莫亦先 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-02 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种避免低介电常数介电层劣化的方法。该方法是先于低介电常数介电层表面形成一图案化的光阻层；接着利用光阻层作为硬屏蔽，对该低介电常数介电层进行一蚀刻制程；然后去光阻层；最后再对低介电常数介电层进行一表面处理，以去除低介电常数介电层中的Si－OH键，进而避免低介电常数介电层吸附水气而发生介电特性劣化的现象。
避免介电常数介电层劣化方法

[发明专利]于低介电系数介电层上形成孔洞的方法-CN200710106933.9有效
发明人：蔡嘉祥;谢志宏;徐祖望;陈德芳;林家慧;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明是关于一种利用多晶硅罩幕，而非习知技术所使用的金属硬罩幕，在一低介电系数介电层上形成一孔洞的方法。一多晶硅硬罩幕被形成于一低介电系数介电层之上，以及一光阻层被形成于此多晶硅硬罩幕层之上。使用一气体电浆图刻光阻层并蚀刻多晶硅硬罩幕以制造低介电系数介电层的暴露部分。在蚀刻低介电系数介电层之前会先将光阻层移除，以免破坏低介电系数介电层。
低介电系数介电层上形成孔洞方法

[发明专利]多孔低介电薄膜、其制作方法及包括其的层间介质层-CN201410443187.2有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种多孔低介电薄膜、其制作方法及包括其的层间介质层。其中，该多孔低介电薄膜包括沿远离半导体基材的方向上依次设置的至少两层多孔低介电材料层，且在沿远离半导体基材的方向上各层多孔低介电材料层中的平均孔径依次增加。本申请通过提供的多孔低介电薄膜中气孔尺寸得以减小，进而提高了多孔低介电薄膜的力学强度。同时，多孔低介电薄膜中由于其力学强度较低引起的分层现象得以减少，从而提高了多孔低介电薄膜的绝缘性能。
多孔低介电薄膜制作方法包括介质

[发明专利]集成电路结构-CN200810149643.7有效
发明人：刘中伟;林耕竹;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路结构，包括：半导体基底、第一低介电系数材料层、第二低介电系数材料层、第一反射金属垫以及焊垫。第一低介电系数材料层位于半导体基底之上，其中第一低介电系数材料层是一种上方低介电系数材料层。低介电系数材料层直接位于第一低介电系数材料层下方。第一反射金属垫位于第二低介电系数材料层之中，且第一反射金属垫具有浮动电性。焊垫位于第一反射金属垫上方，其中焊垫以及第一反射金属垫是垂直地相互对准。
集成电路结构

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