“干法非”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果561345个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于包含微粒非原纤化粘结剂的干电极膜的组合物和方法-CN201980023376.5在审
发明人：王子瀛;孝·明·敦;尤迪·尤迪;申俊昊;普兰斯·马格斯诺 -专利权人：麦斯韦尔技术股份有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本文提供了干法电极膜，以及包括该干法电极膜的储能装置，其包括具有一定粒径的微粒非原纤化粘结剂。电极膜表现出改善的机械和加工特性。还提供了用于处理这种微粒非原纤化电极膜粘结剂，以及将微粒非原纤化粘结剂掺入电极膜的方法。
用于包含微粒非原纤化粘结电极组合方法

[发明专利]一种HW49废PCB和SW17覆铜板边框料的精细铜粉回收方法-CN202310951874.4在审
发明人：狄旭东;张鹏;侯自收 -专利权人：珠海市安能环保科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B09B3/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种HW49废PCB和SW17覆铜板边框料的精细铜粉回收方法，涉及金属回收技术领域，包括分选：将收集得到的HW49废线路板和SW17覆铜板边角料，按照是否含金进行分选；一级干法破碎：将非含金废料及含金废料分批分段投入锤式破碎机1；组合筛分：含金碎料投入二级干法破碎；对非含金废料进行筛分，筛出物经静电、磁选得到粗干细铜粉≧60目、干废树脂粉≧60目，大于3mm的碎料投入湿法破碎工序，其余碎料投入二级干法破碎；二级干法破碎：对上述工序来料采用锤式破碎机2进行二次干法粉碎，非含金废料通过静电筛分所得铜粉投入水力摇床1级分选。
一种 hw49 pcb sw17 铜板边框精细回收方法

[发明专利]干法蚀刻方法-CN200910054407.1无效
发明人：张海洋;孙武;符雅丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种干法蚀刻方法。所述干法蚀刻方法包括：对待蚀刻材料层依次进行主蚀刻及过蚀刻，其中在过蚀刻时采用的蚀刻气体至少包括能增加蚀刻反应中聚合物生成量的气体。所述干法蚀刻的方法减少蚀刻气体对非蚀刻材料的损伤，从而减少了因所述损伤而产生的微粒残留。相应地，由于微粒残留减少，干法蚀刻后的清洗时间就可缩短，减少了清洗液对已形成器件结构的损伤。
蚀刻方法

[发明专利]去除受损电介质材料的方法-CN200780019743.1有效
发明人：伊恩·J·布朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：在形成特征之后，进行干法非等离子体去除工艺以去除特征上的受损材料的薄层。干法非等离子体去除工艺包括：化学处理受损材料，然后对经化学处理的表面层进行热处理。化学处理和热处理这两个步骤可以重复进行。
去除受损电介质材料方法

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202311162311.3在审
发明人：朱红波;欧志文;刘单单;高向阳 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供一半导体基底，于半导体基底上形成氧化硅层，氧化硅层划分为栅氧区域和非栅氧区域；于氧化硅层上形成光刻胶层并图形化，图形化的光刻胶层显露非栅氧区域；采用化学干法刻蚀法刻蚀非栅氧区域，其中，化学干法刻蚀的过程中，刻蚀气体在反应腔室外电离成等离子体。本发明的半导体器件的制作方法中，采用化学干法刻蚀法刻蚀氧化硅层形成栅氧，不会产生等离子体诱导损伤，不会对栅氧产生钻刻削薄，提高器件性能。另外，刻蚀氧化硅层时预留牺牲氧化层，能够缩减工序，降低成本。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法-CN200910163262.9有效
发明人：史衍丽;庄继胜;余连杰;杨丽丽;孔令德;李雄军;莫镜辉;孙祥乐 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其工艺步骤为：A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.光刻；H.干法刻蚀(光敏面成型)；I.去胶清洗；J.光刻；K.干法刻蚀(表面清洁)；L.沉积金属上电极；M.剥离清洗(上电极金属成型)。通过上述制造方法，降低了制造成本，提高了焦平面探测器的可靠性，并使焦平面探测器具有较高的外量子效率，实现了非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造。
一种非晶碲镉汞单片集成平面探测器制造方法

