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[发明专利]Cu-Ni-Si系轧制铜合金和其制造方法-CN201811532542.8在审
发明人： 桑垣宽 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明的课题是提供强度、电导率和疲劳特性都优异的Cu‑Ni‑Si系轧制铜合金。本发明的解决手段是Cu‑Ni‑Si系轧制铜合金，其以质量%计，含有以总量计为3.0~4.5%的选自Ni和Co中的至少一种以上、0.6~1.0%的Si，剩余部分包含Cu和不可避免的杂质，轧制垂直方向的0.2%耐力YS为1040MPa以上。
轧制铜合金轧制垂直方向电导率疲劳特性耐力制造

[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法-CN201180016948.0有效
发明人： 桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供弹性极限值得到提高的Cu‑Ni‑Si‑Co系合金。该铜合金为含有Ni：1.0～2.5质量%、Co：0.5～2.5质量%、Si：0.3～1.2质量%，余部由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，通过以轧制面为基准的X射线衍射极图测定得到的结果中，α=35°下利用β扫描得到的{111}Cu面相对于{200}Cu面的衍射峰强度中，β角度90°的峰高相对于该情况下的标准铜粉末的峰高为2.5倍以上。
电子材料 cu ni si co 铜合金及其制造方法

[发明专利]Cu-Ni-Si系轧制铜合金和其制造方法-CN201610189951.7在审
发明人： 桑垣宽 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明的课题是提供强度、电导率和疲劳特性都优异的Cu‑Ni‑Si系轧制铜合金。本发明的解决手段是Cu‑Ni‑Si系轧制铜合金，其以质量%计，含有以总量计为3.0~4.5%的选自Ni和Co中的至少一种以上、0.6~1.0%的Si，剩余部分包含Cu和不可避免的杂质，轧制垂直方向的0.2%耐力YS为1040MPa以上。
cu ni si 轧制铜合金制造方法

[发明专利]Cu-Ni-Si类铜合金-CN201380021696.X有效
发明人： 桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-02-15 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供强度、导电率和挠曲变位系数均优异的Cu-Ni-Si类铜合金。一种Cu-Ni-Si类铜合金，以质量%计含有1.2～4.5%的Ni、0.25～1.0%的Si，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，以来自轧制面中的{111}面的X射线衍射强度为I{111}、以纯铜粉末标准样品中的{111}面的X射线衍射强度为I₀{111}时，I{111}/I₀{111}为0.15以上，以来自轧制面中的{200}面的X射线衍射强度为I{200}、以纯铜粉末标准样品中的{200}面的X射线衍射强度为I₀{200}时，I{200}/I₀{200}为0.5以下，以来自轧制面中的{220}面的X射线衍射强度为I{220}、以来自{311}面的X射线衍射强度为I{311}时，I{111}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})为0.2以上，轧制直角方向的挠曲变位系数为130GPa以上，轧制直角方向的屈服强度YS满足下式：YS≥-22×(Ni质量%)²+215×(Ni质量%)+422，轧制直角方向的导电率为30%IACS以上。
cu ni si 铜合金

[发明专利]电子材料用Cu-Co-Si系铜合金条及其制造方法-CN201280015843.8有效
发明人： 桑垣宽;冈藤康弘 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：提供一种强度和导电率的平衡优异，而且下垂卷曲得到抑制的Cu-Co-Si系合金条。铜合金条，其为含有Co：0.5～2.5质量%、Si：0.1～0.7质量%，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金条，通过以压延面为基准的X射线衍射极图测定而得到的结果，满足下述（a）：（a）在｛200｝极图中，以α＝25°的β扫描而得到的衍射峰强度中，β角度120°的峰高度为标准铜粉末相同角度的峰高度的10倍以上。
电子材料 cu co si 铜合金及其制造方法

[发明专利]电子材料用Cu-Si-Co系铜合金及其制造方法-CN201280007476.7有效
发明人：冈藤康弘;桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供提高了弹性极限值的Cu-Si-Co系合金。其为含有Co：0.5~2.5质量%、Si：0.1~0.7质量%，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，通过以压延面为基准的X射线衍射极图测定而获得的结果中，由α＝35°下的β扫描获得的相对于｛200｝Cu面的｛111｝Cu面的衍射峰强度中，β角度90°的峰高为标准铜粉末的相同角度的峰高的2.5倍以上。
电子材料 cu si co 铜合金及其制造方法

[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法-CN201180059363.7有效
发明人： 桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：提供强度和导电率的平衡优异、而且下垂卷曲受到抑制的Cu-Ni-Si-Co系合金条。一种铜合金条，其是含有Ni：1.0～2.5质量%、Co：0.5～2.5质量%、Si：0.3～1.2质量%，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金条，其中，根据以轧制面为基准的X射线衍射极图测定所得的结果，满足下述（a）和（b）两者：（a）｛200｝极图中，α＝20°的利用β扫描所得的衍射峰强度中，β角度145°的峰高度相对于标准铜粉末的该峰高度为5.2倍以下；（b）｛111｝极图中，α＝75°的利用β扫描所得的衍射峰强度中，β角度185°的峰高度相对于标准铜粉末的该峰高度为3.4倍以上。
电子材料 cu ni si co 铜合金及其制造方法

