[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 200810173965.5 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101425500A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一集成电路结构，包括半导体衬底，以及金属化层，位于半导体衬底上。金属化层包括导线、低介电常数区域，邻接该导线，且与该导线在水平方向相隔一空间、以及填充介电材料，填充至少部分该空间，其中该填充介电材料与该低介电常数区域由不同材料组成。上述的集成电路结构可进一步包含盖层，邻接填充介电材料与低介电常数区域，并位于填充介电材料与低介电常数区域上。填充介电材料的介电常数小于该盖层的介电常数。本发明的优点在于降低寄生电容，减少电迁移，改善时间相依介电击穿，以及增加校准偏差容忍度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种集成电路结构，包括：一半导体衬底；一金属化层，位于该半导体衬底上；其中该金属化层包括：一导线；一低介电常数区域，邻接该导线，且与该导线在水平方向相隔一空间；以及一填充介电材料，填充至少部分该空间，其中该填充介电材料与该低介电常数区域由不同材料组成；以及一盖层，邻接该填充介电材料与该低介电常数区域，并位于该填充介电材料与该低介电常数区域上，其中该填充介电材料的介电常数小于该盖层的介电常数。
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