[实用新型]干法脱硝与选择性非催化还原脱硝系统-CN201821166630.6有效
发明人：易善莉 -专利权人：深圳华明环保科技有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： B01D53/75 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种效率高、综合成本低、易运行、无二次污染、满足国家超低排放的干法脱硝与选择性非催化还原脱硝系统，将干法脱硝和选择性非催化还原(SNCR)脱硝组合进行脱硝，具体为将干法脱硝剂喷入到750
干法脱硝选择性非催化还原脱硝系统脱硝剂温度段喷入脱硝烟气本实用新型无二次污染超低排放脱硝效率运行稳定综合成本氨逃逸高地保证

[发明专利]一种表面等离子体光刻中小分子光刻胶的干法显影方法-CN201811509683.8在审
发明人：罗先刚;马晓亮;蒲明博;刘利芹;王长涛 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明提供一种表面等离子体光刻中小分子光刻胶的干法显影方法。样品特征结构包括激发层、光刻胶层、增强层。干法显影过程：样品首先在表面等离子体光刻机上曝光，获得超分辨率光刻图形记录在光刻胶层；基于感光与非感光区域光刻胶成分不同，可在胶表面进行有选择性的硅烷化掺杂处理；利用反应离子刻蚀技术，将硅烷化区域进行硬化处理，同时非硅烷化区域会被刻蚀去除，进一步以硬化层作为掩模，对非硅烷化区域进行彻底的刻蚀，实现干法显影，获得有一定厚度硬层的光刻胶图形。该方法优势：一是干法显影可避免湿法显影中容易出现的线条漂移、倒塌、断裂等问题；二是获得的有硬层的光刻胶图形，可提高表面等离子体光刻中薄胶的进一步刻蚀传递性能。
干法显影表面等离子体光刻刻蚀光刻胶图形光刻胶层分子光硅烷化非硅烷化硬层反应离子刻蚀技术漂移超分辨率传递性能感光区域光刻图形显影过程样品特征硬化处理光刻胶激发层硬化层增强层感光湿法掩模与非去除断裂线条掺杂倒塌曝光记录

[发明专利]干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺-CN202310056716.2在审
发明人：陈银培;刘耀菊;宁珈祺;吴超;杨巨椽 -专利权人：杭州美迪凯微电子有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺，其工艺步骤为：S1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏底层胶达到设定的目标厚度；S2、在非光敏底层胶上层再涂覆一层光刻胶，光刻胶的厚度大于非光敏底层胶；S3、两层胶涂覆完毕后采用曝光显影坚膜的方式把上层的光刻胶做成具有正梯形或者倒梯形槽口的胶形，并裸露出需要去除的非光敏底层胶；S4、采用干法刻蚀的工艺对上层的光刻胶胶和裸露出来的非光敏底层胶一起进行干刻；S5、干刻后，通过去胶液将非光敏底层胶上层残留的光刻胶去除，最终得到正梯形或者倒梯形胶形的产品，完成干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺。
刻蚀制作梯形工艺

[发明专利]铜互连线间空气隙的形成方法-CN201410593476.0在审
发明人：林宏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了铜互连线间空气隙的形成方法，其包括：提供一半导体器件衬底；在半导体器件衬底表面沉积可干法刻蚀的籽晶层；在籽晶层表面沉积非晶碳硬掩膜层；图案化非晶碳硬掩膜层，暴露出部分籽晶层表面；在暴露的籽晶层表面上且在非晶碳硬掩膜层中进行铜电镀，形成铜互连线；采用干法刻蚀去除非晶碳硬掩膜层，并干法刻蚀掉非晶碳硬掩膜层区域下方的籽晶层；在铜互连线上沉积介质层，从而在铜互连线间形成空气隙。
互连空气形成方法

