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[发明专利]溅射靶材-CN201980018145.5有效
发明人：森晓;熊谷训;谷雨;佐藤雄次 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射靶材，含有合计5质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，当通过电子背散射衍射法进行观察，将不包括双晶而以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1(μm)，并将极图的强度的最大值设为X2时，满足式(1)：2500＞19×X1+290×X2，并且通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差(KAM)为2.0°以下，相对密度为95％以上。
溅射

[发明专利]铜合金架空线-CN202080048170.0在审
发明人：秋山好之;熊谷训;石田德和;臼木理伦;山下主税 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明的铜合金架空线的特征在于，组成为：含有0.15质量％以上且0.50质量％以下的范围内的Mg、0.25质量％以上且1.0质量％以下的范围内的Cr且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，该铜合金架空线的抗拉强度为600MPa以上，导电率为60％IACS以上。
铜合金架空

[发明专利]铜合金材料、整流片、电极材料-CN202080014740.4在审
发明人： 熊谷训;矢野翔一郎;秋山好之 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明的铜合金材料，其特征在于，其组成为：在0.3质量％以上且0.7质量％以下的范围内含有Cr、在0.025质量％以上且0.15质量％以下的范围内含有Zr、在0.005质量％以上且0.04质量％以下的范围内含有Sn、在0.005质量％以上且0.03质量％以下的范围内含有P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述铜合金材料在20℃的维氏硬度为149Hv以上。
铜合金材料整流电极

[发明专利]铜合金材料-CN202080008245.2在审
发明人： 熊谷训;秋山好之;石田德和 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明的铜合金材料的特征在于，具有如下组成：含有0.15质量％以上且0.50质量％以下的范围内的Mg和0.20质量％以上且0.90质量％以下的范围内的Cr，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述铜合金材料的抗拉强度为600MPa以上，伸长率为3％以上。优选所述铜合金材料的导电率为60％IACS以上。
铜合金材料

[发明专利]圆筒型溅射靶用热挤压原材料及圆筒型溅射靶的制造方法-CN201780011284.6有效
发明人：大户路晓;熊谷训;樱井晶 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的圆筒型溅射靶用热挤压原材料中，铜的纯度设在99.99质量％以上且99.9995质量％以下的范围内，Al的含量设为0.5质量ppm以下，Si的含量设为1质量ppm以下，C的含量设为1质量ppm以下，O的含量设为2质量ppm以下，H的含量设为1质量ppm以下，S的含量设为5质量ppm以下，在轴线O方向的一端部、中间部及另一端部的与轴线O方向正交的3个截面上，在周向的4个位置的表层部、从表层部向径向的1/4位置、从表层部向径向的1/2位置这3个位置的共36处测定出的平均晶体粒径设在10μm以上且110μm以下的范围内，且维氏硬度设在40Hv以上且100Hv以下的范围内。
溅射靶圆筒型热挤压方向正交晶体粒径维氏硬度中间部制造

[发明专利]接合线用铜线材及接合线用铜线材的制造方法-CN201480004297.7有效
发明人： 熊谷训;谷雨;佐藤雄次 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的接合线用铜线材为用于形成接合线的接合线用铜线材，其由纯度为99.9999质量％以上的高纯度铜构成，线径为0.5mm以上3.5mm以下，与拉丝方向垂直的剖面中(001)面的面积率为15％以上30％以下。
接合铜线制造方法

[发明专利]含Ca铜合金的制造方法-CN201480068286.5有效
发明人： 熊谷训;园畠乔;大户路晓 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明的含Ca铜合金的制造方法，其特征在于，具有在铜熔融液中添加Ca的Ca添加工序，该Ca添加工序中，使用在金属Ca(21)的表面包覆有铜(22)的铜包覆Ca材(20)。该铜包覆Ca材(20)中，优选包覆金属Ca(21)的铜(22)的氧含量小于100质量ppm。
ca 铜合金制造方法

[发明专利]高纯度铜溅射靶用铜原材料及高纯度铜溅射靶-CN201480035789.2有效
发明人：樱井晶;谷雨;佐藤雄次;熊谷训 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C25C1/12 文献下载
摘要：本发明的高纯度铜溅射靶用铜原材料，除O、H、N、C以外的Cu的纯度在99.999980质量％以上且99.999998质量％以下的范围内，Al的含量为0.005质量ppm以下，Si的含量为0.05质量ppm以下。
纯度溅射靶用铜原材料

