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[发明专利]溅射靶及其制造方法-CN02821545.1有效
发明人：福岛笃志 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2002-07-30 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供通过型锻制造的溅射靶，其特征在于，平均结晶粒径最大的部分的平均结晶粒径D与平均结晶粒径最小的部分的平均结晶粒径d的关系为1.0＜D/d＜2.0。另外提供通过改良和钻研锻造工序和热处理工序，使结晶粒径微细和均匀，可以稳定制造特性优异的溅射靶的方法，以及由该方法得到的品质优异的溅射靶。
溅射及其制造方法

[发明专利]铜合金板及其制备方法-CN200910253107.6有效
发明人：高维林;须田久;成枝宏人;菅原章 -专利权人：同和金属技术有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明涉及铜合金板及其制备方法，提供了一种铜合金板材，具有含1.2-5.0wt％钛的化学组成，其余组分是铜和不可避免的杂质，其中：所述铜合金板材具有5-25μm的平均结晶粒径；(最大结晶粒径-最小结晶粒径)/(平均结晶粒径)不大于0.20；设定平均值的最大值是最大结晶粒径，所述最大值中的每一个是对应于许多区间中的一个的结晶粒径平均值，所述区间是从铜合金板材表面随机选择的，具有相同形状和尺寸；所述平均值的最小值是最小结晶粒径；所述平均值的平均值是平均结晶粒径；和所述铜合金板材具有满足I{420}/I0{420}＞1.0的结晶定向，设定铜合金板材表面上的{420}晶体平面上的X光衍射强度是I{420}，纯铜标准粉末的{420
铜合金及其制备方法

[发明专利]磁头滑块用材料、磁头滑块及磁头滑块用材料的制造方法-CN200610000382.3有效
发明人：杉浦启;川口行雄;人见笃志 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： G11B5/60 文献下载
摘要：本发明涉及磁头滑块用材料，其由含有氧化铝、碳化钛、及碳的烧结体构成，烧结体中的碳化钛结晶粒的平均结晶粒径大于氧化铝结晶粒的平均结晶粒径。
磁头用材制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列器件、有机EL显示装置以及薄膜晶体管阵列器件的制造方法-CN201080002966.9无效
发明人：斋藤彻;加藤智也 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：薄膜晶体管阵列器件(100)具备：驱动用TFT(10a)，其具有由第一平均结晶粒径的晶粒构成的第一结晶性半导体膜(5a)；和开关用TFT(10b)，其具有由平均结晶粒径比第一平均结晶粒径小的第二平均结晶粒径的晶粒构成的第二结晶性半导体膜对于第一结晶性半导体膜(5a)和第二结晶性半导体膜(5b)，通过使用具有高斯分布的光强度分布的激光以使非结晶性半导体膜的温度变成600℃～1100℃的范围的方式对非结晶性半导体膜进行激光照射来形成，第一结晶性半导体膜第二结晶性半导体膜(5b)与形成第一结晶性半导体膜(5a)同时地形成。
薄膜晶体管阵列器件有机 el 显示装置以及制造方法

[发明专利]电子材料用Cu-Co-Si系铜合金及其制造方法-CN201080002031.0有效
发明人：恩田拓磨;桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-02-17 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：平均结晶粒径为15～30μm，每0.5mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径的差的平均在10μm以下。
电子材料 cu co si 铜合金及其制造方法

[发明专利]电子材料用Cu-Co-Si类铜合金及其制备方法-CN201180047318.X无效
发明人：冈藤康弘;恩田拓磨;桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：电子材料用铜合金为含有Co：0.5～3.0质量%、Si：0.1～1.0质量%，余量由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，平均结晶粒径为3～15μm，每0.05mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径之差的平均值为
电子材料 cu co si 铜合金及其制备方法

[发明专利]铜合金板材及其制造方法、以及电气·电子部件用构件-CN202080087423.5有效
发明人：秋谷俊太;佐佐木贵大;川田绅悟;樋口优 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：Cr，余量为Cu及不可避免的杂质，拉伸强度为350‑800MPa，电导率为55‑90％IACS，相对于轧制方向而言，在0°方向上切出的截面S0°中的板厚方向的平均结晶粒径A0°、在45°方向上切出的截面S45°中的板厚方向的平均结晶粒径A45°、及在90°方向上切出的截面S90°中的板厚方向的平均结晶粒径A90°均为10.0μm以下，并且A0、上述平均结晶粒径A0°的各向异性度B0°、上述平均结晶粒径A45°的各向异性度B45°、及上述平均结晶粒径A90°的各向异性度B90°均为10.0％以下。
铜合金板材及其制造方法以及电气电子部件构件

[发明专利]抗表面粗糙性优异的罐用钢板及其制造方法-CN201080048927.2有效
发明人：中川祐介;多田雅毅;小岛克己;岩佐浩树 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：从钢板表层到板厚的1/4厚度的轧制方向剖面铁素体平均结晶粒径为7μm～10μm，从板厚的1/4厚度到板厚中央部的轧制方向剖面铁素体平均结晶粒径为15μm以下。并且，从上述钢板表层到板厚的1/4厚度的轧制方向剖面铁素体平均结晶粒径小于从上述板厚的1/4厚度到板厚中央部的轧制方向剖面铁素体平均结晶粒径。所述罐用钢板通过在最终精轧后1秒以内以50～100℃/s进行冷却、在500℃～600℃下卷取，实施酸洗处理后，以轧制率90％以上进行冷轧，以再结晶温度以上且800℃以下实施连续退火而得到。
表面粗糙优异钢板及其制造方法