[发明专利]一种非布司他片的制备方法-CN202111477559.X在审
发明人：赵月芳;刘少梅;程芬;高红艳;高丹丹;胡杰;马长芳;习温瑜;周小梅;李金凤 -专利权人：青岛黄海制药有限责任公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： A61K9/28 文献下载
摘要：本发明属于医药技术领域，具体的说是一种非布司他片的制备方法，将非布司他与填充剂混合后进行整粒，再加入崩解剂、粘合剂混合后通过干法制粒获得颗粒均匀的颗粒，再加入润滑剂混合后压片得到素片，素片包衣后即得非布司他片剂本发明制备工艺简单，干法制粒过程不需要加湿加热，更易商业化生产。本发明的辅料除润滑剂外全部做为内加辅料进行制粒，获得颗粒均匀稳定不易分层。
一种非布司制备方法

[发明专利]一种稳定的盐酸伐地那非三水合物药物组合物的制备方法-CN201910888437.6有效
发明人：江鸿;赵利军;吕传涛;刘玉芹;陈立叶;郭艺 -专利权人：山东创新药物研发有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： A61K9/28 文献下载
摘要：本公开提供了一种稳定的盐酸伐地那非三水合物药物组合物的制备方法，将总药用辅料的含水量提高5.5～7.0wt.％，将盐酸伐地那非三水合物和内加药用辅料混合后进行干法制粒，将干法制粒获得的颗粒与外加药用辅料混匀、压片、包衣，获得盐酸伐地那非片；其中总药用辅料包括内加药用辅料和外加药用辅料。本公开的制备方法，在不影响制剂溶出的前提下，提高了盐酸伐地那非三水合物药物组合物的稳定性。
一种稳定盐酸水合物药物组合制备方法

[发明专利]干法脱硝与选择性非催化还原脱硝系统及其工作方法-CN201810814171.6在审
发明人：易善莉 -专利权人：易善莉
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： B01D53/75 文献下载
摘要：本发明公开了一种效率高、综合成本低、易运行、无二次污染、满足国家超低排放的干法脱硝与选择性非催化还原脱硝系统及其工作方法，将干法脱硝和选择性非催化还原(SNCR)脱硝组合进行脱硝，具体为将干法脱硝剂喷入到
干法脱硝选择性非催化还原脱硝系统脱硝剂温度段喷入脱硝烟气无二次污染超低排放脱硝效率运行稳定综合成本氨逃逸高地保证

[发明专利]绝缘体上的硅(SOI)衬底的制造工艺-CN96121530.5无效
发明人：阿闭忠司 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1996-12-12 - 公布日： 2001-12-26 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种ＳＯＩ衬底的制造工艺有效地除去在多孔硅区上的非多孔硅区，并解决了玻璃衬底刻蚀时不可避免的问题和需要较厚的多孔硅区的问题。该工艺包括使单晶硅衬底的表面层成为多孔以形成多孔单晶硅区；在多孔单晶硅区的表面上形成第二非多孔单晶硅区；将支撑衬底通过绝缘区键合到第二非多孔单晶硅区的表面；除去第一非多孔单晶硅区；以及除去多孔单晶硅区，其中除去第一非多孔单晶硅区包括进行干法刻蚀的步骤，在该干法刻蚀中非多孔单晶硅区的刻蚀速率大于多孔单晶硅区的刻蚀速率。
绝缘体 soi 衬底制造工艺

[发明专利]自对准硅化物膜制程及结构-CN200710045077.0无效
发明人：孙昌;王艳生;廖奇泊;王蕾;郭君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭示了一种自对准硅化物SAB制程，用于制作需要使用非自对准硅化物器件的制程中，该SAB制程包括：沉积SAB膜，该SAB膜为ONO结构；对SAB膜进行光刻；进行非自对准硅化物器件的制作；对SAB膜进行干法刻蚀，其中该干法刻蚀过程为端点控制过程；对SAB膜进行湿法刻蚀。发明采用ONO结构的SAB膜，具有良好的光刻特性，此外，由于SiO₂层和SiON层之间具有显著的光反射特性的差异，本发明利用这种特点，采用端点控制的方式对干法刻蚀过程进行精确的控制
对准硅化物膜制程结构

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条