[发明专利]圆筒型溅射靶用原材料的制造方法-CN201580001520.7有效
发明人：樱井晶;熊谷训;园畠乔;大户路晓 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2015-02-20 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：一种由铜或铜合金构成的圆筒型溅射靶用原材料的制造方法，所述制造方法具备连续铸造工序，使用连续铸造机或半连续铸造机而铸造平均晶体粒径为20mm以下的圆筒状铸块；及冷加工工序与热处理工序，通过对该圆筒状铸块重复地实施冷加工和热处理而成型所述圆筒型溅射靶用原材料，该圆筒型溅射靶用原材料的外周面上的平均晶体粒径为10μm以上且150μm以下，并且相对于平均晶体粒径为2倍以上的晶粒所占的面积比例小于总晶体面积的25％。
圆筒溅射原材料制造方法

[发明专利]圆筒型溅射靶用原材料-CN201580000747.X有效
发明人：大户路晓;熊谷训;樱井晶 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2015-02-20 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种由铜或铜合金构成的圆筒型溅射靶用原材料，在外周面的晶体组织中，根据通过EBSD法测定的每1mm2单位面积的单位总晶界长度LN和每1mm2单位面积的单位总特殊晶界长度LσN而定义特殊晶界长度比率LσN/LN的情况下，在轴线O方向的两端部的外周面和中央部的外周面测定的所述特殊晶界长度比率LσN/LN的平均值为0.5以上，并且各测定值相对于所述特殊晶界长度比率LσN/LN的平均值在±20％的范围内，另外，作为杂质元素的Si和C的含量总计为10质量ppm以下、O含量为50质量ppm以下。
圆筒溅射原材料

[发明专利]接合线用铜线材及接合线用铜线材的制造方法-CN201280028930.7有效
发明人： 熊谷训;中本齐 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的接合线用铜线材为用于形成线径为180μm以下的接合线的铜线材。铜线材的线材直径为0.15mm以上3.0mm以下。铜线材具有如下组成，即以总计在0.0001质量%以上0.01质量%以下的范围内含有选自Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Zr、Ti及稀土元素中的一种以上的添加元素，且余量为铜及不可避免杂质。铜线材中，特殊晶界比率（Lσ/L）为50%以上，所述特殊晶界比率为以EBSD法测定的特殊晶界的长度Lσ相对于全部晶界的长度L的比率。
接合铜线制造方法

[发明专利]电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法及电解铜电镀方法-CN201180018264.4有效
发明人：中矢清隆;喜多晃一;熊谷训;加藤直树;渡边真美 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C25D17/10 文献下载
摘要：本发明提供可减少残渣等颗粒的产生和起因于残渣的电镀不良的电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法、使用该高纯度铜阳极的电解铜电镀方法。通过对电镀用高纯度铜实施加工而施加加工应变后，进行再结晶化热处理，可具有阳极表面的铜晶粒的晶界的单位全部晶界长度LN与特殊晶界的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN为0.35以上的晶界组织，通过抑制在电解铜电镀浴中的阳极侧产生的残渣等颗粒的产生，可减少电镀不良。
电解铜电镀纯度阳极制造方法

[发明专利]具有均匀且微细的结晶组织的高纯度铜加工材及其制造方法-CN201180009727.0有效
发明人： 熊谷训;小出正登 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：本发明的高纯度铜加工材，由纯度99.9999质量%以上的Cu构成，平均结晶粒径为20μm以下、且在晶粒的粒径分布中，具有超过2.5倍平均结晶粒径的粒径的晶粒所占的面积比率小于总晶粒面积的10%。本发明的高纯度铜加工材的制造方法中，将由Cu纯度99.9999质量%以上的高纯度铜构成的铸锭在初期温度550℃以上热锻后水冷，接着在初期温度350℃以上温热锻造后水冷，然后以50%以上的总轧制率进行冷斜轧，接着在200℃以上进行低温退火。
具有均匀微细结晶组织纯度加工及其制造方法

[发明专利]电解铜电镀用含磷铜阳极、其制造方法及电解铜电镀方法-CN201180005807.9有效
发明人：中矢清隆;喜多晃一;熊谷训;加藤直树;渡边真美 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C25D17/10 文献下载
摘要：本发明提供可减少起因于残渣的电镀不良的电解铜电镀用含磷铜阳极及其制造方法、使用该含磷铜阳极的电解铜电镀方法。通过对电镀用含磷铜实施加工而施加加工应变后，进行再结晶化热处理，可具有将阳极表面的铜晶粒的晶界的全部晶界长度L换算为每1mm2单位面积的单位全部晶界长度LN与将特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ换算为每1mm2单位面积的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN为0.4以上的晶界组织，在电解铜电镀初期均匀地形成黑膜，防止黑膜的脱落，从而减少电镀不良。
电解铜电镀用含磷铜阳极制造方法

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