[发明专利]高屈强比高强度冷轧钢板及其制造方法-CN201580017845.4有效
发明人：高岛克利;小野义彦;长谷川浩平 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：3.0质量％、B0.0003～0.0050质量％，具有如下复合组织以体积分率计含有铁素体20～50％、残余奥氏体7～20％、马氏体1～8％，且剩余部分中包含贝氏体和回火马氏体，在该复合组织中，铁素体的平均结晶粒径为5μm以下，残余奥氏体的平均结晶粒径为0.3～2.0μm且长径比为4以上，马氏体的平均结晶粒径为2μm以下，组合了贝氏体和回火马氏体的金属相的平均结晶粒径为7μm以下，铁素体以外的金属组织的体积分率与回火马氏体的体积分率之间的比率为0.60～0.85，残余奥氏体中的平均C浓度为0.65质量％以上。
屈强比高强度冷轧钢板及其制造方法

[发明专利]叠层型压电元件-CN200810080741.X有效
发明人：小野进;冈村健;坂上胜伺;平隆晶;寺园正喜 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：一种叠层型压电元件，包含由压电体和内部电极交替叠层而构成的叠层体，其特征在于：所述压电体的接触所述内部电极的部分的平均结晶粒径，比其以外的位置的平均结晶粒径更大。
叠层型压电元件

[发明专利]无取向性电磁钢板和无取向性电磁钢板的制造方法-CN201680076599.4有效
发明人：上坂正宪;千田邦浩;大村健 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：一种无取向性电磁钢板，其具有特定的成分组成，平均结晶粒径r为40～120μm，结晶粒径为板厚的1/6以下的晶粒的总面积相对于钢板的截面积的面积率R为2％以上，并且，上述平均结晶粒径r(μm)和上述面积率
向性电磁钢板制造方法

[发明专利]高强度冷轧钢板及其制造方法-CN201980087619.1有效
发明人：小幡美绘;高岛克利;横田毅 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明的高强度冷轧钢板具有特定的组成以及以体积率计为10％以上且70％以下的铁素体、1％以上且10％以下的残余奥氏体、10％以上且60％以下的贝氏体和2％以上且50％以下的马氏体的钢组织，铁素体的平均结晶粒径为6.0μm以下，残余奥氏体的平均结晶粒径为4.0μm以下，贝氏体的平均结晶粒径为6.0μm以下，马氏体的平均结晶粒径为4.0μm以下，从高强度冷轧钢板的表面起在深度方向上至10μm为止的区域中的Si的平均浓度相对于高强度冷轧钢板整体中的Si的平均浓度的浓度比以质量比计大于1.00且小于1.30。
强度冷轧钢板及其制造方法

[发明专利]铟靶材及其制造方法-CN201180004983.0有效
发明人：远藤瑶辅;前川贵诚 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：在铟锭熔解铸造时的凝固过程中，至少对处于即将凝固状态的熔融铟溶液施加超声波振动，以抑制结晶粒径粗化。由此，提供如下的铟靶材：总体的平均结晶粒径为10mm以下；就从平行于板厚度方向的截面观察到的晶粒而言，板厚度方向的平行方向的晶粒平均粒径与板厚度方向的垂直方向的晶粒平均粒径之比为0.7~1.1；孔径为50μm
铟靶材及其制造方法

[发明专利]高屈强比高强度冷轧钢板及其制造方法-CN201580017800.7有效
发明人：高岛克利;长谷川浩平 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：％、Mn：2.0～3.2％、P：0.08％以下、S：0.005％以下、Al：0.01～0.08％、N：0.008％以下、Ti：0.055～0.130％，剩余部分为Fe以及不可避免的杂质，关于微观组织，平均结晶粒径为2μm以下的铁素体以体积分率计含有2～15％，平均结晶粒径为0.3～2.0μm的残余奥氏体以体积分率计含有5～20％，平均结晶粒径为2μm以下的马氏体以体积分率计含有10％以下(包括0％)，剩余部分具有贝氏体以及回火马氏体，贝氏体以及回火马氏体的平均结晶粒径为5μm以下。
平均结晶粒径高强度冷轧钢板高屈强比体积分率回火马氏体贝氏体残余奥氏体微观组织延迟断裂扩孔性马氏体伸长率铁素体制造

[发明专利]具有均匀且微细的结晶组织的高纯度铜加工材及其制造方法-CN201180009727.0有效
发明人：熊谷训;小出正登 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：本发明的高纯度铜加工材，由纯度99.9999质量%以上的Cu构成，平均结晶粒径为20μm以下、且在晶粒的粒径分布中，具有超过2.5倍平均结晶粒径的粒径的晶粒所占的面积比率小于总晶粒面积的10%。
具有均匀微细结晶组织纯度加工及其制造方法

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