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- [发明专利]工艺设备及其工作方法-CN201711227760.6在审
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王大为;吴孝哲;林宗贤
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德淮半导体有限公司
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2017-11-29
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2018-05-18
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H01L21/67
- 一种工艺设备及其工作方法，工艺设备包括：传送腔，所述传送腔的侧壁中具有若干第一阀门；位于传送腔周围的若干工艺腔组，各工艺腔组分别包括一个或多个工艺腔，各工艺腔的侧壁中分别具有第二阀门，不同工艺腔组中第二阀门的中心具有高度差，当工艺腔组包括多个工艺腔时，同一工艺腔组中第二阀门的中心的高度相同，第二阀门分别和第一阀门相对设置；位于传送腔中的传送臂组；传送臂组包括若干传送臂单元，各传送臂单元沿着垂直于旋转工作平面的方向上排布，所述旋转工作平面垂直于工艺腔侧壁，传送臂单元的数量和工艺腔组的数量相同，每个传送臂单元通过相对设置的第一阀门和第二阀门对工艺腔取放晶圆。所述工艺设备的工作效率提高。
- 工艺设备及其工作方法
- [发明专利]一种半导体工艺设备-CN202011001140.2有效
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徐柯柯
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2020-09-22
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2022-07-22
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C30B25/08
- 本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和设置在工艺腔室中的承载盘，工艺腔室的内壁上具有排气口和多个进气口，多个进气口包括至少一个主进气口和至少一个副进气口，半导体工艺设备还包括工艺隔板，工艺隔板与承载盘平行设置，工艺隔板与承载盘之间形成主气流区，工艺隔板背离与承载盘的一侧形成有副气流区，主进气口与主气流区位置匹配，副进气口与副气流区位置匹配，工艺隔板上形成有至少一个沿厚度方向贯穿工艺隔板的导气孔。本发明提供的半导体工艺设备能够在避免第一工艺气体和第二工艺气体相互冲击的同时，通过导气孔精确地改变基片部分位置的外延层沉积速度，提高了外延层在基片上沉积的均匀性和基片各位置外延层沉积速率的可控性。
- 一种半导体工艺设备
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