[发明专利]电子材料用Cu-Co-Si类铜合金及其制备方法-CN201180047318.X无效
发明人：冈藤康弘;恩田拓磨;桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供具备适合作为电子材料用铜合金的机械和电特性，机械特性均一的Cu-Co-Si类合金。电子材料用铜合金为含有Co：0.5～3.0质量%、Si：0.1～1.0质量%，余量由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，平均结晶粒径为3～15μm，每0.05mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径之差的平均值为5μm以下。
电子材料 cu co si 铜合金及其制备方法

[发明专利]电子材料用铜合金及其制备方法-CN201180015302.0有效
发明人： 桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C25D5/34 文献下载
摘要：本发明提供镀膜的均匀性优异的电子材料用铜合金。所述电子材料用铜合金，其中，当通过SIM观察与轧制方向平行方向的截面时，在距表层的深度为0.5μm以下的范围内，无定形组织和粒径为不足0.1μm的晶粒所占的面积率为1%以下，在距表层的深度为0.2~0.5μm的范围内，粒径为0.1μm以上且不足0.2μm的晶粒相对于粒径为0.1μm以上的全部晶粒所占的个数比例为47.5%以上。
电子材料铜合金及其制备方法

[发明专利]Cu-Co-Si系合金板及其制造方法-CN201180003593.1有效
发明人： 桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供适宜用于各种电子部件、特别是镀覆的均一附着性优异的Cu-Co-Si系合金板。电子材料用铜合金板是含有Co：0.5～3.0质量%、Si：0.1～1.0质量%、剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金板，板厚中心的平均结晶粒径为20μm以下，相对于轧制方向长度1mm，与表面相接且长径为45μm以上的晶粒为5个以下。
cu co si 合金及其制造方法

[发明专利]电子材料用Cu-Co-Si系铜合金及其制造方法-CN201180004186.2有效
发明人： 桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供达成高维(高次元)强度和导电率、同时耐疲劳性也优异的Cu-Co-Si系铜合金。电子材料用铜合金，其中含有Co：0.5～3.0％(质量)、Si：0.1～1.0％(质量)，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，在母相中析出的第二相颗粒中，粒径为5nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度为1×1012～1×1014个/mm3，粒径为5nm以上、不足10nm的第二相颗粒的个数密度以相对于粒径为10nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度之比来表示为3～6。
电子材料 cu co si 铜合金及其制造方法

[发明专利]电子材料用Cu－Ni－Si－Co系铜合金和其制造方法-CN200980161688.9无效
发明人： 桑垣宽;江良尚彦 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供适合作为电子材料用的铜合金的机械特性和电特性、且机械特性均一的Cu－Ni－Si－Co系合金。电子材料用的铜合金，其含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.3～1.2质量％，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其中，平均晶粒直径为15～30μm，每0.5mm2观察视野的最大晶粒直径与最小晶粒直径的差的平均值为10μm以下。
电子材料 cu ni si co 铜合金制造方法

[发明专利]Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法-CN200980149672.6有效
发明人： 桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：提供适用于各种电子部件，尤其是镀敷的均匀附着性优异的Ni－Si－Co系铜合金。铜合金，其是含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.3～1.2质量％，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金，其中，板厚中心的平均结晶粒径在20μm以下、接触表面且长径在45μm以上的晶粒，相对于轧制方向长度1mm，为5个以下，并且亦可含有最大0.5质量％的Cr，且亦可含有总计最大2.0质量％的选自由Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag所构成的群的1种或2种以上的元素。
ni si co 铜合金及其制造方法

[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法-CN200980147901.0有效
发明人： 桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供Cu-Ni-Si-Co系铜合金，其能够以高水平实现强度与导电率，同时抗永久变形性也优异。电子材料用铜合金，其是含有Ni：1.0～2.5质量%、Co：0.5～2.5质量%、Si：0.3～1.2质量%，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金，其中，母相中析出的第二相粒子中，粒径为5nm以上、50nm以下的粒子的个数密度为1×1012～1×1014个／mm3；粒径为5nm以上、小于20nm的粒子的个数密度以相对于粒径为20nm以上、50nm以下的粒子的个数密度的比例来表示，为3～6。
电子材料 cu ni si co 铜合金及其制造方法

[发明专利]电子材料用Cu-Co-Si系铜合金及其制造方法-CN201080002031.0有效
发明人：恩田拓磨;桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-02-17 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种Cu-Co-Si系合金，其具备适合作为电子材料用铜合金的机械及电特性，且机械特性均一。电子材料用铜合金含有Co：0.5～4.0质量％、Si：0.1～1.2质量％，余部包括Cu及不可避免的杂质。平均结晶粒径为15～30μm，每0.5mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径的差的平均在10μm以下。
电子材料 cu co si 铜合金及其制造方法

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